画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N749ATR | 0.0200 | ![]() | 67 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 4.3 v | 22オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS6518 | - | ![]() | 6828 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 3,365 | 40 v | 200 ma | 500na(icbo) | PNP | 500MV @ 5MA 、50mA | 150 @ 2MA 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC546A | 0.0500 | ![]() | 3700 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 5,831 | 65 v | 100 Ma | 15NA | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 110 @ 2MA 、5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC33825BU | 0.0200 | ![]() | 9649 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 4,380 | 25 v | 800 Ma | 100NA | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 160 @ 100MA、1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD675AS | 0.3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-225AA、to-126-3 | BD675 | 40 W | TO-126-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 45 v | 4 a | 500µA | npn-ダーリントン | 2.8V @ 40ma 、2a | 750 @ 2a、3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C15 | - | ![]() | 3401 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 300 MW | SOT23-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 50 Na @ 10.5 v | 15 V | 30オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSB660 | 0.0900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 500 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 60 V | 2 a | 100na(icbo) | PNP | 350MV @ 200MA 、2a | 100 @ 500MA 、2V | 75MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | hufa76407d3s | 0.2300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 60 V | 12a(tc) | 4.5V 、10V | 92mohm @ 13a 、10V | 3V @ 250µA | 11.3 NC @ 10 V | ±16V | 350 PF @ 25 V | - | 38W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BS170-D26Z | 0.1000 | ![]() | 172 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | モスフェット(金属酸化物) | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0095 | 3,406 | nチャネル | 60 V | 500ma(ta) | 10V | 5OHM @ 200MA 、10V | 3V @ 1MA | ±20V | 40 pf @ 10 v | - | 830MW | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP42B | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | 2 W | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 6 a | 700µA | PNP | 1.5V @ 600MA 、6a | 15 @ 3a 、4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF19N10L | 0.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 100 V | 13.6a | 5V、10V | 100mohm @ 6.8a 、10V | 2V @ 250µA | 18 NC @ 5 V | ±20V | 870 PF @ 25 V | - | 38W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4739A-T50A | 0.0500 | ![]() | 24 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 6,411 | 10 µA @ 7 V | 9.1 v | 5オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA90N30TU | 1.1500 | ![]() | 891 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | 標準 | 219 W | to-3p | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - | - | 300 V | 90 a | 220 a | 1.4V @ 15V 、20a | - | 87 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGI3236 | 1.2300 | ![]() | 82 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB65N06TM | 0.8800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 60 V | 65a(tc) | 10V | 16mohm @ 32.5a 、10V | 4V @ 250µA | 65 NC @ 10 V | ±25V | 2410 pf @ 25 v | - | 3.75W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA65 | 0.0400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 7,942 | 30 V | 500 Ma | 100na(icbo) | pnp-ダーリントン | 1.5V @ 100µA 、100mA | 20000 @ 100MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC860BMTF | - | ![]() | 4952 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | BC860 | 310 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 45 v | 100 Ma | 15NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 200 @ 2MA 、5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB521S30T5G | - | ![]() | 3609 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | ショットキー | SOD-523 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 500 mV @ 200 mA | 30 µA @ 10 V | -55°C〜125°C | 200mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4447TR | 0.0200 | ![]() | 28 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 標準回復> 500ns | 100 V | 175°C (最大) | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP112 | - | ![]() | 4968 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 2 W | TO-220-3 | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けた | 2156-TIP112-600039 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 2 a | 2MA | npn-ダーリントン | 2.5V @ 8MA 、2a | 1000 @ 1a 、4V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB2532 | 1.0000 | ![]() | 3378 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | FDB253 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nチャネル | 150 v | 8a(タタ)、 79a | 6V 、10V | 16mohm @ 33a 、10V | 4V @ 250µA | 107 NC @ 10 V | ±20V | 5870 PF @ 25 V | - | 310W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDW2601NZ | 0.4000 | ![]() | 3463 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | FDW26 | モスフェット(金属酸化物) | 1.6W | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 26 | 2 nチャネル(デュアル)共通ドレイン | 30V | 8.2a | 15mohm @ 8.2a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 30NC @ 4.5V | 1840pf @ 15V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB907TU | - | ![]() | 7854 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-251-3 | 15 W | i-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,347 | 40 v | 3 a | 20µa(icbo) | pnp-ダーリントン | 1.5V @ 4MA 、2a | 1000 @ 3a 、2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG1G150US60L | 51.0200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | モジュール | 595 w | 標準 | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングル | - | 600 V | 150 a | 2.7V @ 15V 、150a | 250 µA | いいえ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5241B | 0.0200 | ![]() | 39 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ52 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 961 | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 8.4 v | 11 v | 22オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FLZ20VB | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1.2 V @ 200 mA | 133 Na @ 15 V | 19.1 v | 23.5オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMJ1023PZ | 0.3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-wfdfn露出パッド | FDMJ1023 | モスフェット(金属酸化物) | 700mw | SC-75 、マイクロフェット | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 20V | 2.9a | 112mohm @ 2.9a 、4.5V | 1V @ 250µA | 6.5NC @ 4.5V | 400pf @ 10V | ロジックレベルゲート | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSH31TF | 0.2300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | 1.56 w | TO-252 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-ksh31tf | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 3 a | 50µA | npn | 1.2V @ 375MA、3a | 25 @ 1a 、4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP5027RTU | - | ![]() | 2330 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | TO-220-3 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-FJP5027RTU-600039 | 1 | 10µa(icbo) | npn | 2V @ 300MA 、1.5a | 10 @ 200ma 、5v | 15MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC81816MTF | 1.0000 | ![]() | 6249 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 310 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 25 v | 800 Ma | 100NA | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 100 @ 100MA、1V | 100MHz |
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