画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 入力容量( cies @ vce | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BC33716 | 0.0700 | ![]() | 56 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 v | 800 Ma | 100NA | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 100 @ 100MA、1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD241BTU | 0.2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 40 W | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 3 a | 300µA | npn | 1.2V @ 600MA、3a | 25 @ 1a 、4V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7098N3 | 0.5100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 14a(ta) | 4.5V 、10V | 9mohm @ 14a 、10V | 3V @ 250µA | 22 NC @ 5 V | ±20V | 1587 PF @ 15 V | - | 3w | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C7V5 | 0.0200 | ![]() | 405 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.5 V @ 100 MA | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 15オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC549CBU | 0.0200 | ![]() | 4528 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 30 V | 100 Ma | 15NA | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 420 @ 2MA 、5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFPF04H60STU | 0.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | TO-220F-2L | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.1 V @ 4 a | 45 ns | 100 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 4a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSR1004BU | 0.0700 | ![]() | 40 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | TO-226-3 | KSR1004 | 300 MW | to-92-3 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 2156-KSR1004BU | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 100 Ma | 100NA | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 68 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5254B | 3.7600 | ![]() | 140 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0050 | 80 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 21 V | 27 v | 41オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP023N08B | 2.1300 | ![]() | 21 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | FDP023 | - | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | flz6v2a | 0.0200 | ![]() | 6234 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 11,324 | 1.2 V @ 200 mA | 3.3 µA @ 3 V | 5.9 v | 8.5オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA8N90C | 1.8100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | モスフェット(金属酸化物) | to-3p | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 900 V | 8a(tc) | 10V | 1.9OHM @ 4A 、10V | 5V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ±30V | 2080 PF @ 25 V | - | 240W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX70G | - | ![]() | 4855 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | - | 表面マウント | TO-236-3 | BCX70 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 45 v | 200 ma | 20na | npn | 550MV @ 1.25MA 、50mA | 120 @ 2MA 、5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF13N50CSDTU | 0.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | FQPF1 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nチャネル | 500 V | 13a(tc) | 10V | 480mohm @ 6.5a 、10V | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 V | ±30V | 2055 PF @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5243BTR | 0.0200 | ![]() | 170 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 13オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW31 | 0.0200 | ![]() | 6326 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 681 | 32 v | 500 Ma | 100na(icbo) | npn | 250mv @ 500µa 、10ma | 110 @ 2MA 、5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | bav99wt1g | 1.0000 | ![]() | 3243 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | bav99 | 標準 | SC-70-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペアシリーズ接続 | 100 V | 215ma dc) | 1.25 V @ 150 MA | 6 ns | 2.5 µA @ 70 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ksc2883ytf | 0.1200 | ![]() | 110 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 1 W | SOT-89-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 30 V | 1.5 a | 100na(icbo) | npn | 2V @ 30MA 、1.5a | 160 @ 500MA 、2V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTA05 | - | ![]() | 5097 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBTA05 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 V | 500 Ma | 100NA | npn | 250MV @ 10MA 、100mA | 100 @ 100MA、1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mm3z3v9c | 1.0000 | ![]() | 5882 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 2.7 µA @ 1 V | 3.9 v | 84オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDW2506P | 0.6400 | ![]() | 180 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | FDW25 | モスフェット(金属酸化物) | 600MW | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 P-Channel (デュアル) | 20V | 5.3a | 22mohm @ 5.3a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 34NC @ 4.5V | 1015pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5401_D28Z | 1.0000 | ![]() | 2181 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92-3 | - | 適用できない | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 150 v | 600 Ma | 50na(icbo) | PNP | 500MV @ 5MA 、50mA | 60 @ 10ma 、5v | 400MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5399 | 0.0400 | ![]() | 45 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 標準 | DO-15 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.4 V @ 1.5 a | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1.5a | 25pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSP24TA | 0.0200 | ![]() | 9807 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 135°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | 350 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 1,407 | 30 V | 100 Ma | 50na(icbo) | npn | - | 30 @ 8ma 、10V | 620MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4744A-T50A | - | ![]() | 6004 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-1N4744A-T50A-600039 | 1 | 5 µA @ 11.4 v | 15 V | 14オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFB3904 | 0.0800 | ![]() | 423 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | FFB39 | 300MW | SC-88 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 40V | 200mA | - | 2 NPN (デュアル) | 300mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 10ma、1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1699E-PM-AA | 0.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 未定義のベンダー | 2156-2SA1699E-PM-AA-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDP4050 | 0.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | 未定義のベンダー | 未定義のベンダー | 2156p4050-600039 | 1 | nチャネル | 50 v | 15a(tc) | 100mohm @ 7.5a 、10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | 450 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG1G75US60H | 39.0100 | ![]() | 80 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | 午後7時 | 310 w | 標準 | 午後7時 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 15 | シングル | - | 600 V | 75 a | 2.8V @ 15V 、75a | 250 µA | いいえ | 7.056 NF @ 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI50N06TU | 0.7300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | モスフェット(金属酸化物) | i2pak(to-262) | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nチャネル | 60 V | 50a(tc) | 10V | 22mohm @ 25a 、10V | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ±25V | 1540 PF @ 25 V | - | 3.75W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF3S49092SM9A | 2.8100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-6 、D²pak(5リード +タブ)、 To-263BA | RF3S49092 | モスフェット(金属酸化物) | 50W (TC) | TO-263-5 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nおよびpチャネル | 12V | 20a(tc | 60mohm @ 20a | 1V @ 250µA | 25NC @ 10V 、24NC @ 10V | 750pf @ 10V 、775pf @ 10V | ロジックレベルゲート |
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