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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在 電圧 電圧 -分離 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1）
BZX79C24 Fairchild Semiconductor BZX79C24 0.0200
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 MA 50 Na @ 16.8 v 24 v 70オーム
FDD6680A Fairchild Semiconductor FDD6680A 1.5300
RFQ
 ECAD 204 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 14a（タタ）、 56a（tc） 4.5V 、10V 9.5mohm @ 14a 、10V 3V @ 250µA 20 NC @ 5 V ±20V 1425 PF @ 15 V - 2.8W
FDLL400 Fairchild Semiconductor FDLL400 0.0400
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 標準 SOD-80 ダウンロード ear99 8542.39.0001 7,493 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 150 v 1.1 V @ 300 Ma 50 ns 100 Na @ 150 V 175°C （最大） 200mA 2PF @ 0V、1MHz
BSR13 Fairchild Semiconductor BSR13 1.0000
RFQ
 ECAD 5723 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 500 Ma 30NA npn 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 250MHz
BC857S Fairchild Semiconductor BC857S -
RFQ
 ECAD 2842 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 BC857 300MW SC-88 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 45V 200mA 15NA 2 PNP （デュアル） 650mv @ 5ma 、100ma 125 @ 2MA 、5V 200MHz
ISL9R18120G2 Fairchild Semiconductor ISL9R18120G2 1.0000
RFQ
 ECAD 2861 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Stealth™ バルク アクティブ 穴を通して TO-247-2 標準 TO-247-2 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 高速回復= <500ns 1200 v 3.3 V @ 18 a 70 ns 100 µA @ 1200 V -55°C〜150°C 18a -
FJN3310RBU Fairchild Semiconductor FJN3310RBU 1.0000
RFQ
 ECAD 2532 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 FJN331 300 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,000 40 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 1MA 、10ma 100 @ 1MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
FDB7045L Fairchild Semiconductor FDB7045L 4.0500
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 30 V 100A （TJ） 4.5V 、10V 4.5mohm @ 50a 、10V 3V @ 250µA 58 NC @ 5 V ±20V 4357 PF @ 15 V - 107w
FFP06U20DNTU Fairchild Semiconductor FFP06U20DNTU 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 標準 TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 6a 1.2 V @ 6 a 35 ns 6 µA @ 200 V -65°C〜150°C
BZX55C6V2 Fairchild Semiconductor BZX55C6V2 0.0400
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 MA 100 Na @ 2 V 6.2 v 10オーム
FDZ2553NZ Fairchild Semiconductor FDZ2553NZ 0.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 18-wfbga FDZ25 モスフェット（金属酸化物） 2.1W 18-bga （2.5x4） ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 9.6a 14mohm @ 9.6a 、4.5V 1.5V @ 250µA 18NC @ 5V 1240pf @ 10V ロジックレベルゲート
FSB50550T Fairchild Semiconductor FSB50550T 10.5600
RFQ
 ECAD 410 0.00000000 フェアチャイルド半導体 spm®5 バルク アクティブ 穴を通して 23-powerdip モジュール（0.748 "、19.00mm） モスフェット FSB505 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.39.0001 29 3フェーズ 1.8 a 500 V 1500VRMS
FLZ20VA Fairchild Semiconductor flz20va 1.0000
RFQ
 ECAD 8727 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 15 V 18.5 v 23.5オーム
BC307CBU Fairchild Semiconductor BC307CBU 0.0200
RFQ
 ECAD 1289 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 629 45 v 100 Ma 15na PNP 500MV @ 5MA 、100mA 380 @ 2MA 、5V 130MHz
MBR1645 Fairchild Semiconductor MBR1645 1.0000
RFQ
 ECAD 1491 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SwitchMode™ バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 MBR1645 ショットキー TO-220-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 45 v 630 mv @ 16 a 1 MA @ 45 v -65°C〜175°C 16a 1400pf @ 5V、1MHz
KSB772OS Fairchild Semiconductor KSB772OS 0.1000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 1 W TO-126-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 250 30 V 3 a 1µa（icbo） PNP 500MV @ 200MA 、2a 100 @ 1a 、2V 80MHz
BC548ATA Fairchild Semiconductor BC548ATA 0.0200
RFQ
 ECAD 4991 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,432 30 V 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 110 @ 2MA 、5V 300MHz
2N5210TF Fairchild Semiconductor 2N5210TF 0.0200
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 50 v 100 Ma 50na（icbo） npn 700MV @ 1MA 、10MA 200 @ 100µA 、5V 30MHz
IRF9540 Fairchild Semiconductor IRF9540 1.2500
RFQ
 ECAD 750 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けた 2156-IRF9540-600039 1 pチャネル 100 V 19a（tc） 10V 200mohm @ 11a 、10V 4V @ 250µA 61 NC @ 10 V ±20V 1400 PF @ 25 V - 150W
BC848A Fairchild Semiconductor BC848A 0.0800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SOT-23 バルク アクティブ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 200 MW SOT-23 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 100 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 5MA 、100mA 110 @ 2MA 、5V 100MHz
FDP14AN06LA0 Fairchild Semiconductor FDP14AN06LA0 3.0100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 60 V 10a（タタ67a（tc） 5V、10V 11.6mohm @ 67a 、10V 3V @ 250µA 31 NC @ 5 V ±20V 2900 PF @ 25 V - 125W
FQPF8P10 Fairchild Semiconductor FQPF8P10 0.3700
RFQ
 ECAD 860 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 860 pチャネル 100 V 5.3a（tc） 10V 530mohm @ 2.65a 、10V 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±30V 470 PF @ 25 V - 28W （TC）
BC639 Fairchild Semiconductor BC639 -
RFQ
 ECAD 3093 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92（to-226） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 80 v 1 a 100na（icbo） npn 500MV @ 50MA 、500MA 40 @ 150ma 、2V 200MHz
KSD261CYBU Fairchild Semiconductor KSD261CYBU 0.0300
RFQ
 ECAD 3939 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 9,000 20 v 500 Ma 100na（icbo） npn 400mv @ 50ma 、500ma 120 @ 100MA、1V -
1N977B Fairchild Semiconductor 1N977B 1.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 5 µA @ 35.8 v 47 v 105オーム
FDB3672-F085 Fairchild Semiconductor FDB3672-F085 1.0000
RFQ
 ECAD 9590 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Automotive、AEC-Q101 、PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 100 V 7.2a 6V 、10V 28mohm @ 44a 、10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 V ±20V 1710 pf @ 25 v - 120W （TC）
GBPC2502W Fairchild Semiconductor GBPC2502W 1.0000
RFQ
 ECAD 5822 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜150°C 穴を通して 4平方、GBPC-W 標準 GBPC-W ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 12.5 a 5 µA @ 200 V 25 a 単相 200 v
FCD900N60Z Fairchild Semiconductor FCD900N60Z 0.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8541.29.0095 385 nチャネル 600 V 4.5a 10V 900mohm @ 2.3a 、10V 3.5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±20V 720 PF @ 25 V - 52W
KSD1616GBU Fairchild Semiconductor KSD1616GBU 0.0500
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 750 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,000 50 v 1 a 100na（icbo） npn 300MV @ 50MA、1a 200 @ 100MA 、2V 160MHz
TIP31A Fairchild Semiconductor TIP31A -
RFQ
 ECAD 4435 0.00000000 フェアチャイルド半導体 TIP31A バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 2 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 60 V 3 a 300µA npn 1.2V @ 375MA、3a 25 @ 1a 、4V 3MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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