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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
FGB3236-F085 Fairchild Semiconductor FGB3236-F085 1.4900
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Automotive、AEC-Q101 、ECOSPARK® バルク アクティブ -40°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 論理 187 w d2pak（to-263） ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 219 300V、1KOHM - 360 v 44 a 1.4V @ 4V 、6a - 20 NC -5.4µs
MMBZ5226B Fairchild Semiconductor MMBZ5226B 0.0200
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 225 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 900 mV @ 10 Ma 25 µA @ 1 V 3.3 v 28オーム
BCW61BMTF Fairchild Semiconductor bcw61bmtf 0.0200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 表面マウント TO-236-3 BCW61 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 32 v 100 Ma 20na PNP 550MV @ 1.25MA 、50mA 140 @ 2MA 、5V -
FGPF50N33BTTU Fairchild Semiconductor FGPF50N33BTTU 0.8000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-3フルパック FGPF5 標準 43 w TO-220F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 - 溝 330 v 50 a 160 a 1.5V @ 15V 、20a - 35 NC -
1N4730A Fairchild Semiconductor 1N4730A 0.0300
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±0.5％ - 穴を通して 軸 1N4730 1 W do-41g ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 100 MA 50 µA @ 1 V 3.9 v 9オーム
KSH47TF Fairchild Semiconductor KSH47TF 1.0000
RFQ
 ECAD 5767 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 KSH47 1.56 w d-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 2,000 250 v 1 a 200µA npn 1V @ 200MA、1a 30 @ 300MA 、10V 10MHz
KSH127TM Fairchild Semiconductor KSH127TM 1.0000
RFQ
 ECAD 4312 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 KSH12 1.75 w d-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 2,500 100 V 8 a 10µA pnp-ダーリントン 4V @ 80ma 、8a 1000 @ 4a 、4V -
FDI045N10A Fairchild Semiconductor FDI045N10A 1.0000
RFQ
 ECAD 4484 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads FDI045 モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 100 V 120a（tc） 10V 4.5mohm @ 100a 、10V 4V @ 250µA 74 NC @ 10 V ±20V 5270 PF @ 50 V - 263W
FDMS0352S Fairchild Semiconductor FDMS0352S 0.4800
RFQ
 ECAD 259 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 nチャネル 30 V 26a（ta ）、42a（tc） 4.5V 、10V 2.4mohm @ 25a 、10V 3V @ 1MA 90 NC @ 10 V ±20V 6120 PF @ 15 V - 2.5W （TA ）、83W（TC）
FDMS3008SDC Fairchild Semiconductor FDMS3008SDC 1.3000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Dual Cool™、PowerTrench®、Syncfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn FDMS30 モスフェット（金属酸化物） Dual Cool™56 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 3,000 nチャネル 30 V 29a（ta） 4.5V 、10V 2.6mohm @ 28a 、10v 3V @ 1MA 64 NC @ 10 V ±20V 4520 PF @ 15 V - 3.3W （TA ）、78W（TC）
FDB8896-F085 Fairchild Semiconductor FDB8896-F085 -
RFQ
 ECAD 6463 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Automotive、AEC-Q101 、PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 FDB8896 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 19a（タタ）、 93a（tc） 4.5V 、10V 5.7mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 250µA 67 NC @ 10 V ±20V 2525 PF @ 15 V - 80W
MJD340TF Fairchild Semiconductor MJD340TF -
RFQ
 ECAD 9301 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 MJD34 1.56 w d-pak ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 300 V 500 Ma 100µA npn - 30 @ 50ma 、10V -
MMBZ5254B Fairchild Semiconductor MMBZ5254B 0.0200
RFQ
 ECAD 516 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 225 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 21 V 27 v 41オーム
MBR1060 Fairchild Semiconductor MBR1060 -
RFQ
 ECAD 3061 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SwitchMode™ バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 MBR106 ショットキー TO-220-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 60 V 800 mV @ 10 a 1 MA @ 60 v -65°C〜175°C - -
IRFS634BT Fairchild Semiconductor IRFS634BT 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ IRFS634 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー 1,803 -
2N7002V Fairchild Semiconductor 2N7002V -
RFQ
 ECAD 3042 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-563、SOT-666 2N7002 モスフェット（金属酸化物） 250MW SOT-563F ダウンロード 0000.00.0000 1 2 nチャンネル（デュアル） 60V 280ma 7.5OHM @ 50MA 、5V 2.5V @ 250µA - 50pf @ 25V ロジックレベルゲート
FDMC8296 Fairchild Semiconductor FDMC8296 -
RFQ
 ECAD 8533 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-mlp （3.3x3.3） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 12a（タタ）、 18a（tc） 4.5V 、10V 8mohm @ 12a 、10V 3V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±20V 1385 PF @ 15 V - 2.3W （TA ）、27W（TC）
EGP20K Fairchild Semiconductor EGP20K 0.2500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 標準 DO-15 ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 800 V 1.7 V @ 2 a 75 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜150°C 2a 45pf @ 4V、1MHz
HUFA75307T3ST Fairchild Semiconductor hufa75307t3st 0.2500
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 フェアチャイルド半導体 自動車、AEC-Q101 バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA hufa75307 モスフェット（金属酸化物） SOT-223-4 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1,210 nチャネル 55 v 2.6a（ta） 10V 90mohm @ 2.6a 、10V 4V @ 250µA 17 NC @ 20 V ±20V 250 PF @ 25 V - 1.1W
FDS4501H Fairchild Semiconductor FDS4501H 0.7200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS4501 モスフェット（金属酸化物） 1W 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nおよびpチャネル 30V 、20V 9.3a 、5.6a 18mohm @ 9.3a 、10V 3V @ 250µA 27NC @ 4.5V 1958pf @ 10V ロジックレベルゲート
FDS6961A Fairchild Semiconductor FDS6961A -
RFQ
 ECAD 7843 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS69 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 nチャンネル（デュアル） 30V 3.5a 90mohm @ 3.5a 、10V 3V @ 250µA 4NC @ 5V 220pf @ 15V ロジックレベルゲート
MMBF5461 Fairchild Semiconductor MMBF5461 0.0900
RFQ
 ECAD 5635 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 新しいデザインではありません -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 225 MW SOT-23-3 ダウンロード ear99 8541.21.0095 2 pチャネル 7PF @ 15V 40 v 2 MA @ 15 V 1 V @ 1 µa
FDMA3027PZ Fairchild Semiconductor FDMA3027PZ 0.6500
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-vdfn露出パッド FDMA3027 モスフェット（金属酸化物） 700mw 6- マイクロフェット（2x2） ダウンロード ear99 8542.39.0001 462 2 P-Channel （デュアル） 30V 3.3a 87mohm @ 3.3a 、10V 3V @ 250µA 10NC @ 10V 435pf @ 15V ロジックレベルゲート
FDMS7558S Fairchild Semiconductor FDMS7558S -
RFQ
 ECAD 6319 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 25 v 32a（タタ）、49a（tc） 4.5V 、10V 1.25mohm @ 32a 、10V 3V @ 1MA 119 NC @ 10 V ±20V 7770 PF @ 13 V - 2.5w
GBPC1506 Fairchild Semiconductor GBPC1506 -
RFQ
 ECAD 3822 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜150°C QC端子 4 平方、GBPC GBPC15 標準 GBPC ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 7.5 a 5 µA @ 600 v 15 a 単相 600 V
DF08S2 Fairchild Semiconductor DF08S2 -
RFQ
 ECAD 1041 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 標準 4-sdip ダウンロード ear99 8541.10.0080 672 1.1 V @ 2 a 3 µA @ 800 V 2 a 単相 800 V
IRFS610BFP001 Fairchild Semiconductor IRFS610BFP001 -
RFQ
 ECAD 4251 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 3.3a 10V 1.5OHM @ 1.65A 、10V 4V @ 250µA 9.3 NC @ 10 V ±30V 225 PF @ 25 V - 22W （TC）
FDMS7600AS Fairchild Semiconductor FDMS7600AS 1.0800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN FDMS7600 モスフェット（金属酸化物） 1W Power56 ダウンロード ear99 8542.39.0001 279 2 nチャンネル（デュアル） 30V 12a 、22a 7.5mohm @ 12a 、10V 3V @ 250µA 28NC @ 10V 1750pf @ 15V ロジックレベルゲート
SGL50N60RUFDTU Fairchild Semiconductor SGL50N60RUFDTU -
RFQ
 ECAD 3313 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-264-3、TO-264AA SGL50N60 標準 250 W HPM F2 - 0000.00.0000 1 300V、50A 、5.9OHM、15V 100 ns - 600 V 80 a 150 a 2.8V @ 15V 、50a 1.68MJ 145 NC 26ns/66ns
FDPF18N20FT-G Fairchild Semiconductor fdpf18n20ft-g 0.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 200 v 18a（tc） 10V 140mohm @ 9a、10V 5V @ 250µA 26 NC @ 10 V ±30V 1180 PF @ 25 V - 35W （TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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