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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 現在 電圧 電圧 -分離 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
FQB5P10TM Fairchild Semiconductor FQB5P10TM 0.6100
RFQ
 ECAD 5646 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 27 pチャネル 100 V 4.5a 10V 1.05OHM @ 2.25A 、10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ±30V 250 PF @ 25 V - 3.75W （TA）、40W（TC）
FFAF40U60DNTU Fairchild Semiconductor FFAF40U60DNTU 1.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して to-3p-3フルパック 標準 to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 360 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 600 V 40a 2.1 V @ 40 a 110 ns 20 µA @ 600 v -65°C〜150°C
MMBT3640 Fairchild Semiconductor MMBT3640 -
RFQ
 ECAD 6693 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C （TJ 表面マウント TO-236-3 225 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 12 v 200 ma 10na PNP 600mv @ 5ma 、50ma 30 @ 10ma、300mv 500MHz
FDS9431A Fairchild Semiconductor FDS9431A -
RFQ
 ECAD 5307 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C （TJ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 pチャネル 20 v 3.5a（ta） 2.5V 、4.5V 130mohm @ 3.5a 、4.5V 1V @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 v ±8V 405 PF @ 10 V - 2.5W
HUF75545S3 Fairchild Semiconductor HUF75545S3 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 80 v 75a（tc） 10V 10mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 235 NC @ 20 V ±20V 3750 PF @ 25 V - 270W
FDMC86106LZ Fairchild Semiconductor FDMC86106LZ 0.4800
RFQ
 ECAD 4443 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C （TJ 表面マウント 8-POWERWDFN FDMC86 モスフェット（金属酸化物） 8-mlp （3.3x3.3） - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 3,000 nチャネル 100 V 3.3a 103mohm @ 3.3a 、10V 2.2V @ 250µA 6 NC @ 10 V 310 pf @ 50 v - 2.3W
FAN5009AMX Fairchild Semiconductor fan5009amx 0.3000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ fan5009 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 2,500 -
FQP44N10 Fairchild Semiconductor FQP44N10 -
RFQ
 ECAD 6890 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 100 V 43.5a 10V 39mohm @ 21.75a 、10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±25V 1800 pf @ 25 v - 146W
2SC4027T-N-TL-E Fairchild Semiconductor 2SC4027T-N-TL-E 0.2900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-2SC4027T-N-TL-E-600039 1
1N5235BTA Fairchild Semiconductor 1N5235BTA 0.0600
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ 200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000 1.1 V @ 200 mA 3 µA @ 4.8 v 6.8 v 5オーム
ISL9R1560G2-F085 Fairchild Semiconductor ISL9R1560G2-F085 -
RFQ
 ECAD 6001 0.00000000 フェアチャイルド半導体 自動車、AEC-Q101、ステルス™ バルク アクティブ 穴を通して TO-247-2 標準 TO-247-2 ダウンロード ear99 8542.39.0001 116 高速回復= <500ns 600 V 2.2 V @ 15 a 40 ns 100 µA @ 600 V -55°C〜175°C 15a -
RFD16N05SM_NL Fairchild Semiconductor RFD16N05SM_NL -
RFQ
 ECAD 2706 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 387 nチャネル 50 v 16a（tc） 10V 47mohm @ 16a 、10V 4V @ 250µA 80 NC @ 20 V ±20V 900 pf @ 25 V - 72W
BZX55C24 Fairchild Semiconductor BZX55C24 0.0600
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 MA 100 Na @ 18 V 24 v 80オーム
KSD363R Fairchild Semiconductor KSD363R 0.5300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 40 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,200 120 v 6 a 1ma npn 1V @ 100MA、1a 40 @ 1a 、5V 10MHz
FQB6N40CFTM Fairchild Semiconductor fqb6n40cftm -
RFQ
 ECAD 5098 0.00000000 フェアチャイルド半導体 FRFET™ バルク アクティブ -55°C〜150°C （TJ 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 18 nチャネル 400 V 6a（tc） 10V 1.1OHM @ 3A 、10V 4V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±30V 625 PF @ 25 V - 113W
SFU9224TU Fairchild Semiconductor SFU9224TU 0.2800
RFQ
 ECAD 273 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C （TJ 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 250 v 2.5a 10V 2.4OHM @ 1.3A 、10V 4V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±30V 540 PF @ 25 V - 2.5w
FLZ11VC Fairchild Semiconductor flz11vc 0.0200
RFQ
 ECAD 7667 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,704 1.2 V @ 200 mA 133 na @ 8 v 11 v 8.5オーム
TIP121TU Fairchild Semiconductor tip121tu 0.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 2 W TO-220-3 ダウンロード 適用できない 影響を受けていない 2156-TIP121TU-600039 ear99 8541.29.0095 1 80 v 5 a 500µA npn-ダーリントン 4V @ 20ma 、5a 1000 @ 3a 、3V -
HUFA76629D3S Fairchild Semiconductor hufa76629d3s 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 100 V 20a（tc） 4.5V 、10V 52mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±16V 1285 PF @ 25 V - 110W
BC560BTA Fairchild Semiconductor BC560BTA 1.0000
RFQ
 ECAD 7158 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 200 @ 2MA 、5V 150MHz
GF1M Fairchild Semiconductor GF1M -
RFQ
 ECAD 2560 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA GF1 標準 sma（do-214ac） ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 1000 V 1.2 V @ 1 a 2 µs 5 µA @ 1 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
KSH210TF Fairchild Semiconductor KSH210TF 0.2800
RFQ
 ECAD 513 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 1.4 w TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 2,000 25 v 5 a 100na（icbo） PNP 1.8V @ 1a 、5a 70 @ 500MA、1V 65MHz
BZX55C47 Fairchild Semiconductor BZX55C47 0.0200
RFQ
 ECAD 4407 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,000 1.3 V @ 100 MA 100 Na @ 35 V 47 v 110オーム
1N973BTR Fairchild Semiconductor 1N973BTR 0.0200
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 25.1 v 33 v 58オーム
ES1A Fairchild Semiconductor ES1A 1.0000
RFQ
 ECAD 2704 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA 標準 DO-214AC、SMA ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 50 v 920 mv @ 1 a 15 ns 5 µA @ 50 V -50°C〜150°C 1a -
SGL40N150DTU Fairchild Semiconductor SGL40N150DTU 11.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C （TJ 穴を通して TO-264-3、TO-264AA SGL40 標準 200 W HPM F2 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 25 - 300 ns - 1500 v 40 a 120 a 4.7V @ 15V 、40a - 140 NC -
FDD6035AL Fairchild Semiconductor FDD6035AL 0.4800
RFQ
 ECAD 207 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 12a（タタ）、46a（tc） 4.5V 、10V 12mohm @ 12a 、10V 3V @ 250µA 18 NC @ 5 V ±20V 1230 PF @ 15 V - 1.5W
KSC5021RTU Fairchild Semiconductor KSC5021RTU -
RFQ
 ECAD 5843 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 KSC5021 50 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 500 V 5 a 10µa（icbo） npn 1V @ 600MA、3a 15 @ 600MA 、5V 18MHz
FPDB30PH60 Fairchild Semiconductor FPDB30PH60 29.3200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PFCSPM®3 バルク アクティブ 穴を通して 27-POWERDIP モジュール（1.205 "、30.60mm） IGBT FPDB30 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1 2フェーズ 20 a 600 V 2500VRMS
BAV19TR Fairchild Semiconductor bav19tr 0.0300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0070 9,779 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 120 v 1.25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 100 V 175°C （最大） 200mA 5PF @ 0V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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