画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在 | 電圧 | 電圧 -分離 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX79C3V0 | 0.0200 | ![]() | 111 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79C3 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 MA | 50 µA @ 1 V | 3 v | 95オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA992FTA | 0.0500 | ![]() | 6133 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 120 v | 50 Ma | 1µA | PNP | 300MV @ 1MA 、10ma | 300 @ 1MA 、6V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBM15SM60A | 19.8200 | ![]() | 126 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | SPM® | バルク | アクティブ | 穴を通して | 32-POWERDIP モジュール(1.370 "、34.80mm) | IGBT | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 48 | 3フェーズ | 15 a | 600 V | 2500VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC548ATA | 0.0200 | ![]() | 4991 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,432 | 30 V | 100 Ma | 15NA | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 110 @ 2MA 、5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB772OS | 0.1000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-225AA、to-126-3 | 1 W | TO-126-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 30 V | 3 a | 1µa(icbo) | PNP | 500MV @ 200MA 、2a | 100 @ 1a 、2V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC639 | - | ![]() | 3093 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92(to-226) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 80 v | 1 a | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 50MA 、500MA | 40 @ 150ma 、2V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR1645 | 1.0000 | ![]() | 1491 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | SwitchMode™ | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | MBR1645 | ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 45 v | 630 mv @ 16 a | 1 MA @ 45 v | -65°C〜175°C | 16a | 1400pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF9540 | 1.2500 | ![]() | 750 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けた | 2156-IRF9540-600039 | 1 | pチャネル | 100 V | 19a(tc) | 10V | 200mohm @ 11a 、10V | 4V @ 250µA | 61 NC @ 10 V | ±20V | 1400 PF @ 25 V | - | 150W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C6V2 | 0.0400 | ![]() | 86 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±6% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 MA | 100 Na @ 2 V | 6.2 v | 10オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857S | - | ![]() | 2842 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | BC857 | 300MW | SC-88 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 45V | 200mA | 15NA | 2 PNP (デュアル) | 650mv @ 5ma 、100ma | 125 @ 2MA 、5V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDZ2553NZ | 0.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | 18-wfbga | FDZ25 | モスフェット(金属酸化物) | 2.1W | 18-bga (2.5x4) | ダウンロード | ROHS非準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 20V | 9.6a | 14mohm @ 9.6a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 18NC @ 5V | 1240pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB7045L | 4.0500 | ![]() | 120 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 30 V | 100A (TJ) | 4.5V 、10V | 4.5mohm @ 50a 、10V | 3V @ 250µA | 58 NC @ 5 V | ±20V | 4357 PF @ 15 V | - | 107w | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ksc838ybu | 0.0300 | ![]() | 1327 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 250 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 9,744 | 30 V | 30 Ma | 100na(icbo) | npn | 400MV @ 1MA 、10MA | 120 @ 2MA、12V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBS15CH60 | 14.7800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | モーションSPM®3 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 27-POWERDIP モジュール(1.205 "、30.60mm) | IGBT | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 21 | 3相インバーター | 15 a | 600 V | 2500VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75542S3S | 1.5900 | ![]() | 400 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 80 v | 75a(tc) | 10V | 14mohm @ 75a 、10V | 4V @ 250µA | 180 NC @ 20 V | ±20V | 2750 PF @ 25 V | - | 230W | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC557ATA | 0.0400 | ![]() | 145 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 7,322 | 15NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 110 @ 2MA 、5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1DFA | 0.0700 | ![]() | 9184 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-123W | RS1D | 標準 | SOD-123FA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 658 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA614O | 1.0000 | ![]() | 8695 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 25 W | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 200 | 55 v | 3 a | 50µa(icbo) | PNP | 500MV @ 100MA、1a | 70 @ 500MA 、5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC548CTA | 0.0400 | ![]() | 22 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 8,266 | 30 V | 100 Ma | 15NA | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 420 @ 2MA 、5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF7N20 | 0.3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 200 v | 4.8a(tc) | 10V | 690mohm @ 2.4a 、10V | 5V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ±30V | 400 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP12N50NZ | - | ![]() | 9483 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nチャネル | 500 V | 11.5a | 10V | 520MOHM @ 5.75A 、10V | 5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±25V | 1235 PF @ 25 V | - | 170W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7066ASN3 | 1.1900 | ![]() | 623 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 19a(ta) | 4.5V 、10V | 4.8mohm @ 19a 、10V | 3V @ 1MA | 62 NC @ 10 V | ±20V | 2460 PF @ 15 V | - | 3w | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DFB2005 | 1.3600 | ![]() | 600 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 1.1 V @ 20 a | 10 µA @ 50 V | 20 a | 単相 | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSB50550T | 10.5600 | ![]() | 410 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | spm®5 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 23-powerdip モジュール(0.748 "、19.00mm) | モスフェット | FSB505 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 29 | 3フェーズ | 1.8 a | 500 V | 1500VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJN3310RBU | 1.0000 | ![]() | 2532 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | TO-226-3 | FJN331 | 300 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 40 v | 100 Ma | 100na(icbo) | npn-バイアス化 | 300MV @ 1MA 、10ma | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSR13 | 1.0000 | ![]() | 5723 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 500 Ma | 30NA | npn | 1.6V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC307CBU | 0.0200 | ![]() | 1289 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 629 | 45 v | 100 Ma | 15na | PNP | 500MV @ 5MA 、100mA | 380 @ 2MA 、5V | 130MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFP06U20DNTU | 0.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 6a | 1.2 V @ 6 a | 35 ns | 6 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9R18120G2 | 1.0000 | ![]() | 2861 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Stealth™ | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.3 V @ 18 a | 70 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 18a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | flz20va | 1.0000 | ![]() | 8727 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 133 Na @ 15 V | 18.5 v | 23.5オーム |
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