画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N914BTR | 0.0300 | ![]() | 186 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 11,539 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 100 MA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65°C〜175°C | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT2907AK | 1.0000 | ![]() | 1193 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 V | 600 Ma | 10na (icbo) | PNP | 1.6V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB1015YTU | 0.4500 | ![]() | 735 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | 25 W | TO-220F-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 735 | 60 V | 3 a | 100µa(icbo) | PNP | 1V @ 300MA、3a | 100 @ 500MA 、5V | 9MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC559B | - | ![]() | 3228 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 100 Ma | 15NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 200 @ 2MA 、5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSD914-FS | - | ![]() | 7169 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | 標準 | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,078 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55°C〜150°C | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | huf76407d3s | 0.2100 | ![]() | 19 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,800 | nチャネル | 60 V | 12a(tc) | 4.5V 、10V | 92mohm @ 13a 、10V | 3V @ 250µA | 11.3 NC @ 10 V | ±16V | 350 PF @ 25 V | - | 38W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD1701A | 0.1000 | ![]() | 966 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 1.1 V @ 50 mA | 1 ns | 50 na @ 20 v | 150°C (最大) | 50ma | 1PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA928aybu | - | ![]() | 7501 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 1 W | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 30 V | 2 a | 100na(icbo) | PNP | 2V @ 30MA 、1.5a | 160 @ 500MA 、2V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDN371N | 1.0000 | ![]() | 3691 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | FDN371 | モスフェット(金属酸化物) | SuperSot-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | nチャネル | 20 v | 2.5a(ta) | 2.5V 、4.5V | 50mohm @ 2.5a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 10.7 NC @ 4.5 v | ±12V | 815 PF @ 10 V | - | 500MW | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA642YBU | 0.0200 | ![]() | 144 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 400 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 25 v | 300 Ma | 100na(icbo) | PNP | 600MV @ 30MA、300MA | 120 @ 50MA、1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFB2907A | 1.0000 | ![]() | 4248 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | FFB2907 | 300MW | SC-88 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 600MA | 20na(icbo) | 2 PNP (デュアル) | 1.6V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | hufa76409d3s | 0.2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,224 | nチャネル | 60 V | 18a(tc) | 4.5V 、10V | 63mohm @ 18a 、10V | 3V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±16V | 485 PF @ 25 V | - | 49W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fjaf6810aydtbtu | 0.5100 | ![]() | 4819 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3フルパック | 60 W | to-3pf | - | ROHS3準拠 | 2156-FJAF68101010AYDTBTU-FS | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 750 V | 10 a | 1ma | npn | 3V @ 1.5a 、6a | 5 @ 6a 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF15N70 | 2.7500 | ![]() | 295 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-3p-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 360 | nチャネル | 700 V | 9.5a | 10V | 560mohm @ 4.8a 、10V | 5V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ±30V | 3600 PF @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FLZ15VC | 1.0000 | ![]() | 2814 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 133 Na @ 11 v | 14.7 v | 13.3オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5249B_NL | 0.0200 | ![]() | 66 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 14 V | 19 v | 23オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP15N50 | 2.0600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 400 | nチャネル | 500 V | 15a(tc) | 10V | 380mohm @ 7.5a 、10V | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ±30V | 1850 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | hufa75842S3s | 0.9000 | ![]() | 542 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 400 | nチャネル | 150 v | 43a(tc) | 10V | 42mohm @ 43a 、10V | 4V @ 250µA | 175 NC @ 20 V | ±20V | 2730 PF @ 25 V | - | 230W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | hufa76432S3st | 0.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 60 V | 59a(tc) | 4.5V 、10V | 17mohm @ 59a 、10V | 3V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ±16V | 1765 PF @ 25 V | - | 130W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fqb5n50cftm | - | ![]() | 3311 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | FRFET® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 58 | nチャネル | 500 V | 5a(tc) | 10V | 1.55OHM @ 2.5A 、10V | 4V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±30V | 625 PF @ 25 V | - | 96W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFAF20U120DNTU | 2.6400 | ![]() | 558 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | to-3p-3フルパック | 標準 | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 1200 v | 20a | 3.5 V @ 20 a | 120 ns | 20 µA @ 1200 v | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD3N30TF | 0.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 300 V | 2.4a(tc) | 10V | 2.2OHM @ 1.2A 、10V | 5V @ 250µA | 7 NC @ 10 V | ±30V | 230 PF @ 25 V | - | 2.5w | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD13AN06A0_NL | - | ![]() | 6377 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 60 V | 9.9a | 6V 、10V | 13.5mohm @ 50a 、10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ±20V | 1350 PF @ 25 V | - | 115W | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V6 | 0.0200 | ![]() | 131 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C3 | 250 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMSD459A | - | ![]() | 5817 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | MMSD45 | 標準 | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 150°C (最大) | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP3307DH2TU | 0.1700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 80 w | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 200 | 400 V | 8 a | - | npn | 3V @ 2a 、8a | 26 @ 2a 、5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP032N08B | - | ![]() | 2431 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 未定義のベンダー | 2156-FDP032N08B-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA40T65UQDF | 1.9000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | 標準 | 231 w | to-3pn | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V 、40a 、6ohm15V | 89 ns | npt | 650 V | 80 a | 120 a | 1.67V @ 15V 、40a | 989µj(on 310µj(オフ) | 306 NC | 32ns/271ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF820B | 1.0000 | ![]() | 7283 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCPF380N60 | 1.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | superfet®ii | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 204 | nチャネル | 600 V | 10.2a | 10V | 380mohm @ 5a、10V | 3.5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 1665 PF @ 25 V | - | 31W (TC) |
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