SIC
close

離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
FDMD8280 Fairchild Semiconductor FDMD8280 -
RFQ
 ECAD 1017 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 12-POWERWDFN FDMD82 モスフェット（金属酸化物） 1W 12-Power3.3x5 ダウンロード 0000.00.0000 1 2 nチャンネル（デュアル） 80V 11a 8.2mohm @ 11a 、10V 4V @ 250µA 44NC @ 10V 3050pf @ 40V -
GBU6G Fairchild Semiconductor gbu6g 0.7000
RFQ
 ECAD 532 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -50°C〜150°C （TJ 穴を通して 4-ESIP 、GBU 標準 GBU ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 6 a 5 µA @ 400 V 4.2 a 単相 400 V
FQP4N20 Fairchild Semiconductor FQP4N20 0.3100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 200 v 3.6a（tc） 10V 1.4OHM @ 1.8A 、10V 5V @ 250µA 6.5 NC @ 10 V ±30V 220 PF @ 25 V - 45W
SSR1N60BTM Fairchild Semiconductor SSR1N60BTM 0.1800
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 900ma 10V 12OHM @ 450MA 、10V 4V @ 250µA 7.7 NC @ 10 V ±30V 215 PF @ 25 V - 2.5W
BZX79C2V7 Fairchild Semiconductor BZX79C2V7 0.0300
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,539 1.5 V @ 100 MA 75 µA @ 1 V 2.7 v 100オーム
MMBTH10 Fairchild Semiconductor mmbth10 0.0300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-MMBTH10-600039 1
1N753A Fairchild Semiconductor 1N753A 1.9300
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 156 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 1 V 6.2 v 7オーム
IRF644B-FP001 Fairchild Semiconductor IRF644B-FP001 1.8400
RFQ
 ECAD 980 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-IRF644BB-FP001-600039 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 250 v 14a（tc） 10V 280mohm @ 7a、10V 4V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±30V 1600 pf @ 25 v - 139W
BZX85C6V2-T50A Fairchild Semiconductor BZX85C6V2-T50A 0.0400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±6.45％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al（do-41） - 未定義のベンダー 影響を受けた 2156-BZX85C6V2-T50A-600039 1 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 3 V 6.2 v 4オーム
FQPF5N30 Fairchild Semiconductor FQPF5N30 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 300 V 3.9a（tc） 10V 900mohm @ 1.95a 、10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 430 PF @ 25 V - 35W （TC）
FDPF041N06BL1 Fairchild Semiconductor FDPF041N06BL1 1.1500
RFQ
 ECAD 755 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 283 nチャネル 60 V 77a（tc） 10V 4.1mohm @ 77a 、10v 4V @ 250µA 69 NC @ 10 V ±20V 5690 PF @ 30 V - 44.1W
FDS8874 Fairchild Semiconductor FDS8874 0.5400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 16a（ta） 4.5V 、10V 5.5mohm @ 16a 、10V 2.5V @ 250µA 72 NC @ 10 V ±20V 3990 PF @ 15 V - 2.5W
FQB19N20LTM Fairchild Semiconductor fqb19n20ltm 1.0000
RFQ
 ECAD 5433 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 200 v 21a（tc） 5V、10V 140mohm @ 10.5a 、10V 2V @ 250µA 35 NC @ 5 V ±20V 2200 PF @ 25 V - 3.13W （TA ）、 140W （TC）
SFS9640 Fairchild Semiconductor SFS9640 0.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 200 v 6.2a（tc） 10V 500mohm @ 3.1a 、10V 4V @ 250µA 59 NC @ 10 V ±30V 1585 PF @ 25 V - 40W （TC）
FQPF11N50CF Fairchild Semiconductor FQPF11N50CF 1.5600
RFQ
 ECAD 985 0.00000000 フェアチャイルド半導体 FRFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 193 nチャネル 500 V 11a（tc） 10V 550mohm @ 5.5a 、10V 4V @ 250µA 55 NC @ 10 V ±30V 2055 PF @ 25 V - 48W （TC）
SS9014BBU Fairchild Semiconductor SS9014BBU -
RFQ
 ECAD 2021 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 450 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,000 45 v 100 Ma 50na（icbo） npn 300MV @ 5MA 、100mA 100 @ 1MA 、5V 270MHz
1N5236BTR Fairchild Semiconductor 1N5236BTR 0.0200
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 3 µA @ 6 V 7.5 v 6オーム
KSE2955T Fairchild Semiconductor KSE2955T -
RFQ
 ECAD 5328 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 600 MW TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 895 60 V 10 a 700µA PNP 8V @ 3.3a 、10a 20 @ 4a 、4V 2MHz
FQI2N80TU Fairchild Semiconductor FQI2N80TU 0.5100
RFQ
 ECAD 3145 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 550 nチャネル 800 V 2.4a（tc） 10V 6.3OHM @ 900MA 、10V 5V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±30V 550 PF @ 25 V - 3.13W（タタ）、 85W
2N7000BU Fairchild Semiconductor 2N7000BU -
RFQ
 ECAD 9862 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 モスフェット（金属酸化物） to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 60 V 200MA （TC） 4.5V 、10V 5OHM @ 500MA 、10V 3V @ 1MA ±20V 50 pf @ 25 V - 400MW
KSC2316OTA Fairchild Semiconductor ksc2316ota 1.0000
RFQ
 ECAD 9768 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 900 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
NZT6726 Fairchild Semiconductor NZT6726 -
RFQ
 ECAD 7167 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1 W SOT-223-4 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 30 V 1.5 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 100MA、1a 50 @ 1a、1V -
FQB2P40TM Fairchild Semiconductor FQB2P40TM 0.4100
RFQ
 ECAD 4027 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 29 pチャネル 400 V 2a（tc） 10V 6.5OHM @ 1A 、10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 350 PF @ 25 V - 3.13W （TA ）、63W（TC）
MMBT2222 Fairchild Semiconductor MMBT2222 0.0200
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBT2222 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 600 Ma 10µa（icbo） npn 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 250MHz
FEP16CTA Fairchild Semiconductor fep16cta 0.6100
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 標準 TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通アノード 150 v 16a 950 mv @ 8 a 35 ns 10 µA @ 150 v -55°C〜150°C
NTSV20120CTG Fairchild Semiconductor NTSV20120CTG 0.4900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-NTSV20120CTG-600039 1
MM5Z6V2 Fairchild Semiconductor MM5Z6v2 1.0000
RFQ
 ECAD 1926年年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 MM5Z6 200 MW SOD-523 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 8,000 3 µA @ 4 V 6.2 v 10オーム
HUF76407D3ST Fairchild Semiconductor huf76407d3st -
RFQ
 ECAD 2034 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 60 V 12a（tc） 4.5V 、10V 92mohm @ 13a 、10V 3V @ 250µA 11.3 NC @ 10 V ±16V 350 PF @ 25 V - 38W
FDPF55N06 Fairchild Semiconductor FDPF55N06 0.8700
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 344 nチャネル 60 V 55a（tc） 10V 22mohm @ 27.5a 、10V 4V @ 250µA 37 NC @ 10 V ±25V 1510 pf @ 25 v - 48W （TC）
FDPF9N50NZ Fairchild Semiconductor FDPF9N50NZ -
RFQ
 ECAD 2422 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220-3フルパック/TO-220F-3SG - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-FDPF9N50NZ-600039 1 nチャネル 500 V 9a（tc） 10V 800mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 1030 PF @ 25 V - 44W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます