SIC
close

離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在 電圧 電圧 -分離 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） vce（on max） @ vge 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
FCPF380N60-F152 Fairchild Semiconductor FCPF380N60-F152 0.9600
RFQ
 ECAD 476 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック FCPF380 モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 600 V 10.2a 10V 380mohm @ 5a、10V 3.5V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±20V 1665 PF @ 25 V - 31W （TC）
FDMS8027S Fairchild Semiconductor FDMS8027S 0.8700
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Powertrench®、Syncfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 347 nチャネル 30 V 18a（ta ）、22a（tc） 4.5V 、10V 5mohm @ 18a 、10V 3V @ 1MA 31 NC @ 10 V ±20V 1815 pf @ 15 v - 2.5W
2N3702 Fairchild Semiconductor 2N3702 0.0700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 25 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 250mv @ 5ma 、50ma 60 @ 50MA 、5V 100MHz
FFSH15120ADN-F155 Fairchild Semiconductor FFSH15120ADN-F155 7.3100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-247-3 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-3 ダウンロード ear99 8541.10.0080 42 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 1200 v 8a（dc） 1.75 V @ 8 a 200 µA @ 1200 v -55°C〜175°C
FQPF10N50CF Fairchild Semiconductor FQPF10N50CF 1.3500
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 フェアチャイルド半導体 FRFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 223 nチャネル 500 V 10a（tc） 10V 610mohm @ 5a、10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 V ±30V 2096 PF @ 25 V - 48W （TC）
FLZ2V4A Fairchild Semiconductor flz2v4a 0.0300
RFQ
 ECAD 5302 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±4％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,092 1.2 V @ 200 mA 84 µA @ 1 V 2.4 v 35オーム
FQA11N90 Fairchild Semiconductor FQA11N90 -
RFQ
 ECAD 9792 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 900 V 11.4a（tc） 10V 960mohm @ 5.7a 、10V 5V @ 250µA 94 NC @ 10 V ±30V 3500 PF @ 25 V - 300W （TC）
FNF50560TD1 Fairchild Semiconductor FNF50560TD1 7.1200
RFQ
 ECAD 312 0.00000000 フェアチャイルド半導体 モーションSPM®55 バルク 廃止 穴を通して 20-POWERDIP モジュール（1.220 "、31.00mm） IGBT ダウンロード 適用できない ear99 8542.39.0001 78 3フェーズ 5 a 600 V 1500VRMS
SS9015BTA Fairchild Semiconductor SS9015BTA 0.0200
RFQ
 ECAD 2898 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 450 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 12,384 45 v 100 Ma 50na（icbo） PNP 700MV @ 5MA 、100mA 100 @ 1MA 、5V 190MHz
1N5403 Fairchild Semiconductor 1N5403 0.2900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-201ad、軸 標準 DO-201AD ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 1,250 標準回復> 500ns 300 V 1.2 V @ 3 a 5 µA @ 300 V -55°C〜150°C 3a 30pf @ 4V、1MHz
FDS8433A Fairchild Semiconductor FDS8433A -
RFQ
 ECAD 9410 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 pチャネル 20 v 5a（ta） 2.5V 、4.5V 47mohm @ 5a 、4.5V 1V @ 250µA 28 NC @ 5 V ±8V 1130 PF @ 10 V - 2.5W
FDS6984S Fairchild Semiconductor FDS6984S 1.3800
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Powertrench®、Syncfet™ バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS69 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,500 2 nチャンネル（デュアル） 30V 5.5a 、8.5a 19mohm @ 8.5a 、10V 3V @ 250µA 12NC @ 5V 1233pf @ 15V ロジックレベルゲート
4N361 Fairchild Semiconductor 4N361 -
RFQ
 ECAD 3730 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー 1
FDI047AN08A0 Fairchild Semiconductor FDI047AN08A0 2.4900
RFQ
 ECAD 787 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 75 v 80a（tc） 6V 、10V 4.7mohm @ 80a 、10V 4V @ 250µA 138 NC @ 10 V ±20V 6600 PF @ 25 V - 310W
KSC5042TU Fairchild Semiconductor KSC5042TU -
RFQ
 ECAD 3172 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 KSC5042 TO-220-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 2,000 10µa（icbo） npn 5V @ 4MA 、20ma 30 @ 10ma 、5v -
FDP18N20F Fairchild Semiconductor FDP18N20F -
RFQ
 ECAD 4467 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 200 v 18a（tc） 10V 145mohm @ 9a、10V 5V @ 250µA 26 NC @ 10 V ±30V 1180 PF @ 25 V - 100W （TC）
BZX85C15TR5K-FS Fairchild Semiconductor BZX85C15TR5K-FS 0.0200
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0050 1
HUFA76419D3ST Fairchild Semiconductor hufa76419d3st 0.5300
RFQ
 ECAD 713 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 hufa76419 モスフェット（金属酸化物） TO-252AA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 713 nチャネル 60 V 20a（tc） 4.5V 、10V 37mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 27.5 NC @ 10 V ±16V 900 pf @ 25 V - 75W
FJY3003R Fairchild Semiconductor FJY3003R 0.0200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント SC-89 、SOT-490 FJY300 200 MW SOT-523F ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 56 @ 5MA 、5V 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
FQPF18N20V2 Fairchild Semiconductor FQPF18N20V2 1.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 200 v 18a（tc） 10V 140mohm @ 9a、10V 5V @ 250µA 26 NC @ 10 V ±30V 1080 PF @ 25 V - 40W （TC）
FDD6696 Fairchild Semiconductor FDD6696 0.4600
RFQ
 ECAD 217 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 13a 4.5V 、10V 8mohm @ 13a 、10v 3V @ 250µA 24 NC @ 5 V ±16V 1715 PF @ 15 V - 3.8w
MMBZ5256B Fairchild Semiconductor MMBZ5256B -
RFQ
 ECAD 9886 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 225 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 23 V 30 V 49オーム
S210 Fairchild Semiconductor S210 0.3300
RFQ
 ECAD 571 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB ショットキー do-214aa ダウンロード ear99 8541.10.0080 915 高速回復= <500ns 100 V 850 mV @ 2 a 400 µA @ 100 V -65°C〜125°C 2a -
SSR4N60BTM Fairchild Semiconductor SSR4N60BTM 1.0000
RFQ
 ECAD 6413 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 2.8a（tc） 10V 2.5OHM @ 1.4A 、10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±30V 920 PF @ 25 V - 2.5W
FDG326P Fairchild Semiconductor FDG326P 0.0900
RFQ
 ECAD 524 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 モスフェット（金属酸化物） SC-88 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 1.5a（ta） 1.8V 、4.5V 140mohm @ 1.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 7 NC @ 4.5 v ±8V 467 PF @ 10 V - 750MW
FDP79N15 Fairchild Semiconductor FDP79N15 3.3100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 150 v 79a（tc） 10V 30mohm @ 39.5a 、10V 5V @ 250µA 73 NC @ 10 V ±30V 3410 PF @ 25 V - 463W （TC）
FMG1G150US60L Fairchild Semiconductor FMG1G150US60L 51.0200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール 595 w 標準 - ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 シングル - 600 V 150 a 2.7V @ 15V 、150a 250 µA いいえ
FQP14N15 Fairchild Semiconductor FQP14N15 1.0000
RFQ
 ECAD 8339 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 150 v 14.4a 10V 210mohm @ 7.2a 、10V 4V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±25V 715 PF @ 25 V - 104W
MJD47TF-FS Fairchild Semiconductor MJD47TF-FS 0.3400
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜150°C 表面マウント to-252-3 MJD47 1.56 w TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 2,000 200µA npn 1V @ 200MA、1a 30 @ 300MA 、10V 10MHz
FQD3N60TF Fairchild Semiconductor FQD3N60TF 0.5700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 2.4a（tc） 10V 3.6OHM @ 1.2A 、10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 450 pf @ 25 v - 2.5W （TA ）、50W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます