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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在 電圧 電圧 -分離 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1)
BZX79C3V0 Fairchild Semiconductor BZX79C3V0 0.0200
RFQ
ECAD 111 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BZX79C3 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 MA 50 µA @ 1 V 3 v 95オーム
KSA992FTA Fairchild Semiconductor KSA992FTA 0.0500
RFQ
ECAD 6133 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 2,000 120 v 50 Ma 1µA PNP 300MV @ 1MA 、10ma 300 @ 1MA 、6V 100MHz
FSBM15SM60A Fairchild Semiconductor FSBM15SM60A 19.8200
RFQ
ECAD 126 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SPM® バルク アクティブ 穴を通して 32-POWERDIP モジュール(1.370 "、34.80mm) IGBT ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 48 3フェーズ 15 a 600 V 2500VRMS
BC548ATA Fairchild Semiconductor BC548ATA 0.0200
RFQ
ECAD 4991 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,432 30 V 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 110 @ 2MA 、5V 300MHz
KSB772OS Fairchild Semiconductor KSB772OS 0.1000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-225AA、to-126-3 1 W TO-126-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 250 30 V 3 a 1µa(icbo) PNP 500MV @ 200MA 、2a 100 @ 1a 、2V 80MHz
BC639 Fairchild Semiconductor BC639 -
RFQ
ECAD 3093 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C (TJ 穴を通して to-226-3 625 MW to-92(to-226) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 80 v 1 a 100na(icbo) npn 500MV @ 50MA 、500MA 40 @ 150ma 、2V 200MHz
MBR1645 Fairchild Semiconductor MBR1645 1.0000
RFQ
ECAD 1491 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SwitchMode™ バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 MBR1645 ショットキー TO-220-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 45 v 630 mv @ 16 a 1 MA @ 45 v -65°C〜175°C 16a 1400pf @ 5V、1MHz
IRF9540 Fairchild Semiconductor IRF9540 1.2500
RFQ
ECAD 750 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けた 2156-IRF9540-600039 1 pチャネル 100 V 19a(tc) 10V 200mohm @ 11a 、10V 4V @ 250µA 61 NC @ 10 V ±20V 1400 PF @ 25 V - 150W
BZX55C6V2 Fairchild Semiconductor BZX55C6V2 0.0400
RFQ
ECAD 86 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 MA 100 Na @ 2 V 6.2 v 10オーム
BC857S Fairchild Semiconductor BC857S -
RFQ
ECAD 2842 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C (TJ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 BC857 300MW SC-88 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 45V 200mA 15NA 2 PNP (デュアル) 650mv @ 5ma 、100ma 125 @ 2MA 、5V 200MHz
FDZ2553NZ Fairchild Semiconductor FDZ2553NZ 0.6000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C (TJ 表面マウント 18-wfbga FDZ25 モスフェット(金属酸化物) 2.1W 18-bga (2.5x4) ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル(デュアル) 20V 9.6a 14mohm @ 9.6a 、4.5V 1.5V @ 250µA 18NC @ 5V 1240pf @ 10V ロジックレベルゲート
FDB7045L Fairchild Semiconductor FDB7045L 4.0500
RFQ
ECAD 120 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 30 V 100A (TJ) 4.5V 、10V 4.5mohm @ 50a 、10V 3V @ 250µA 58 NC @ 5 V ±20V 4357 PF @ 15 V - 107w
KSC838YBU Fairchild Semiconductor ksc838ybu 0.0300
RFQ
ECAD 1327 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 250 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 9,744 30 V 30 Ma 100na(icbo) npn 400MV @ 1MA 、10MA 120 @ 2MA、12V 250MHz
FSBS15CH60 Fairchild Semiconductor FSBS15CH60 14.7800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 モーションSPM®3 バルク アクティブ 穴を通して 27-POWERDIP モジュール(1.205 "、30.60mm) IGBT ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けた ear99 8542.39.0001 21 3相インバーター 15 a 600 V 2500VRMS
HUF75542S3S Fairchild Semiconductor HUF75542S3S 1.5900
RFQ
ECAD 400 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak(to-263) ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 80 v 75a(tc) 10V 14mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 180 NC @ 20 V ±20V 2750 PF @ 25 V - 230W
BC557ATA Fairchild Semiconductor BC557ATA 0.0400
RFQ
ECAD 145 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 to-92-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 7,322 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 110 @ 2MA 、5V 150MHz
RS1DFA Fairchild Semiconductor RS1DFA 0.0700
RFQ
ECAD 9184 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント SOD-123W RS1D 標準 SOD-123FA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 658 高速回復= <500ns 200 v 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C 800mA 10pf @ 4V、1MHz
KSA614O Fairchild Semiconductor KSA614O 1.0000
RFQ
ECAD 8695 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 25 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 200 55 v 3 a 50µa(icbo) PNP 500MV @ 100MA、1a 70 @ 500MA 、5V -
BC548CTA Fairchild Semiconductor BC548CTA 0.0400
RFQ
ECAD 22 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 8,266 30 V 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 420 @ 2MA 、5V 300MHz
FQPF7N20 Fairchild Semiconductor FQPF7N20 0.3100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C (TJ 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット(金属酸化物) TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 200 v 4.8a(tc) 10V 690mohm @ 2.4a 、10V 5V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±30V 400 pf @ 25 V - 37W (TC)
FDP12N50NZ Fairchild Semiconductor FDP12N50NZ -
RFQ
ECAD 9483 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C (TJ 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 500 V 11.5a 10V 520MOHM @ 5.75A 、10V 5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±25V 1235 PF @ 25 V - 170W
FDS7066ASN3 Fairchild Semiconductor FDS7066ASN3 1.1900
RFQ
ECAD 623 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C (TJ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) モスフェット(金属酸化物) 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 19a(ta) 4.5V 、10V 4.8mohm @ 19a 、10V 3V @ 1MA 62 NC @ 10 V ±20V 2460 PF @ 15 V - 3w
DFB2005 Fairchild Semiconductor DFB2005 1.3600
RFQ
ECAD 600 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C (TJ 穴を通して 4-sip、TS-6p 標準 TS-6P ダウンロード ear99 8541.10.0080 240 1.1 V @ 20 a 10 µA @ 50 V 20 a 単相 50 v
FSB50550T Fairchild Semiconductor FSB50550T 10.5600
RFQ
ECAD 410 0.00000000 フェアチャイルド半導体 spm®5 バルク アクティブ 穴を通して 23-powerdip モジュール(0.748 "、19.00mm) モスフェット FSB505 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けた ear99 8542.39.0001 29 3フェーズ 1.8 a 500 V 1500VRMS
FJN3310RBU Fairchild Semiconductor FJN3310RBU 1.0000
RFQ
ECAD 2532 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 FJN331 300 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,000 40 v 100 Ma 100na(icbo) npn-バイアス化 300MV @ 1MA 、10ma 100 @ 1MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
BSR13 Fairchild Semiconductor BSR13 1.0000
RFQ
ECAD 5723 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C (TJ 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 500 Ma 30NA npn 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 250MHz
BC307CBU Fairchild Semiconductor BC307CBU 0.0200
RFQ
ECAD 1289 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 629 45 v 100 Ma 15na PNP 500MV @ 5MA 、100mA 380 @ 2MA 、5V 130MHz
FFP06U20DNTU Fairchild Semiconductor FFP06U20DNTU 0.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 標準 TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 6a 1.2 V @ 6 a 35 ns 6 µA @ 200 V -65°C〜150°C
ISL9R18120G2 Fairchild Semiconductor ISL9R18120G2 1.0000
RFQ
ECAD 2861 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Stealth™ バルク アクティブ 穴を通して TO-247-2 標準 TO-247-2 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 高速回復= <500ns 1200 v 3.3 V @ 18 a 70 ns 100 µA @ 1200 V -55°C〜150°C 18a -
FLZ20VA Fairchild Semiconductor flz20va 1.0000
RFQ
ECAD 8727 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3% -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 15 V 18.5 v 23.5オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫