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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 得 現在 電圧 電圧 -分離 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
HUF76443P3 Fairchild Semiconductor HUF76443p3 1.8500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 60 V 75a（tc） 4.5V 、10V 8mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 129 NC @ 10 V ±16V 4115 PF @ 25 V - 260W
MM3Z4V3B Fairchild Semiconductor MM3Z4V3B 0.0300
RFQ
 ECAD 179 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,539 1 V @ 10 mA 2.7 µA @ 1 V 4.3 v 84オーム
FSBS15CH60L Fairchild Semiconductor FSBS15CH60L 15.4800
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SPM® バルク アクティブ 穴を通して 27-POWERDIP モジュール（1.205 "、30.60mm） IGBT FSBS15 - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 20 3フェーズ 15 a 600 V 2500VRMS
KSE182STU Fairchild Semiconductor KSE182STU -
RFQ
 ECAD 7975 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 1.5 w TO-126-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 1,745 80 v 3 a 100na（icbo） npn 1.7V @ 600MA、3a 50 @ 100MA、1V 50MHz
PZTA56 Fairchild Semiconductor PZTA56 -
RFQ
 ECAD 7268 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C （TJ 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1 W SOT-223-4 - 2156-PZTA56 1 80 v 500 Ma 100NA PNP 250MV @ 10MA 、100mA 100 @ 100MA、1V 50MHz
KSA708YBU Fairchild Semiconductor KSA708YBU 0.0500
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 800 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 5,495 60 V 700 Ma 100na（icbo） PNP 700mv @ 50ma 、500ma 120 @ 50MA 、2V 50MHz
GBPC1206 Fairchild Semiconductor GBPC1206 2.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C （TJ QC端子 4 平方、GBPC 標準 GBPC ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 6 a 5 µA @ 600 v 12 a 単相 600 V
2N3906TAR Fairchild Semiconductor 2N3906TAR -
RFQ
 ECAD 2685 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C （TJ 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 40 v 200 ma - PNP 400mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 250MHz
MPSA06RA Fairchild Semiconductor MPSA06ra -
RFQ
 ECAD 8479 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C （TJ 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 80 v 500 Ma 100NA npn 250MV @ 10MA 、100mA 100 @ 100MA、1V 100MHz
KSC1507YTSTU Fairchild Semiconductor ksc1507ytstu -
RFQ
 ECAD 3507 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 15 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 50 300 V 200 µA 100µa（icbo） npn 2V @ 5MA 、50mA 120 @ 10ma 、10V 80MHz
MPSW56RLRPG Fairchild Semiconductor mpsw56rlrpg 1.0000
RFQ
 ECAD 8987 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C （TJ 穴を通して TO-226-3 1 W to-92（to-226） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 2,000 80 v 500 Ma 500na PNP 500MV @ 10MA 、250MA 50 @ 250ma、1V 50MHz
PN2907ATAR Fairchild Semiconductor PN2907ATAR 1.0000
RFQ
 ECAD 4109 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C （TJ 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 60 V 800 Ma 20na（icbo） PNP 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 200MHz
FJX3906TF Fairchild Semiconductor FJX3906TF 0.0500
RFQ
 ECAD 268 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 表面マウント SC-70、SOT-323 350 MW SOT-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 40 v 200 ma 50NA PNP 400mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 250MHz
EGP20F Fairchild Semiconductor EGP20F 0.2200
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 標準 DO-15 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-EGP20F-600039 1,348 高速回復= <500ns 300 V 1.25 V @ 2 a 50 ns 5 µA @ 300 V -65°C〜150°C 2a 45pf @ 4V、1MHz
FQPF18N20V2 Fairchild Semiconductor FQPF18N20V2 1.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C （TJ 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 200 v 18a（tc） 10V 140mohm @ 9a、10V 5V @ 250µA 26 NC @ 10 V ±30V 1080 PF @ 25 V - 40W （TC）
HUFA76419D3ST Fairchild Semiconductor hufa76419d3st 0.5300
RFQ
 ECAD 713 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 hufa76419 モスフェット（金属酸化物） TO-252AA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 713 nチャネル 60 V 20a（tc） 4.5V 、10V 37mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 27.5 NC @ 10 V ±16V 900 pf @ 25 V - 75W
FDD6696 Fairchild Semiconductor FDD6696 0.4600
RFQ
 ECAD 217 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 13a 4.5V 、10V 8mohm @ 13a 、10v 3V @ 250µA 24 NC @ 5 V ±16V 1715 PF @ 15 V - 3.8w
FJY3003R Fairchild Semiconductor FJY3003R 0.0200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント SC-89 、SOT-490 FJY300 200 MW SOT-523F ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 56 @ 5MA 、5V 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
FDS4935A Fairchild Semiconductor FDS4935A -
RFQ
 ECAD 1025 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS49 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 P-Channel （デュアル） 30V 7a 23mohm @ 7a 、10V 3V @ 250µA 21NC @ 5V 1233pf @ 15V ロジックレベルゲート
EGP30F Fairchild Semiconductor EGP30F 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-201ad、軸 標準 DO-201AD ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,156 高速回復= <500ns 300 V 1.25 V @ 3 a 50 ns 5 µA @ 300 V -65°C〜150°C 3a 75pf @ 4V、1MHz
KSC2757OMTF Fairchild Semiconductor KSC2757OMTF 0.0200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 150MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 16,000 - 15V 50ma npn 90 @ 5MA 、10V 1.1GHz -
BC547TF Fairchild Semiconductor BC547TF 0.0200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 15,000 45 v 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 110 @ 2MA 、5V 300MHz
MMBD4148CA Fairchild Semiconductor MMBD4148CA -
RFQ
 ECAD 5189 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 標準 SOT-23-3 ダウンロード ear99 8541.10.0070 620 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通アノード 100 V 200mA 1 V @ 10 mA 4 ns 5 µA @ 75 V -55°C〜150°C
FGPF7N60LSDTU Fairchild Semiconductor FGPF7N60LSDTU 0.5500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C （TJ 穴を通して TO-220-3フルパック 標準 45 W TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 300V 、7a 、470ohm、15V 65 ns - 600 V 14 a 21 a 2V @ 15V、7a 270µj（on 3.8mj （オフ） 24 NC 120ns/410ns
FDD5670 Fairchild Semiconductor FDD5670 -
RFQ
 ECAD 5823 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 60 V 52a（ta） 6V 、10V 15mohm @ 10a 、10V 4V @ 250µA 73 NC @ 10 V ±20V 2739 PF @ 15 V - 3.8W（タタ）、 83W （TC
1N5407 Fairchild Semiconductor 1N5407 -
RFQ
 ECAD 4168 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して DO-201AA 標準 軸 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 500 標準回復> 500ns 800 V 1 V @ 3 a 10 µA @ 800 V -65°C〜170°C 3a -
KSH210TF Fairchild Semiconductor KSH210TF 0.2800
RFQ
 ECAD 513 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 1.4 w TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 2,000 25 v 5 a 100na（icbo） PNP 1.8V @ 1a 、5a 70 @ 500MA、1V 65MHz
2N3906 Fairchild Semiconductor 2N3906 -
RFQ
 ECAD 3505 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C （TJ 穴を通して TO-226-3 2N39 625 MW to-92 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 1 40 v 200 ma 50NA PNP 400mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 250MHz
FLZ9V1C Fairchild Semiconductor flz9v1c 1.0000
RFQ
 ECAD 7960 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 27,500 1.2 V @ 200 mA 300 Na @ 6 V 9.1 v 6.6オーム
FDB5645 Fairchild Semiconductor FDB5645 3.8100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -65°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 60 V 80a（ta） 6V 、10V 9.5mohm @ 40a 、10V 4V @ 250µA 107 NC @ 10 V ±20V 4468 PF @ 30 V - 125W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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