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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在 -マックス テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） 抵抗-RDS （オン） @ @ if、f トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
1N755A Fairchild Semiconductor 1N755A 2.0800
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 156 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 1 V 7.5 v 6オーム
FFAF60A150DSTU Fairchild Semiconductor FFAF60A150DSTU 0.8500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -65°C〜150°C to-3p-3フルパック to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 360 20 a - 標準-1ペアシリーズ接続 600V -
DBG150G Fairchild Semiconductor DBG150G 3.9000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して 4-sip、dbf 標準 - ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 250 900 mV @ 7.5 a 10 µA @ 600 V 3.6 a 単相 600 V
FDB42AN15A0 Fairchild Semiconductor FDB42AN15A0 1.0000
RFQ
 ECAD 1899 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 150 v 5a（ta ）、 35a 6V 、10V 42mohm @ 12a 、10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±20V 2150 PF @ 25 V - 150W
3N255 Fairchild Semiconductor 3N255 0.2500
RFQ
 ECAD 5782 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、kbpm 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 2156-3N255-FS ear99 8541.10.0080 30 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 200 V 2 a 単相 200 v
KBP04M Fairchild Semiconductor KBP04M 1.0000
RFQ
 ECAD 7069 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 30 1 V @ 1 a 5 µA @ 400 V 1.5 a 単相 400 V
3N246 Fairchild Semiconductor 3N246 0.2200
RFQ
 ECAD 8906 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 112 1 V @ 1 a 5 µA @ 50 V 1.5 a 単相 50 v
HUFA75332S3S Fairchild Semiconductor Hufa75332S3S 1.0000
RFQ
 ECAD 8831 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 55 v 60a（tc） 10V 19mohm @ 60a 、10v 4V @ 250µA 85 NC @ 20 V ±20V 1300 PF @ 25 V - 145W
KSA733CYBU Fairchild Semiconductor KSA733CYBU -
RFQ
 ECAD 3933 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 250 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 1MA 、6V 180MHz
FQD1N50TM Fairchild Semiconductor fqd1n50tm 0.5300
RFQ
 ECAD 241 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 500 V 1.1a（tc） 10V 9OHM @ 550MA 、10V 5V @ 250µA 5.5 NC @ 10 V ±30V 150 PF @ 25 V - 2.5W （TA ）、25W（TC）
1N750A Fairchild Semiconductor 1N750A 2.0800
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 156 1.5 V @ 200 mA 2 µA @ 1 V 4.7 v 19オーム
FQPF90N10V2 Fairchild Semiconductor FQPF90N10V2 2.3700
RFQ
 ECAD 809 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 100 V 90a 10V 10mohm @ 45a 、10V 4V @ 250µA 191 NC @ 10 V ±30V 6150 PF @ 25 V - 83W
KBL10 Fairchild Semiconductor KBL10 0.3700
RFQ
 ECAD 4241 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbl 標準 KBL ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 24 1.1 V @ 4 a 5 µA @ 1 V 4 a 単相 1 kV
1N5990B Fairchild Semiconductor 1N5990B 1.8400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 1 V 3.9 v 90オーム
FQP4N90 Fairchild Semiconductor FQP4N90 1.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 189 nチャネル 900 V 4.2a（tc） 10V 3.3OHM @ 2.1A 、10V 5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±30V 1100 PF @ 25 V - 140W
SGW5N60RUFDTM Fairchild Semiconductor SGW5N60RUFDTM 0.8500
RFQ
 ECAD 1026 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 - 表面マウント TO-263-3 SGW5N 標準 60 W d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 291 300V、5A 、40OHM、15V 55 ns - 600 V 8 a 15 a 2.8V @ 15V 、5a 88µj（107µj （オフ） 16 NC 13NS/34NS
FQB15P12TM Fairchild Semiconductor FQB15P12TM -
RFQ
 ECAD 4778 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 pチャネル 120 v 15a（tc） 10V 200mohm @ 7.5a 、10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±30V 1100 PF @ 25 V - 3.75W
HGT1S14N36G3VLT Fairchild Semiconductor HGT1S14N36G3VLT 1.5400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -40°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads 論理 100 W i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 300V 、7a 、25OHM 、5V - 390 v 18 a 2.2V @ 5V、14a - 24 NC - /7µs
PN4091 Fairchild Semiconductor PN4091 0.0600
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 nチャネル 16pf @ 20V 40 v 30 mA @ 20 v 5 V @ 1 Na 30オーム
KBU4K Fairchild Semiconductor KBU4K 1.0000
RFQ
 ECAD 8500 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu 標準 KBU ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 4 a 5 µA @ 50 V 4 a 単相 800 V
HUF76423D3S Fairchild Semiconductor HUF76423D3S 0.4100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 60 V 20a（tc） 4.5V 、10V 32mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 34 NC @ 10 V ±16V 1060 PF @ 25 V - 85W
FQB6N50TM Fairchild Semiconductor fqb6n50tm 0.7200
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 500 V 5.5a（tc） 10V 1.3OHM @ 2.8A 、10V 5V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±30V 790 PF @ 25 V - 3.13W （TA ）、 130W （TC）
FQPF5N50CYDTU Fairchild Semiconductor fqpf5n50cydtu 0.7700
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 フルパック、形成されたリード モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 390 nチャネル 500 V 5a（tc） 10V 1.4OHM @ 2.5A 、10V 4V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±30V 625 PF @ 25 V - 38W
FDMC7582 Fairchild Semiconductor FDMC7582 -
RFQ
 ECAD 9243 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） Power33 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 25 v 16.7a 4.5V 、10V 5mohm @ 16.7a 、10V 2.5V @ 250µA 28 NC @ 10 V ±20V 1795 pf @ 13 v - 2.3W
MMBFJ202 Fairchild Semiconductor MMBFJ202 -
RFQ
 ECAD 7118 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ear99 8541.21.0095 1 nチャネル - 40 v 900 µA @ 20 V 800 mV @ 10 na
GBU4M Fairchild Semiconductor gbu4m 0.7200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -50°C〜150°C （TJ 穴を通して 4-ESIP 、GBU 標準 GBU ダウンロード ear99 8541.10.0080 414 1 V @ 4 a 5 µA @ 1 V 2.8 a 単相 1 kV
FDS4501H Fairchild Semiconductor FDS4501H 0.7200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS4501 モスフェット（金属酸化物） 1W 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nおよびpチャネル 30V 、20V 9.3a 、5.6a 18mohm @ 9.3a 、10V 3V @ 250µA 27NC @ 4.5V 1958pf @ 10V ロジックレベルゲート
FDMC8296 Fairchild Semiconductor FDMC8296 -
RFQ
 ECAD 8533 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-mlp （3.3x3.3） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 12a（タタ）、 18a（tc） 4.5V 、10V 8mohm @ 12a 、10V 3V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±20V 1385 PF @ 15 V - 2.3W （TA ）、27W（TC）
FDS6680AS Fairchild Semiconductor FDS6680AS 1.0000
RFQ
 ECAD 2990 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Powertrench®、Syncfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 11.5a（ta） 4.5V 、10V 10mohm @ 11.5a 、10V 3V @ 1MA 30 NC @ 10 V ±20V 1240 PF @ 15 V - 2.5W
FDS6990A Fairchild Semiconductor FDS6990A -
RFQ
 ECAD 4289 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS6990 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 nチャンネル（デュアル） 30V 7.5a 18mohm @ 7.5a 、10V 3V @ 250µA 17NC @ 5V 1235pf @ 15V ロジックレベルゲート
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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