画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在 | 電圧 | 電圧 -分離 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FSB50550T | 10.5600 | ![]() | 410 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | spm®5 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 23-powerdip モジュール(0.748 "、19.00mm) | モスフェット | FSB505 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 29 | 3フェーズ | 1.8 a | 500 V | 1500VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJN3310RBU | 1.0000 | ![]() | 2532 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | TO-226-3 | FJN331 | 300 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 40 v | 100 Ma | 100na(icbo) | npn-バイアス化 | 300MV @ 1MA 、10ma | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSR13 | 1.0000 | ![]() | 5723 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 500 Ma | 30NA | npn | 1.6V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC307CBU | 0.0200 | ![]() | 1289 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 629 | 45 v | 100 Ma | 15na | PNP | 500MV @ 5MA 、100mA | 380 @ 2MA 、5V | 130MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFP06U20DNTU | 0.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 6a | 1.2 V @ 6 a | 35 ns | 6 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9R18120G2 | 1.0000 | ![]() | 2861 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Stealth™ | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.3 V @ 18 a | 70 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 18a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | flz20va | 1.0000 | ![]() | 8727 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 133 Na @ 15 V | 18.5 v | 23.5オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSH122TF | - | ![]() | 8567 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | 1.75 w | TO-252-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 0000.00.0000 | 2,000 | 100 V | 8 a | 10µA | npn-ダーリントン | 4V @ 80ma 、8a | 1000 @ 4a 、4V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z4V7C | 0.0300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1 V @ 10 mA | 2.7 µA @ 2 V | 4.7 v | 75オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6670S | 0.9600 | ![]() | 28 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 13.5a | 4.5V 、10V | 9mohm @ 13.5a 、10V | 3V @ 1MA | 34 NC @ 5 V | ±20V | 2674 PF @ 15 V | - | 1W | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGH40N60SFTU | 2.4800 | ![]() | 13 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 122 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFW610BTM | 1.0000 | ![]() | 5820 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 200 v | 3.3a(tc) | 10V | 1.5OHM @ 1.65A 、10V | 4V @ 250µA | 9.3 NC @ 10 V | ±30V | 225 PF @ 25 V | - | 3.13W | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA13 | - | ![]() | 2833 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92(to-226) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 30 V | 500 Ma | 100na(icbo) | npn-ダーリントン | 1.5V @ 100µA 、100mA | 10000 @ 100MA 、5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | flz9v1c | 1.0000 | ![]() | 7960 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 27,500 | 1.2 V @ 200 mA | 300 Na @ 6 V | 9.1 v | 6.6オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3906 | - | ![]() | 3505 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 穴を通して | TO-226-3 | 2N39 | 625 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 v | 200 ma | 50NA | PNP | 400mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 10ma、1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD1202 | - | ![]() | 6934 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | MMBD12 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 200 mA | 4 ns | 25 Na @ 100 V | 150°C (最大) | 200mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI4884DY | - | ![]() | 8699 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK4085LS-1E | 1.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3FS | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 500 V | 11a(tc) | 430mohm @ 8a 、10V | 5V @ 1MA | 46.6 NC @ 10 V | ±30V | 1200 PF @ 30 V | - | 2W (TA)、40W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | hufa76609d3st | 0.4300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 100 V | 10a(tc) | 4.5V 、10V | 160mohm @ 10a 、10V | 3V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±16V | 425 PF @ 25 V | - | 49W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FES10G | - | ![]() | 3076 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | 標準 | TO-277-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.2 V @ 10 a | 30 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 10a | 140pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9015-DBU | 0.0200 | ![]() | 6618 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 450 MW | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 9,900 | 45 v | 100 Ma | 50na(icbo) | PNP | 700MV @ 5MA 、100mA | 400 @ 1MA 、5V | 190MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSD2025TF | - | ![]() | 4169 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SSD2025 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 60V | 3.3a | 100mohm @ 3.3a 、10V | 1V @ 250µA | 30NC @ 10V | - | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||||||||||||||||||||
FSB50450 | 5.8000 | ![]() | 179 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | spm®5 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 23-POWERDIP モジュール(0.551 "、14.00mm) | モスフェット | FSB504 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3フェーズ | 1.5 a | 500 V | 1500VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fcpf7n60ydtu | 1.0100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Superfet™ | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、形成されたリード | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 600 V | 7a(tc) | 10V | 600mohm @ 3.5a 、10V | 5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±30V | 920 PF @ 25 V | - | 31W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBS15CH60AA | 13.2800 | ![]() | 82 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S2K | - | ![]() | 4949 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 標準 | SMB (DO-214AA) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 2,185 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.15 V @ 2 a | 1.5 µs | 5 µA @ 800 V | -50°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA13RA | - | ![]() | 4771 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 1.2 a | 100na(icbo) | npn-ダーリントン | 1.5V @ 100µA 、100mA | 10000 @ 100MA 、5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD127TF | 1.0000 | ![]() | 5044 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | 1.75 w | TO-252-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 100 V | 8 a | 10µA | pnp-ダーリントン | 4V @ 80ma 、8a | 1000 @ 4a 、4V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5994B | 2.0000 | ![]() | 77 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 2 µA @ 3 V | 5.6 v | 25オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS2170N7 | 2.0100 | ![]() | 23 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 200 v | 3a(ta) | 10V | 128mohm @ 3a 、10V | 4.5V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ±20V | 1292 PF @ 100 V | - | 3w |
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