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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） 入力容量（ cies @ vce
BZX55C7V5 Fairchild Semiconductor BZX55C7V5 0.0200
RFQ
 ECAD 7856 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 4,335 1.3 V @ 100 MA 100 Na @ 5 V 7.5 v 7オーム
3N259 Fairchild Semiconductor 3N259 1.0000
RFQ
 ECAD 2127 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、kbpm 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 30 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 1 V 2 a 単相 1 kV
2W10G Fairchild Semiconductor 2w10g 1.0000
RFQ
 ECAD 1856年年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4 円形、 wob 標準 ぐらつき ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 1,000 1.1 V @ 2 a 5 µA @ 1 V 2 a 単相 1 kV
FDA15N65 Fairchild Semiconductor FDA15N65 2.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3pn ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 16a（tc） 10V 440mohm @ 8a、10V 5V @ 250µA 63 NC @ 10 V ±30V 3095 PF @ 25 V - 260W
BZX79C56 Fairchild Semiconductor BZX79C56 0.0200
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.5 V @ 100 MA 50 Na @ 39.2 v 56 v 200オーム
FDD6N25TF Fairchild Semiconductor FDD6N25TF -
RFQ
 ECAD 4233 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 6 nチャネル 250 v 4.4a（tc） 10V 1.1OHM @ 2.2A 、10V 5V @ 250µA 6 NC @ 10 V ±30V 250 PF @ 25 V - 50W （TC）
HUFA76407DK8T Fairchild Semiconductor hufa76407dk8t 1.0000
RFQ
 ECAD 3298 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） hufa76407 モスフェット（金属酸化物） 2.5W 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 2 nチャンネル（デュアル） 60V - 90mohm @ 3.8a 、10V 3V @ 250µA 11.2NC @ 10V 330pf @ 25V ロジックレベルゲート
KBU4K Fairchild Semiconductor KBU4K 1.0000
RFQ
 ECAD 8500 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu 標準 KBU ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 4 a 5 µA @ 50 V 4 a 単相 800 V
KBP04M Fairchild Semiconductor KBP04M 1.0000
RFQ
 ECAD 7069 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 30 1 V @ 1 a 5 µA @ 400 V 1.5 a 単相 400 V
FQB6N50TM Fairchild Semiconductor fqb6n50tm 0.7200
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 500 V 5.5a（tc） 10V 1.3OHM @ 2.8A 、10V 5V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±30V 790 PF @ 25 V - 3.13W （TA ）、 130W （TC）
FDS6894A Fairchild Semiconductor FDS6894A 0.7200
RFQ
 ECAD 7861 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS68 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 408 2 nチャンネル（デュアル） 20V 8a 17mohm @ 8a 、4.5v 1.5V @ 250µA 24NC @ 4.5V 1676pf @ 10V ロジックレベルゲート
FQPF90N10V2 Fairchild Semiconductor FQPF90N10V2 2.3700
RFQ
 ECAD 809 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 100 V 90a 10V 10mohm @ 45a 、10V 4V @ 250µA 191 NC @ 10 V ±30V 6150 PF @ 25 V - 83W
KBL10 Fairchild Semiconductor KBL10 0.3700
RFQ
 ECAD 4241 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbl 標準 KBL ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 24 1.1 V @ 4 a 5 µA @ 1 V 4 a 単相 1 kV
HUF76423D3S Fairchild Semiconductor HUF76423D3S 0.4100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 60 V 20a（tc） 4.5V 、10V 32mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 34 NC @ 10 V ±16V 1060 PF @ 25 V - 85W
FQP4N90 Fairchild Semiconductor FQP4N90 1.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 189 nチャネル 900 V 4.2a（tc） 10V 3.3OHM @ 2.1A 、10V 5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±30V 1100 PF @ 25 V - 140W
SGW5N60RUFDTM Fairchild Semiconductor SGW5N60RUFDTM 0.8500
RFQ
 ECAD 1026 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 - 表面マウント TO-263-3 SGW5N 標準 60 W d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 291 300V、5A 、40OHM、15V 55 ns - 600 V 8 a 15 a 2.8V @ 15V 、5a 88µj（107µj （オフ） 16 NC 13NS/34NS
1N5990B Fairchild Semiconductor 1N5990B 1.8400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 1 V 3.9 v 90オーム
FMG1G100US60H Fairchild Semiconductor FMG1G100US60H 41.1600
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント 午後7時 400 W 標準 午後7時 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 15 シングル - 600 V 100 a 2.8V @ 15V 、100A 250 µA いいえ 10.84 nf @ 30 v
1N755A Fairchild Semiconductor 1N755A 2.0800
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 156 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 1 V 7.5 v 6オーム
FDS7088SN3 Fairchild Semiconductor FDS7088SN3 1.4100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 21a（ta） 4.5V 、10V 4mohm @ 21a 、10v 3V @ 1MA 80 NC @ 10 V ±20V 3230 PF @ 15 V - 3w
FQB15P12TM Fairchild Semiconductor FQB15P12TM -
RFQ
 ECAD 4778 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 pチャネル 120 v 15a（tc） 10V 200mohm @ 7.5a 、10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±30V 1100 PF @ 25 V - 3.75W
HGT1S14N36G3VLT Fairchild Semiconductor HGT1S14N36G3VLT 1.5400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -40°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads 論理 100 W i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 300V 、7a 、25OHM 、5V - 390 v 18 a 2.2V @ 5V、14a - 24 NC - /7µs
IRFU330BTU Fairchild Semiconductor IRFU330BTU 0.2700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK モスフェット（金属酸化物） TO-251 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 400 V 4.5a 10V 1OHM @ 2.25A 、10V 4V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±30V 1000 pf @ 25 v - 2.5W
IRFS250B Fairchild Semiconductor IRFS250B -
RFQ
 ECAD 9472 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット（金属酸化物） to-3pf ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 21.3a 10V 85mohm @ 10.65a 、10V 4V @ 250µA 123 NC @ 10 V ±30V 3400 PF @ 25 V - 90W
ISL9N307AS3ST Fairchild Semiconductor ISL9N307AS3ST -
RFQ
 ECAD 2686 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 67 nチャネル 30 V 75a（tc） 4.5V 、10V 7mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 3000 pf @ 15 v - 100W
ISL9N308AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N308AP3 0.8100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 75a（tc） 4.5V 、10V 8ohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 68 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 15 V - 100W （TC）
HUF75321S3ST Fairchild Semiconductor HUF75321S3ST 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 55 v 35a（tc） 10V 34mohm @ 35a 、10V 4V @ 250µA 44 NC @ 20 V ±20V 680 PF @ 25 V - 93W
1N457A_NL Fairchild Semiconductor 1N457A_NL -
RFQ
 ECAD 6215 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 標準 SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 70 v 1 V @ 10 mA 25 na @ 60 v 175°C （最大） 200mA 6PF @ 0V、1MHz
FDZ2552P Fairchild Semiconductor FDZ2552P 1.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 18-wfbga FDZ25 モスフェット（金属酸化物） 2.1W 18-bga （2.5x4） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 2 P-Channel（Dual）共通ドレイン 20V 5.5a（ta） 45mohm @ 5.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 13NC @ 4.5V 884pf @ 10V -
FDW2502PZ Fairchild Semiconductor FDW2502PZ -
RFQ
 ECAD 8406 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） FDW25 モスフェット（金属酸化物） 600MW 8-tssop ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 1 2 P-Channel （デュアル） 20V 4.4a（ta） 35mohm @ 4.4a 、4.5V 1.5V @ 250µA 21NC @ 5V 1465pf @ 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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