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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 現在 電圧 電圧 -分離 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
SSU1N60BTU Fairchild Semiconductor SSU1N60BTU 0.1400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C （TJ 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 900ma 10V 12OHM @ 450MA 、10V 4V @ 250µA 7.7 NC @ 10 V ±30V 215 PF @ 25 V - 2.5W
FDMC0310AS Fairchild Semiconductor FDMC0310AS 1.0000
RFQ
 ECAD 5497 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Powertrench®、Syncfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C （TJ 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-mlp （3.3x3.3） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 19a（タタ21a（tc） 4.5V 、10V 4.4mohm @ 19a 、10V 3V @ 1MA 52 NC @ 10 V ±20V 3165 PF @ 15 V - 2.4W
FQB13N50CTM Fairchild Semiconductor FQB13N50CTM -
RFQ
 ECAD 3104 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C （TJ 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 500 V 13a（tc） 10V 480mohm @ 6.5a 、10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 V ±30V 2055 PF @ 25 V - 195W
FES16FT Fairchild Semiconductor FES16FT 1.0000
RFQ
 ECAD 3029 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 標準 TO-220-2 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 300 V 1.3 V @ 8 a 50 ns 10 µA @ 300 V -65°C〜150°C 16a 170pf @ 4V、1MHz
HUF75345S3ST_NL Fairchild Semiconductor HUF75345S3ST_NL 1.0000
RFQ
 ECAD 4487 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 55 v 75a（tc） 10V 7mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 275 NC @ 20 V ±20V 4000 pf @ 25 V - 325W
1N4742A Fairchild Semiconductor 1N4742a 0.0300
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード ear99 8541.10.0050 9,779 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 9.1 v 12 v 9オーム
SFR9224TF Fairchild Semiconductor SFR9224TF 0.2800
RFQ
 ECAD 167 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C （TJ 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 250 v 2.5a 10V 2.4OHM @ 1.3A 、10V 4V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±30V 540 PF @ 25 V - 2.5w
SFU9230BTU Fairchild Semiconductor SFU9230BTU 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C （TJ 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 200 v 5.4a（tc） 10V 800mohm @ 2.7a 、10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±30V 1000 pf @ 25 v - 2.5W
FJV3113RMTF Fairchild Semiconductor fjv3113rmtf 0.0200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 FJV311 200 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 68 @ 5MA 、5V 250 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
MM5Z22V Fairchild Semiconductor MM5Z22V -
RFQ
 ECAD 6086 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±6％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523F MM5Z2 200 MW SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 8,000 50 Na @ 15.4 v 22 v 55オーム
FDC653N Fairchild Semiconductor FDC653N 0.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C （TJ 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1,192 nチャネル 30 V 5a（ta） 4.5V 、10V 35mohm @ 5a 、10V 2V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±20V 350 PF @ 15 V - 1.6W
1N4305 Fairchild Semiconductor 1N4305 10.8400
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 30 高速回復= <500ns 75 v 850 mv @ 10 ma 4 ns 100 Na @ 50 V 175°C （最大） 300mA 2PF @ 0V、1MHz
FGD2N40L Fairchild Semiconductor FGD2N40L 0.2600
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -40°C〜150°C （TJ 表面マウント to-252-3 論理 29 W TO-252 ダウンロード 適用できない ear99 8541.29.0095 2,500 300V 、2.5A 、51OHM 、4V - 400 V 7 a 29 a 1.6V @ 2.4V 、2.5a - 11 NC 47ns/650ns
1N6024B Fairchild Semiconductor 1N6024B -
RFQ
 ECAD 5035 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） - ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 100 Na @ 76 v 100 V 500オーム
FDZ206P Fairchild Semiconductor FDZ206P 0.5100
RFQ
 ECAD 369 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C （TJ 表面マウント 30-wfbga モスフェット（金属酸化物） 30-BGA （4x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 4,000 pチャネル 20 v 13a（ta） 2.5V 、4.5V 9.5mohm @ 13a 、4.5V 1.5V @ 250µA 53 NC @ 4.5 v ±12V 4280 PF @ 10 V - 2.2W
BAS16 Fairchild Semiconductor BAS16 0.0300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 BAS16 標準 SC-59-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 75 v 1.25 V @ 150 MA 4 ns 100 Na @ 80 V 150°C （最大） 215ma 1.2pf @ 0V、1MHz
HUF76407D3 Fairchild Semiconductor HUF76407D3 0.3700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 60 V 12a（tc） 4.5V 、10V 92mohm @ 13a 、10V 3V @ 250µA 11.3 NC @ 10 V ±16V 350 PF @ 25 V - 38W
HUFA76423D3ST Fairchild Semiconductor hufa76423d3st 0.3300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 60 V 20a（tc） 4.5V 、10V 32mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 34 NC @ 10 V ±16V 1060 PF @ 25 V - 85W
FSBB15CH60C Fairchild Semiconductor FSBB15CH60C 1.0000
RFQ
 ECAD 8353 0.00000000 フェアチャイルド半導体 モーションSPM®3 バルク アクティブ 穴を通して 27-POWERDIP モジュール（1.205 "、30.60mm） IGBT ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 3フェーズ 15 a 600 V 2500VRMS
KST2222AMTF Fairchild Semiconductor KST2222AMTF -
RFQ
 ECAD 3847 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 40 v 600 Ma 10na （icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 300MHz
KSC3265YMTF Fairchild Semiconductor ksc3265ymtf -
RFQ
 ECAD 4202 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 200 MW SOT-23-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-ksc3265ymtf-600039 1 25 v 800 Ma 100NA npn 400mv @ 20ma 、500ma 100 @ 100MA、1V 120MHz
BC337A Fairchild Semiconductor BC337A 0.0600
RFQ
 ECAD 4993 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 373 45 v 800 Ma 100NA npn 700mv @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA、1V 100MHz
FLZ33VD Fairchild Semiconductor FLZ33VD 0.0200
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 25 V 32.3 v 55オーム
EGF1B Fairchild Semiconductor egf1b 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA 標準 do-214ac ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,205 高速回復= <500ns 100 V 1 V @ 1 a 50 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
MBR2045CT Fairchild Semiconductor MBR2045CT 0.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-MBR2045CT-600039 ear99 0000.00.0000 1
KSC5042MSTU Fairchild Semiconductor KSC5042MSTU 1.0000
RFQ
 ECAD 4655 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 - 穴を通して TO-225AA、to-126-3 6 W TO-126-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1 900 V 100 Ma 10µa（icbo） npn 5V @ 4MA 、20ma 30 @ 10ma 、5v -
1N754A_NL Fairchild Semiconductor 1N754A_NL 0.0200
RFQ
 ECAD 7505 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 2,000 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 1 V 6.8 v 5オーム
FSB50550TB2 Fairchild Semiconductor FSB50550TB2 10.8400
RFQ
 ECAD 390 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SPM® バルク アクティブ 穴を通して 23-dipモジュール フェット FSB505 - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 3フェーズ 1.8 a 500 V 1500VRMS
FDS3612 Fairchild Semiconductor FDS3612 0.6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 100 V 3.4a（ta） 6V 、10V 120mohm @ 3.4a 、10V 4V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±20V 632 PF @ 50 V - 2.5W
FDD3570 Fairchild Semiconductor FDD3570 0.5400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C （TJ 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 80 v 10a（ta） 6V 、10V 20mohm @ 10a 、10V 4V @ 250µA 76 NC @ 10 V ±20V 2800 PF @ 40 V - 3.4W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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