SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ テスト条件 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターパルス( icm) vce(on max) @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD (オン/オフ) @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2) ノイズフィギュア(DBタイプ @ f)
FDFS2P103A Fairchild Semiconductor FDFS2P103A 0.4300
RFQ
ECAD 11 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) モスフェット(金属酸化物) 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,500 pチャネル 30 V 5.3a(ta) 4.5V 、10V 59mohm @ 5.3a 、10V 3V @ 250µA 8 NC @ 5 V ±25V 535 PF @ 15 V ショットキーダイオード(分離) 900MW
FGB20N6S2D Fairchild Semiconductor FGB20N6S2D 1.0000
RFQ
ECAD 3420 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 標準 125 w d2pak(to-263) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 390V 、7a、25OHM、15V 31 ns - 600 V 28 a 40 a 2.7V @ 15V 、7a 25µj(on )、 58µj(オフ) 30 NC 7.7ns/87ns
FDD6035AL Fairchild Semiconductor FDD6035AL 0.4800
RFQ
ECAD 207 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット(金属酸化物) TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 12a(タタ)、46a(tc) 4.5V 、10V 12mohm @ 12a 、10V 3V @ 250µA 18 NC @ 5 V ±20V 1230 PF @ 15 V - 1.5W
ES1A Fairchild Semiconductor ES1A 1.0000
RFQ
ECAD 2704 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA 標準 DO-214AC、SMA ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 50 v 920 mv @ 1 a 15 ns 5 µA @ 50 V -50°C〜150°C 1a -
SGL40N150DTU Fairchild Semiconductor SGL40N150DTU 11.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-264-3、TO-264AA SGL40 標準 200 W HPM F2 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 25 - 300 ns - 1500 v 40 a 120 a 4.7V @ 15V 、40a - 140 NC -
FQI12N60TU Fairchild Semiconductor FQI12N60TU 1.3100
RFQ
ECAD 627 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット(金属酸化物) i2pak(to-262) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 600 V 10.5a 10V 700mohm @ 5.3a 、10V 5V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±30V 1900 pf @ 25 v - 3.13W (TA )、 180W (TC
BZX84C3V9 Fairchild Semiconductor BZX84C3V9 0.0200
RFQ
ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ BZX84C3 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BZX84C3V9-600039 ear99 8541.10.0050 1
FJY3005R Fairchild Semiconductor FJY3005R 0.0200
RFQ
ECAD 18 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント SC-89 、SOT-490 FJY300 200 MW SOT-523F ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na(icbo) npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 30 @ 5MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
FDP18N20F Fairchild Semiconductor FDP18N20F -
RFQ
ECAD 4467 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 200 v 18a(tc) 10V 145mohm @ 9a、10V 5V @ 250µA 26 NC @ 10 V ±30V 1180 PF @ 25 V - 100W (TC)
BZX85C15TR5K-FS Fairchild Semiconductor BZX85C15TR5K-FS 0.0200
RFQ
ECAD 190 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.10.0050 1
FDS7066ASN3 Fairchild Semiconductor FDS7066ASN3 1.1900
RFQ
ECAD 623 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) モスフェット(金属酸化物) 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 19a(ta) 4.5V 、10V 4.8mohm @ 19a 、10V 3V @ 1MA 62 NC @ 10 V ±20V 2460 PF @ 15 V - 3w
FQPF7N20 Fairchild Semiconductor FQPF7N20 0.3100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット(金属酸化物) TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 200 v 4.8a(tc) 10V 690mohm @ 2.4a 、10V 5V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±30V 400 pf @ 25 V - 37W (TC)
FQPF10N50CF Fairchild Semiconductor FQPF10N50CF 1.3500
RFQ
ECAD 67 0.00000000 フェアチャイルド半導体 FRFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット(金属酸化物) TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 223 nチャネル 500 V 10a(tc) 10V 610mohm @ 5a、10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 V ±30V 2096 PF @ 25 V - 48W (TC)
BC548CTA Fairchild Semiconductor BC548CTA 0.0400
RFQ
ECAD 22 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 8,266 30 V 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 420 @ 2MA 、5V 300MHz
BC557ATA Fairchild Semiconductor BC557ATA 0.0400
RFQ
ECAD 145 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 to-92-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 7,322 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 110 @ 2MA 、5V 150MHz
1N5282TR Fairchild Semiconductor 1N5282TR 0.0200
RFQ
ECAD 80 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 (do-204ah) ダウンロード ear99 8541.10.0070 1 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 80 v 900 mV @ 100 Ma 4 ns 100 Na @ 55 V 175°C (最大) 200mA 2.5pf @ 0V、1MHz
HGT1S14N36G3VLT_NL Fairchild Semiconductor HGT1S14N36G3VLT_NL -
RFQ
ECAD 5266 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads 論理 100 W i2pak(to-262) ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 124 300V、7a、28OHM 、5V - 390 v 18 a 2.2V @ 5V、14a - 24 NC - /7µs
KST10MTF Fairchild Semiconductor KST10MTF -
RFQ
ECAD 3534 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 表面マウント TO-236-3 350MW SOT-23-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 - 25V - npn 60 @ 4MA 、10V 650MHz -
2N3702 Fairchild Semiconductor 2N3702 0.0700
RFQ
ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 25 v 500 Ma 100na(icbo) PNP 250mv @ 5ma 、50ma 60 @ 50MA 、5V 100MHz
FFSH15120ADN-F155 Fairchild Semiconductor FFSH15120ADN-F155 7.3100
RFQ
ECAD 17 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-247-3 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-247-3 ダウンロード ear99 8541.10.0080 42 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 1200 v 8a(dc) 1.75 V @ 8 a 200 µA @ 1200 v -55°C〜175°C
MMBT3640 Fairchild Semiconductor MMBT3640 -
RFQ
ECAD 6693 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 225 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 12 v 200 ma 10na PNP 600mv @ 5ma 、50ma 30 @ 10ma、300mv 500MHz
FFAF40U60DNTU Fairchild Semiconductor FFAF40U60DNTU 1.2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して to-3p-3フルパック 標準 to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 360 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 600 V 40a 2.1 V @ 40 a 110 ns 20 µA @ 600 v -65°C〜150°C
1N5235BTA Fairchild Semiconductor 1N5235BTA 0.0600
RFQ
ECAD 24 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% 200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000 1.1 V @ 200 mA 3 µA @ 4.8 v 6.8 v 5オーム
FQP44N10 Fairchild Semiconductor FQP44N10 -
RFQ
ECAD 6890 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 100 V 43.5a 10V 39mohm @ 21.75a 、10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±25V 1800 pf @ 25 v - 146W
FAN5009AMX Fairchild Semiconductor fan5009amx 0.3000
RFQ
ECAD 15 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ fan5009 - - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 2,500 -
HUF75545S3 Fairchild Semiconductor HUF75545S3 0.8500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット(金属酸化物) i2pak(to-262) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 80 v 75a(tc) 10V 10mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 235 NC @ 20 V ±20V 3750 PF @ 25 V - 270W
FDMC86106LZ Fairchild Semiconductor FDMC86106LZ 0.4800
RFQ
ECAD 4443 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN FDMC86 モスフェット(金属酸化物) 8-mlp (3.3x3.3) - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 3,000 nチャネル 100 V 3.3a 103mohm @ 3.3a 、10V 2.2V @ 250µA 6 NC @ 10 V 310 pf @ 50 v - 2.3W
FDS9431A Fairchild Semiconductor FDS9431A -
RFQ
ECAD 5307 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) モスフェット(金属酸化物) 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 pチャネル 20 v 3.5a(ta) 2.5V 、4.5V 130mohm @ 3.5a 、4.5V 1V @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 v ±8V 405 PF @ 10 V - 2.5W
ISL9R1560G2-F085 Fairchild Semiconductor ISL9R1560G2-F085 -
RFQ
ECAD 6001 0.00000000 フェアチャイルド半導体 自動車、AEC-Q101、ステルス™ バルク アクティブ 穴を通して TO-247-2 標準 TO-247-2 ダウンロード ear99 8542.39.0001 116 高速回復= <500ns 600 V 2.2 V @ 15 a 40 ns 100 µA @ 600 V -55°C〜175°C 15a -
2SC4027T-N-TL-E Fairchild Semiconductor 2SC4027T-N-TL-E 0.2900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-2SC4027T-N-TL-E-600039 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫