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離散半導体製品（5251）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
FLZ3V0B	-	RFQ	8459	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±3％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80			500 MW	SOD-80	-	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0050	2,500															1.2 V @ 200 mA		35 µA @ 1 V									3.1 v	35オーム
FDMS8560S	-	RFQ	2883	フェアチャイルド半導体	Powertrench®、Syncfet™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	FDMS85	モスフェット（金属酸化物）		8-PQFN	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	0000.00.0000	3,000			nチャネル	25 v	30a（タタ）、 70a（tc）	4.5V 、10V	1.8mohm @ 30a 、10V	2.2V @ 1MA	68 NC @ 10 V	±12V	4350 PF @ 13 V	-	2.5W （TA ）、65W（TC）
EGP30K	0.2800	RFQ	5	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸		標準		DO-201AD	ダウンロード					ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns												800 V	1.7 V @ 3 a	75 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	3a	75pf @ 4V、1MHz
KST4401MTF	-	RFQ	6828	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-	表面マウント	TO-236-3			350 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	7,639																					40 v	600 Ma			100NA			npn	750mv @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma、1V	250MHz
2N5551YTA	-	RFQ	5782	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	to-226-3			625 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	2,000																					160 v	600 Ma			-			npn	200mV @ 5MA 、50mA	180 @ 10ma 、5v	100MHz
TN2907A	0.2700	RFQ	10	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3			625 MW	TO-226-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0095	1,500																					60 V	800 Ma			10na （icbo）			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
FDMS8670AS	0.8000	RFQ	22	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn		モスフェット（金属酸化物）		8-PQFN	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル	30 V	23a	4.5V 、10V	3mohm @ 23a 、10V	3V @ 1MA	55 NC @ 10 V	±20V	3615 PF @ 15 V	-	2.5W （TA ）、78W（TC）
FDS8672S	0.9800	RFQ	363	フェアチャイルド半導体	Powertrench®、Syncfet™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		モスフェット（金属酸化物）		8-SOIC	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	307			nチャネル	30 V	18a（ta）	4.5V 、10V	4.8mohm @ 18a 、10v	3V @ 1MA	41 NC @ 10 V	±20V	2670 PF @ 15 V	-	2.5W
FDS6986S	0.5000	RFQ	135	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	FDS69	モスフェット（金属酸化物）	900MW	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0095	2,500	2 nチャンネル（デュアル）			30V	6.5a 、7.9a		29mohm @ 6.5a	3V @ 250µA、3V @ 1MA	9NC @ 5V、16NC @ 5V		695pf @ 10V 、1233pf @ 10V	ロジックレベルゲート
1N5261B	1.8600	RFQ	137	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	162															1.2 V @ 200 mA		100 Na @ 36 V									47 v	105オーム
FDFMA3P029Z	0.2500	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	6-wdfn露出パッド		モスフェット（金属酸化物）		6-MLP （2x2）	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			pチャネル	30 V	3.3a（ta）		87mohm @ 3.3a 、10V	3V @ 250µA	10 NC @ 10 V		435 PF @ 15 V	ショットキーダイオード（分離）	1.4W
FQI7P06TU	0.4100	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads		モスフェット（金属酸化物）		i2pak（to-262）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	1,000			pチャネル	60 V	7a（tc）	10V	410mohm @ 3.5a 、10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±25V	295 PF @ 25 V	-	3.75W （TA ）、45W（TC）
FDMA291P	1.0000	RFQ	6897	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	6-wdfn露出パッド		モスフェット（金属酸化物）		6- マイクロフェット（2x2）	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			pチャネル	20 v	6.6a（ta）	1.8V 、4.5V	42mohm @ 6.6a 、4.5V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 v	±8V	1000 pf @ 10 V	-	2.4W
ksc1187ybu	1.0000	RFQ	8905	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3			250 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	1,000																					20 v	30 Ma			100na（icbo）			npn	-	120 @ 2MA 、10V	700MHz
FDS8876	0.5000	RFQ	562	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		モスフェット（金属酸化物）		8-SOIC	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			nチャネル	30 V	12.5a（ta）	4.5V 、10V	8.2mohm @ 12.5a 、10V	2.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1650 PF @ 15 V	-	2.5W
FDMS0312S	0.2300	RFQ	3	フェアチャイルド半導体	Powertrench®、Syncfet™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn		モスフェット（金属酸化物）		8-PQFN	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1,398			nチャネル	30 V	19a（タタ）、42a（tc）	4.5V 、10V	4.9mohm @ 18a 、10V	3V @ 1MA	46 NC @ 10 V	±20V	2820 PF @ 15 V	-	2.5W
IRFW730BTM	0.6400	RFQ	12	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル	400 V	5.5a（tc）	10V	1OHM @ 2.75A 、10V	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 v	-	3.13W （TA ）、73W（TC）
SS35	1.0000	RFQ	7093	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc		ショットキー		smc（do-214ab）	ダウンロード					ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns												50 v	750 mV @ 3 a		500 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	3a	-
PN200A-FS	0.1000	RFQ	17	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3			625 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1																					45 v	500 Ma			50NA			PNP	400MV @ 20MA 、200mA	300 @ 10MA、1V	250MHz
KSC5402DTTU	0.4700	RFQ	136	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3			50 W	TO-220-3	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-KSC5402DTTU-600039			1																					450 v	2 a			100µA			npn	750mv @ 200ma、1a	6 @ 1a、1V	11MHz
MMBT5401-FS	0.0300	RFQ	37	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			350 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	10,000																					150 v	600 Ma			50na（icbo）			PNP	500MV @ 5MA 、50mA	60 @ 10ma 、5v	300MHz
S3D	-	RFQ	3173	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	S3D	標準		smc（do-214ab）	ダウンロード					ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns												200 v	1.15 V @ 3 a	1.5 µs	5 µA @ 200 V	-50°C〜150°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
fqpf8n60cydtu	1.0500	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3 フルパック、形成されたリード		モスフェット（金属酸化物）		TO-220F-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	50			nチャネル	600 V	7.5a	10V	1.2OHM @ 3.75A 、10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1255 PF @ 25 V	-	48W （TC）
2SA1708T-AN-FS	0.2000	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	SC-71	2SA1708		1 W	3-NMP	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1																									100na（icbo）				600mv @ 40ma 、400ma	200 @ 100MA 、10V	120MHz
FJY4003R	0.0200	RFQ	7822	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止			表面マウント	SC-89 、SOT-490	FJY400		200 MW	SOT-523F	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	3,000																					50 v	100 Ma			100na（icbo）			pnp-前バイアス	300MV @ 500µA 、10mA	56 @ 5MA 、5V	250 MHz	22 Kohms	22 Kohms
SSP1N60B	0.1500	RFQ	3	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）		TO-220	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル	600 V	1a（tc）	10V	12OHM @ 500MA 、10V	4V @ 250µA	7.7 NC @ 10 V	±30V	215 PF @ 25 V	-	34W （TC）
FQD17N08LTM	-	RFQ	5387	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）		TO-252-3	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			nチャネル	80 v	12.9a	5V、10V	100mohm @ 6.45a 、10V	2V @ 250µA	11.5 NC @ 5 V	±20V	520 PF @ 25 V	-	2.5W （TA）、40W（TC）
FLZ12VB	0.0200	RFQ	1854年年	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±3％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80			500 MW	SOD-80	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0050	10,000															1.2 V @ 200 mA		133 na @ 9 v									11.7 v	9.5オーム
DFB2010	1.3600	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、TS-6p		標準		TS-6P	ダウンロード					ear99	8541.10.0080	240															1.1 V @ 20 a		10 µA @ 50 V		20 a				単相	100 V
MPS751	0.1400	RFQ	8	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3			625 MW	to-92-3	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	2,319																					60 V	2 a			100na（icbo）			PNP	500MV @ 200MA 、2a	75 @ 1a 、2V	75MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²