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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
FDC855N Fairchild Semiconductor FDC855N 0.2400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1,265 nチャネル 30 V 6.1a（ta） 4.5V 、10V 27mohm @ 6.1a 、10V 3V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 655 PF @ 15 V - 1.6W
KSC1008COBU Fairchild Semiconductor KSC1008COBU 0.0200
RFQ
 ECAD 1626 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 800 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 3,786 60 V 700 Ma 100na（icbo） npn 400mv @ 50ma 、500ma 70 @ 50ma 、2V 50MHz
FDS4935BZ Fairchild Semiconductor FDS4935bz -
RFQ
 ECAD 9371 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS49 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 P-Channel （デュアル） 30V 6.9a（ta） 22mohm @ 6.9a 、10V 3V @ 250µA 40NC @ 10V 1360pf @ 15V -
FDMA3027PZ Fairchild Semiconductor FDMA3027PZ 0.6500
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-vdfn露出パッド FDMA3027 モスフェット（金属酸化物） 700mw 6- マイクロフェット（2x2） ダウンロード ear99 8542.39.0001 462 2 P-Channel （デュアル） 30V 3.3a 87mohm @ 3.3a 、10V 3V @ 250µA 10NC @ 10V 435pf @ 15V ロジックレベルゲート
HGTG27N120BN Fairchild Semiconductor HGTG27N120BN -
RFQ
 ECAD 8388 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 標準 500 W TO-247 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 960v npt 1200 v 72 a 216 a 2.7V @ 15V 、27a 2.2MJ 270 NC 24ns/195ns
FDD3680 Fairchild Semiconductor FDD3680 -
RFQ
 ECAD 5170 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 100 V 25a（ta） 6V 、10V 46mohm @ 6.1a 、10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±20V 1735 PF @ 50 V - 68W
FGAF40N60UFDTU Fairchild Semiconductor FGAF40N60UFDTU 2.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック 標準 100 W to-3pf ダウンロード ear99 8542.39.0001 122 300V 、20A 、10OHM15V 95 ns - 600 V 40 a 160 a 3V @ 15V、 20a 470µj（130µj （オフ） 77 NC 15ns/65ns
HGTG30N60C3D Fairchild Semiconductor HGTG30N60C3D 6.9600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ 穴を通して TO-247-3 標準 208 w TO-247 ダウンロード ear99 8542.39.0001 44 - 60 ns - 600 V 63 a 252 a 1.8V @ 15V 、30a 1.05MJ （オン）、2.5MJ 162 NC -
FDN306P Fairchild Semiconductor FDN306P -
RFQ
 ECAD 1935年年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 pチャネル 12 v 2.6a（ta） 1.8V 、4.5V 40mohm @ 2.6a 、4.5V 1.5V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ±8V 1138 PF @ 6 V - 500MW
GBPC1204W Fairchild Semiconductor GBPC1204W 2.4800
RFQ
 ECAD 626 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4平方、GBPC-W 標準 GBPC-W ダウンロード ear99 8541.10.0080 122 1.1 V @ 6 a 5 µA @ 400 V 12 a 単相 400 V
FQD2N60CTM Fairchild Semiconductor FQD2N60CTM -
RFQ
 ECAD 5588 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 600 V 1.9a（tc） 10V 4.7OHM @ 950MA 、10V 4V @ 250µA 12 NC @ 10 V ±30V 235 pf @ 25 v - 2.5W （TA ）、44W（TC）
FDBL0120N40 Fairchild Semiconductor FDBL0120N40 -
RFQ
 ECAD 4932 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-POWERSFN モスフェット（金属酸化物） 8-hpsof ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 40 v 240a 10V 1.2mohm @ 80a 、10V 4V @ 250µA 107 NC @ 10 V ±20V 7735 PF @ 25 V - 300W （TJ）
FDS4897C Fairchild Semiconductor FDS4897C 1.0000
RFQ
 ECAD 7714 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS4897 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nおよびpチャネル 40V 6.2a 、4.4a 29mohm @ 6.2a 、10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V 760pf @ 20V ロジックレベルゲート
1N4746ATR Fairchild Semiconductor 1N4746ATR -
RFQ
 ECAD 7736 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 13.7 v 18 v 20オーム
1N5236B Fairchild Semiconductor 1N5236B 0.0300
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 500 MW - ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,539 3 µA @ 6 V 7.5 v 6オーム
DF005M Fairchild Semiconductor DF005M 0.2300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜150°C 穴を通して 4-EDIP （0.300 "、7.62mm） 標準 DFM ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,296 1.1 V @ 1 a 10 µA @ 50 V 1 a 単相 50 v
FDD5N50NZFTM Fairchild Semiconductor fdd5n50nzftm -
RFQ
 ECAD 3985 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet-ii™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 500 V 3.7a（tc） 10V 1.75OHM @ 1.85A 、10V 5V @ 250µA 12 NC @ 10 V ±25V 485 PF @ 25 V - 62.5W
GBPC12005 Fairchild Semiconductor GBPC12005 -
RFQ
 ECAD 1499 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C QC端子 4 平方、GBPC 標準 GBPC ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 6 a 5 µA @ 50 V 12 a 単相 50 v
GBPC1508 Fairchild Semiconductor GBPC1508 2.5700
RFQ
 ECAD 4019 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜150°C QC端子 4 平方、GBPC 標準 GBPC ダウンロード ear99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 a 5 µA @ 800 V 15 a 単相 800 V
FGH20N60SFDTU-F085 Fairchild Semiconductor FGH20N60SFDTU-F085 -
RFQ
 ECAD 4352 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 標準 165 W TO-247 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 400V 、20a 、10ohm15V 40 ns フィールドストップ 600 V 40 a 60 a 2.8V @ 15V 、20A 430µj（オン）、130µj（オフ） 66 NC 13ns/90ns
EGP20K Fairchild Semiconductor EGP20K 0.2500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 標準 DO-15 ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 800 V 1.7 V @ 2 a 75 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜150°C 2a 45pf @ 4V、1MHz
HUFA75307T3ST Fairchild Semiconductor hufa75307t3st 0.2500
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 フェアチャイルド半導体 自動車、AEC-Q101 バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA hufa75307 モスフェット（金属酸化物） SOT-223-4 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1,210 nチャネル 55 v 2.6a（ta） 10V 90mohm @ 2.6a 、10V 4V @ 250µA 17 NC @ 20 V ±20V 250 PF @ 25 V - 1.1W
FQB6N40CTM Fairchild Semiconductor fqb6n40ctm 0.8100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） - 0000.00.0000 1 nチャネル 400 V 6a（tc） 10V 1OHM @ 3A 、10V 4V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±30V 625 PF @ 25 V - 73W
1N5252BTR Fairchild Semiconductor 1N5252BTR 0.0200
RFQ
 ECAD 7944 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 18 V 24 v 33オーム
FDN327N Fairchild Semiconductor FDN327N -
RFQ
 ECAD 9268 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 20 v 2a（ta） 1.8V 、4.5V 70mohm @ 2a 、4.5V 1.5V @ 250µA 6.3 NC @ 4.5 v ±8V 423 PF @ 10 V - 500MW
FDP8440 Fairchild Semiconductor FDP8440 2.3200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 40 v 100a（tc） 4.5V 、10V 2.2mohm @ 80a 、10V 3V @ 250µA 450 NC @ 10 V ±20V 24740 PF @ 25 V - 306W
FDMS7694 Fairchild Semiconductor FDMS7694 0.3200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 943 nチャネル 30 V 13.2a 4.5V 、10V 9.5mohm @ 13.2a 、10V 3V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 1410 PF @ 15 V - 2.5W （TA ）、27W （TC）
FGH40T65SPD-F085 Fairchild Semiconductor FGH40T65SPD-F085 2.4800
RFQ
 ECAD 1587 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 標準 267 W TO-247 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 400V 、40a 、6ohm15V npt 650 V 80 a 120 a 2.4V @ 15V 、40a 1.16MJ （オン）、270µJ 36 NC 18ns/35ns
GBPC1504 Fairchild Semiconductor GBPC1504 2.5800
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜150°C QC端子 4 平方、GBPC 標準 GBPC ダウンロード ear99 8541.10.0080 150 1.1 V @ 7.5 a 10 µA @ 400 V 15 a 単相 400 V
GBU8K Fairchild Semiconductor gbu8k -
RFQ
 ECAD 1472 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -50°C〜150°C （TJ 穴を通して 4-ESIP 、GBU 標準 GBU ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 8 a 5 µA @ 800 V 5.6 a 単相 800 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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