画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | テスト条件 | 得 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) | ノイズフィギュア(DBタイプ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDFS2P103A | 0.4300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 5.3a(ta) | 4.5V 、10V | 59mohm @ 5.3a 、10V | 3V @ 250µA | 8 NC @ 5 V | ±25V | 535 PF @ 15 V | ショットキーダイオード(分離) | 900MW | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB20N6S2D | 1.0000 | ![]() | 3420 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | 標準 | 125 w | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 390V 、7a、25OHM、15V | 31 ns | - | 600 V | 28 a | 40 a | 2.7V @ 15V 、7a | 25µj(on )、 58µj(オフ) | 30 NC | 7.7ns/87ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6035AL | 0.4800 | ![]() | 207 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 30 V | 12a(タタ)、46a(tc) | 4.5V 、10V | 12mohm @ 12a 、10V | 3V @ 250µA | 18 NC @ 5 V | ±20V | 1230 PF @ 15 V | - | 1.5W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES1A | 1.0000 | ![]() | 2704 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | DO-214AC、SMA | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 920 mv @ 1 a | 15 ns | 5 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGL40N150DTU | 11.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-264-3、TO-264AA | SGL40 | 標準 | 200 W | HPM F2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 25 | - | 300 ns | - | 1500 v | 40 a | 120 a | 4.7V @ 15V 、40a | - | 140 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI12N60TU | 1.3100 | ![]() | 627 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | モスフェット(金属酸化物) | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 10.5a | 10V | 700mohm @ 5.3a 、10V | 5V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ±30V | 1900 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA )、 180W (TC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V9 | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | BZX84C3 | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-BZX84C3V9-600039 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY3005R | 0.0200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | FJY300 | 200 MW | SOT-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 100na(icbo) | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP18N20F | - | ![]() | 4467 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | unifet™ | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nチャネル | 200 v | 18a(tc) | 10V | 145mohm @ 9a、10V | 5V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ±30V | 1180 PF @ 25 V | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C15TR5K-FS | 0.0200 | ![]() | 190 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7066ASN3 | 1.1900 | ![]() | 623 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 19a(ta) | 4.5V 、10V | 4.8mohm @ 19a 、10V | 3V @ 1MA | 62 NC @ 10 V | ±20V | 2460 PF @ 15 V | - | 3w | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF7N20 | 0.3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 200 v | 4.8a(tc) | 10V | 690mohm @ 2.4a 、10V | 5V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ±30V | 400 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF10N50CF | 1.3500 | ![]() | 67 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | FRFET® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 223 | nチャネル | 500 V | 10a(tc) | 10V | 610mohm @ 5a、10V | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 V | ±30V | 2096 PF @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC548CTA | 0.0400 | ![]() | 22 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 8,266 | 30 V | 100 Ma | 15NA | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 420 @ 2MA 、5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC557ATA | 0.0400 | ![]() | 145 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 7,322 | 15NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 110 @ 2MA 、5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5282TR | 0.0200 | ![]() | 80 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 80 v | 900 mV @ 100 Ma | 4 ns | 100 Na @ 55 V | 175°C (最大) | 200mA | 2.5pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGT1S14N36G3VLT_NL | - | ![]() | 5266 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | 論理 | 100 W | i2pak(to-262) | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 124 | 300V、7a、28OHM 、5V | - | 390 v | 18 a | 2.2V @ 5V、14a | - | 24 NC | - /7µs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST10MTF | - | ![]() | 3534 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | - | 表面マウント | TO-236-3 | 350MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 25V | - | npn | 60 @ 4MA 、10V | 650MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3702 | 0.0700 | ![]() | 20 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 25 v | 500 Ma | 100na(icbo) | PNP | 250mv @ 5ma 、50ma | 60 @ 50MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFSH15120ADN-F155 | 7.3100 | ![]() | 17 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 42 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 1200 v | 8a(dc) | 1.75 V @ 8 a | 200 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3640 | - | ![]() | 6693 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 225 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 12 v | 200 ma | 10na | PNP | 600mv @ 5ma 、50ma | 30 @ 10ma、300mv | 500MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFAF40U60DNTU | 1.2500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | to-3p-3フルパック | 標準 | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 360 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 40a | 2.1 V @ 40 a | 110 ns | 20 µA @ 600 v | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5235BTA | 0.0600 | ![]() | 24 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | 200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 4.8 v | 6.8 v | 5オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP44N10 | - | ![]() | 6890 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nチャネル | 100 V | 43.5a | 10V | 39mohm @ 21.75a 、10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 V | ±25V | 1800 pf @ 25 v | - | 146W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fan5009amx | 0.3000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | fan5009 | - | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75545S3 | 0.8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | モスフェット(金属酸化物) | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 400 | nチャネル | 80 v | 75a(tc) | 10V | 10mohm @ 75a 、10V | 4V @ 250µA | 235 NC @ 20 V | ±20V | 3750 PF @ 25 V | - | 270W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC86106LZ | 0.4800 | ![]() | 4443 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERWDFN | FDMC86 | モスフェット(金属酸化物) | 8-mlp (3.3x3.3) | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | nチャネル | 100 V | 3.3a | 103mohm @ 3.3a 、10V | 2.2V @ 250µA | 6 NC @ 10 V | 310 pf @ 50 v | - | 2.3W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS9431A | - | ![]() | 5307 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | pチャネル | 20 v | 3.5a(ta) | 2.5V 、4.5V | 130mohm @ 3.5a 、4.5V | 1V @ 250µA | 8.5 NC @ 4.5 v | ±8V | 405 PF @ 10 V | - | 2.5W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9R1560G2-F085 | - | ![]() | 6001 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | 自動車、AEC-Q101、ステルス™ | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 116 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.2 V @ 15 a | 40 ns | 100 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 15a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4027T-N-TL-E | 0.2900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-2SC4027T-N-TL-E-600039 | 1 |
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