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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
BZX79C43 Fairchild Semiconductor BZX79C43 0.2200
RFQ
 ECAD 8885 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,248 1.5 V @ 100 MA 50 Na @ 30.1 v 43 v 150オーム
1N6013B Fairchild Semiconductor 1N6013B 2.0000
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 27 V 36 v 95オーム
FDQ7238AS Fairchild Semiconductor FDQ7238AS 0.8300
RFQ
 ECAD 643 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 14-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDQ72 モスフェット（金属酸化物） 1.3W 、1.1W 14-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 2 nチャンネル（デュアル） 30V 14a 、11a 13.2mohm @ 11a 、10v 3V @ 250µA 24NC @ 10V 920pf @ 15V ロジックレベルゲート
1N4154TR Fairchild Semiconductor 1N4154TR 0.0200
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 35 v 1 V @ 30 mA 4 ns 100 Na @ 25 V 175°C （最大） 100mA 4PF @ 0V、1MHz
HUFA75645S3S Fairchild Semiconductor hufa75645S3s 2.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ear99 8542.39.0001 128 nチャネル 100 V 75a（tc） 10V 14mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 238 NC @ 20 V ±20V 3790 PF @ 25 V - 310W
RURP1520 Fairchild Semiconductor Rurp1520 -
RFQ
 ECAD 7164 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 雪崩 TO-220AC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 200 v 1.05 V @ 15 a 35 ns 100 µA @ 200 V -55°C〜175°C 15a -
KSC388CYTA Fairchild Semiconductor ksc388cyta 0.0300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 KSC388 300 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 25 v 50 Ma 100na（icbo） npn 200mV @ 1.5mA、15mA 20 @ 12.5MA、12.5V 300MHz
FDS3682 Fairchild Semiconductor FDS3682 1.0000
RFQ
 ECAD 3224 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 100 V 6a（ta） 6V 、10V 35mohm @ 6a 、10V 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 1300 PF @ 25 V - 2.5W
MM3Z51VC Fairchild Semiconductor MM3Z51VC 0.0300
RFQ
 ECAD 142 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 9,779 1 V @ 10 mA 45 Na @ 35.7 v 51 v 169オーム
1N5988B Fairchild Semiconductor 1N5988B 2.7500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 110 1.2 V @ 200 mA 25 µA @ 1 V 3.3 v 95オーム
FCP25N60N Fairchild Semiconductor FCP25N60N 4.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Supremos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 FCP25 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 600 V 25a（tc） 10V 125mohm @ 12.5a 、10V 4V @ 250µA 74 NC @ 10 V ±30V 3352 PF @ 100 V - 216W
FDAF69N25 Fairchild Semiconductor FDAF69N25 2.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット（金属酸化物） to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 250 v 34a（tc） 10V 41mohm @ 17a 、10V 5V @ 250µA 100 NC @ 10 V ±30V 4640 PF @ 25 V - 115W
5HP01M-TL-E-FS Fairchild Semiconductor 5HP01M-TL-E-FS 0.1000
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 3,000
FDC8886 Fairchild Semiconductor FDC8886 0.2000
RFQ
 ECAD 184 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1,500 nチャネル 30 V 6.5a 4.5V 、10V 23mohm @ 6.5a 、10V 3V @ 250µA 7.4 NC @ 10 V ±20V 465 PF @ 15 V - 1.6W
FQPF630 Fairchild Semiconductor FQPF630 0.6500
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 464 nチャネル 200 v 6.3a（tc） 10V 400mohm @ 3.15a 、10V 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±25V 550 PF @ 25 V - 38W
HUF75623S3ST Fairchild Semiconductor HUF75623S3ST -
RFQ
 ECAD 8539 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 100 V 22a（tc） 10V 64mohm @ 22a 、10V 4V @ 250µA 52 NC @ 20 V ±20V 790 PF @ 25 V - 85W
MM3Z12VB Fairchild Semiconductor MM3Z12VB 0.0300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 10,017 1 V @ 10 mA 900 NA @ 8 V 12 v 23オーム
FDB7030BL Fairchild Semiconductor FDB7030BL 0.4600
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -65°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 FDB703 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 2,500 nチャネル 30 V 60a（ta） 4.5V 、10V 9mohm @ 30a 、10V 3V @ 250µA 24 NC @ 5 V ±20V 1760 PF @ 15 V - 60W （TC）
FQD24N08TF Fairchild Semiconductor FQD24N08TF -
RFQ
 ECAD 5283 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 798 nチャネル 80 v 19.6a（tc） 10V 60mohm @ 9.8a 、10V 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±25V 750 PF @ 25 V - 2.5W （TA ）、50W（TC）
NDS8435A Fairchild Semiconductor NDS8435A 0.8300
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 30 V 7.9a（ta） 4.5V 、10V 23mohm @ 7.9a 、10V 3V @ 250µA 67 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 15 V - 2.5W
NDB4060L Fairchild Semiconductor NDB4060L 1.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -65°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 60 V 15a（tc） 5V、10V 80mohm @ 15a 、10V 2V @ 250µA 17 NC @ 5 V ±16V 600 PF @ 25 V - 50W （TC）
2N5088BU Fairchild Semiconductor 2N5088BU 1.0000
RFQ
 ECAD 5264 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 2N5088 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1 30 V 100 Ma 50na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 300 @ 100µA 、5V 50MHz
MMBD1501 Fairchild Semiconductor MMBD1501 0.0700
RFQ
 ECAD 6003 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント TO-236-3 標準 SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 2,960 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 200 v 1.1 V @ 200 mA 10 Na @ 180 v 150°C （最大） 200mA 4PF @ 0V、1MHz
KSH122TM Fairchild Semiconductor KSH122TM -
RFQ
 ECAD 6734 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 KSH12 1.75 w d-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 699 100 V 8 a 10µA npn-ダーリントン 4V @ 80ma 、8a 1000 @ 4a 、4V -
FLZ3V0B Fairchild Semiconductor FLZ3V0B -
RFQ
 ECAD 8459 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 - ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 35 µA @ 1 V 3.1 v 35オーム
FDMS8560S Fairchild Semiconductor FDMS8560S -
RFQ
 ECAD 2883 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Powertrench®、Syncfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn FDMS85 モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 3,000 nチャネル 25 v 30a（タタ）、 70a（tc） 4.5V 、10V 1.8mohm @ 30a 、10V 2.2V @ 1MA 68 NC @ 10 V ±12V 4350 PF @ 13 V - 2.5W （TA ）、65W（TC）
EGP30K Fairchild Semiconductor EGP30K 0.2800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-201ad、軸 標準 DO-201AD ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 800 V 1.7 V @ 3 a 75 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜150°C 3a 75pf @ 4V、1MHz
KST4401MTF Fairchild Semiconductor KST4401MTF -
RFQ
 ECAD 6828 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 7,639 40 v 600 Ma 100NA npn 750mv @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma、1V 250MHz
2N5551YTA Fairchild Semiconductor 2N5551YTA -
RFQ
 ECAD 5782 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 160 v 600 Ma - npn 200mV @ 5MA 、50mA 180 @ 10ma 、5v 100MHz
TN2907A Fairchild Semiconductor TN2907A 0.2700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW TO-226-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 1,500 60 V 800 Ma 10na （icbo） PNP 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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