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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） vce（on max） @ vge ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
RB521S30T5G Fairchild Semiconductor RB521S30T5G -
RFQ
 ECAD 3609 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 ショットキー SOD-523 ダウンロード ear99 8541.10.0070 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 500 mV @ 200 mA 30 µA @ 10 V -55°C〜125°C 200mA -
1N4447TR Fairchild Semiconductor 1N4447TR 0.0200
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0070 15,000 標準回復> 500ns 100 V 175°C （最大） - -
TIP112 Fairchild Semiconductor TIP112 -
RFQ
 ECAD 4968 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 2 W TO-220-3 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けた 2156-TIP112-600039 ear99 8541.29.0095 1 100 V 2 a 2MA npn-ダーリントン 2.5V @ 8MA 、2a 1000 @ 1a 、4V -
FDB2532 Fairchild Semiconductor FDB2532 1.0000
RFQ
 ECAD 3378 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 FDB253 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 150 v 8a（タタ）、 79a 6V 、10V 16mohm @ 33a 、10V 4V @ 250µA 107 NC @ 10 V ±20V 5870 PF @ 25 V - 310W
FDW2601NZ Fairchild Semiconductor FDW2601NZ 0.4000
RFQ
 ECAD 3463 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C （TJ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） FDW26 モスフェット（金属酸化物） 1.6W 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 26 2 nチャネル（デュアル）共通ドレイン 30V 8.2a 15mohm @ 8.2a 、4.5V 1.5V @ 250µA 30NC @ 4.5V 1840pf @ 15V ロジックレベルゲート
KSB907TU Fairchild Semiconductor KSB907TU -
RFQ
 ECAD 7854 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-251-3 15 W i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,347 40 v 3 a 20µa（icbo） pnp-ダーリントン 1.5V @ 4MA 、2a 1000 @ 3a 、2V -
FMG1G150US60L Fairchild Semiconductor FMG1G150US60L 51.0200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール 595 w 標準 - ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 シングル - 600 V 150 a 2.7V @ 15V 、150a 250 µA いいえ
MMBZ5241B Fairchild Semiconductor MMBZ5241B 0.0200
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 961 900 mV @ 10 Ma 2 µA @ 8.4 v 11 v 22オーム
FLZ20VB Fairchild Semiconductor FLZ20VB 0.0200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 15,000 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 15 V 19.1 v 23.5オーム
FDMJ1023PZ Fairchild Semiconductor FDMJ1023PZ 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C （TJ 表面マウント 6-wfdfn露出パッド FDMJ1023 モスフェット（金属酸化物） 700mw SC-75 、マイクロフェット ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 2.9a 112mohm @ 2.9a 、4.5V 1V @ 250µA 6.5NC @ 4.5V 400pf @ 10V ロジックレベルゲート
KSH31TF Fairchild Semiconductor KSH31TF 0.2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 1.56 w TO-252 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-ksh31tf ear99 8541.29.0095 1 40 v 3 a 50µA npn 1.2V @ 375MA、3a 25 @ 1a 、4V 3MHz
FJP5027RTU Fairchild Semiconductor FJP5027RTU -
RFQ
 ECAD 2330 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TO-220-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-FJP5027RTU-600039 1 10µa（icbo） npn 2V @ 300MA 、1.5a 10 @ 200ma 、5v 15MHz
BC81816MTF Fairchild Semiconductor BC81816MTF 1.0000
RFQ
 ECAD 6249 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 310 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 25 v 800 Ma 100NA npn 700mv @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA、1V 100MHz
FDB0250N807L Fairchild Semiconductor FDB0250N807L 1.0000
RFQ
 ECAD 9916 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C （TJ 表面マウント TO-263-7 モスフェット（金属酸化物） TO-263-7 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 80 v 240a 8V 、10V 2.2mohm @ 30a 、10V 4V @ 250µA 200 NC @ 10 V ±20V 15400 PF @ 40 V - 3.8W
FQP14N15 Fairchild Semiconductor FQP14N15 1.0000
RFQ
 ECAD 8339 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 150 v 14.4a 10V 210mohm @ 7.2a 、10V 4V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±25V 715 PF @ 25 V - 104W
SSR4N60BTM Fairchild Semiconductor SSR4N60BTM 1.0000
RFQ
 ECAD 6413 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C （TJ 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 2.8a（tc） 10V 2.5OHM @ 1.4A 、10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±30V 920 PF @ 25 V - 2.5W
SI6466DQ Fairchild Semiconductor SI6466DQ 0.2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C （TJ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） モスフェット（金属酸化物） 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 20 v 7.8a（ta） 2.5V 、4.5V 15mohm @ 7.8a 、4.5V 1.5V @ 250µA 20 NC @ 4.5 v ±12V 1320 pf @ 10 v - 1.1W
FDG326P Fairchild Semiconductor FDG326P 0.0900
RFQ
 ECAD 524 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C （TJ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 モスフェット（金属酸化物） SC-88 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 1.5a（ta） 1.8V 、4.5V 140mohm @ 1.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 7 NC @ 4.5 v ±8V 467 PF @ 10 V - 750MW
SCH1331-TL-W Fairchild Semiconductor SCH1331-TL-W 0.1200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 モスフェット（金属酸化物） SOT-563/SCH6 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-SCH1331-TL-W-600039 1 pチャネル 12 v 3a（ta） 1.5V 、4.5V 84mohm @ 1.5a 、4.5V 1.3V @ 1MA 5.6 NC @ 4.5 v ±10V 405 PF @ 6 V - 1W
S210 Fairchild Semiconductor S210 0.3300
RFQ
 ECAD 571 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB ショットキー do-214aa ダウンロード ear99 8541.10.0080 915 高速回復= <500ns 100 V 850 mV @ 2 a 400 µA @ 100 V -65°C〜125°C 2a -
FDP79N15 Fairchild Semiconductor FDP79N15 3.3100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C （TJ 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 150 v 79a（tc） 10V 30mohm @ 39.5a 、10V 5V @ 250µA 73 NC @ 10 V ±30V 3410 PF @ 25 V - 463W （TC）
MJD47TF-FS Fairchild Semiconductor MJD47TF-FS 0.3400
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜150°C 表面マウント to-252-3 MJD47 1.56 w TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 2,000 200µA npn 1V @ 200MA、1a 30 @ 300MA 、10V 10MHz
FQD3N60TF Fairchild Semiconductor FQD3N60TF 0.5700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C （TJ 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 2.4a（tc） 10V 3.6OHM @ 1.2A 、10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 450 pf @ 25 v - 2.5W （TA ）、50W（TC）
FMG2G300US60 Fairchild Semiconductor FMG2G300US60 -
RFQ
 ECAD 5459 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント 午後7時 892 w 標準 午後7時 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 10 ハーフブリッジ - 600 V 300 a 2.7V @ 15V 、300A 250 µA いいえ
FLZ39VB Fairchild Semiconductor FLZ39VB 0.0200
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 30 V 36.3 v 72オーム
BCW60D Fairchild Semiconductor BCW60D 1.0000
RFQ
 ECAD 7088 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 - 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 32 v 100 Ma 20na npn 550MV @ 1.25MA 、50mA 380 @ 2MA 、5V 125MHz
GBPC3501W Fairchild Semiconductor GBPC3501W 1.0000
RFQ
 ECAD 8739 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜150°C 穴を通して 4平方、GBPC-W 標準 GBPC-W ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 17.5 a 5 µA @ 100 V 35 a 単相 100 V
1N748A Fairchild Semiconductor 1N748A 1.9300
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 156 1.5 V @ 200 mA 10 µA @ 1 V 3.9 v 23オーム
KSP14TA Fairchild Semiconductor KSP14TA 0.0500
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 500 Ma 100na（icbo） npn-ダーリントン 1.5V @ 100µA 、100mA 20000 @ 100MA 、5V 125MHz
RURD420S9A Fairchild Semiconductor rurd420S9a 0.4600
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-RURD420S9A-600039 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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