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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ テスト条件 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターパルス( icm) vce(on max) @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD (オン/オフ) @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
1N914BTR Fairchild Semiconductor 1N914BTR 0.0300
RFQ
ECAD 186 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 DO-35 ダウンロード ear99 8541.10.0070 11,539 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 100 V 1 V @ 100 MA 4 ns 5 µA @ 75 V -65°C〜175°C 200mA 4PF @ 0V、1MHz
MMBT2907AK Fairchild Semiconductor MMBT2907AK 1.0000
RFQ
ECAD 1193 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 60 V 600 Ma 10na (icbo) PNP 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 200MHz
KSB1015YTU Fairchild Semiconductor KSB1015YTU 0.4500
RFQ
ECAD 735 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック 25 W TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 735 60 V 3 a 100µa(icbo) PNP 1V @ 300MA、3a 100 @ 500MA 、5V 9MHz
BC559B Fairchild Semiconductor BC559B -
RFQ
ECAD 3228 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 200 @ 2MA 、5V 150MHz
MMSD914-FS Fairchild Semiconductor MMSD914-FS -
RFQ
ECAD 7169 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SOD-123 標準 SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,078 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 100 V 1 V @ 10 mA 4 ns 5 µA @ 75 V -55°C〜150°C 200mA 4PF @ 0V、1MHz
HUF76407D3S Fairchild Semiconductor huf76407d3s 0.2100
RFQ
ECAD 19 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット(金属酸化物) TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 60 V 12a(tc) 4.5V 、10V 92mohm @ 13a 、10V 3V @ 250µA 11.3 NC @ 10 V ±16V 350 PF @ 25 V - 38W
MMBD1701A Fairchild Semiconductor MMBD1701A 0.1000
RFQ
ECAD 966 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント TO-236-3 標準 SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 30 V 1.1 V @ 50 mA 1 ns 50 na @ 20 v 150°C (最大) 50ma 1PF @ 0V、1MHz
KSA928AYBU Fairchild Semiconductor KSA928aybu -
RFQ
ECAD 7501 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 1 W to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 500 30 V 2 a 100na(icbo) PNP 2V @ 30MA 、1.5a 160 @ 500MA 、2V 120MHz
FDN371N Fairchild Semiconductor FDN371N 1.0000
RFQ
ECAD 3691 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 FDN371 モスフェット(金属酸化物) SuperSot-3 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 20 v 2.5a(ta) 2.5V 、4.5V 50mohm @ 2.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 10.7 NC @ 4.5 v ±12V 815 PF @ 10 V - 500MW
KSA642YBU Fairchild Semiconductor KSA642YBU 0.0200
RFQ
ECAD 144 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 400 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 1,000 25 v 300 Ma 100na(icbo) PNP 600MV @ 30MA、300MA 120 @ 50MA、1V -
FFB2907A Fairchild Semiconductor FFB2907A 1.0000
RFQ
ECAD 4248 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 FFB2907 300MW SC-88 ダウンロード ear99 8541.21.0095 1 60V 600MA 20na(icbo) 2 PNP (デュアル) 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 250MHz
HUFA76409D3S Fairchild Semiconductor hufa76409d3s 0.2500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット(金属酸化物) TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,224 nチャネル 60 V 18a(tc) 4.5V 、10V 63mohm @ 18a 、10V 3V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±16V 485 PF @ 25 V - 49W (TC)
FJAF6810AYDTBTU Fairchild Semiconductor fjaf6810aydtbtu 0.5100
RFQ
ECAD 4819 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C (TJ) 穴を通して to-3p-3フルパック 60 W to-3pf - ROHS3準拠 2156-FJAF68101010AYDTBTU-FS ear99 8541.29.0095 30 750 V 10 a 1ma npn 3V @ 1.5a 、6a 5 @ 6a 、5V -
FQAF15N70 Fairchild Semiconductor FQAF15N70 2.7500
RFQ
ECAD 295 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット(金属酸化物) to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 360 nチャネル 700 V 9.5a 10V 560mohm @ 4.8a 、10V 5V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±30V 3600 PF @ 25 V - 120W (TC)
FLZ15VC Fairchild Semiconductor FLZ15VC 1.0000
RFQ
ECAD 2814 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3% -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 11 v 14.7 v 13.3オーム
1N5249B_NL Fairchild Semiconductor 1N5249B_NL 0.0200
RFQ
ECAD 66 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 14 V 19 v 23オーム
FDP15N50 Fairchild Semiconductor FDP15N50 2.0600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 500 V 15a(tc) 10V 380mohm @ 7.5a 、10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 V ±30V 1850 pf @ 25 v - 300W (TC)
HUFA75842S3S Fairchild Semiconductor hufa75842S3s 0.9000
RFQ
ECAD 542 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak(to-263) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 150 v 43a(tc) 10V 42mohm @ 43a 、10V 4V @ 250µA 175 NC @ 20 V ±20V 2730 PF @ 25 V - 230W
HUFA76432S3ST Fairchild Semiconductor hufa76432S3st 0.5100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak(to-263) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 60 V 59a(tc) 4.5V 、10V 17mohm @ 59a 、10V 3V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±16V 1765 PF @ 25 V - 130W
FQB5N50CFTM Fairchild Semiconductor fqb5n50cftm -
RFQ
ECAD 3311 0.00000000 フェアチャイルド半導体 FRFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak(to-263) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 58 nチャネル 500 V 5a(tc) 10V 1.55OHM @ 2.5A 、10V 4V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±30V 625 PF @ 25 V - 96W
FFAF20U120DNTU Fairchild Semiconductor FFAF20U120DNTU 2.6400
RFQ
ECAD 558 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して to-3p-3フルパック 標準 to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 1200 v 20a 3.5 V @ 20 a 120 ns 20 µA @ 1200 v -65°C〜150°C
FQD3N30TF Fairchild Semiconductor FQD3N30TF 0.2900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット(金属酸化物) TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 300 V 2.4a(tc) 10V 2.2OHM @ 1.2A 、10V 5V @ 250µA 7 NC @ 10 V ±30V 230 PF @ 25 V - 2.5w
FDD13AN06A0_NL Fairchild Semiconductor FDD13AN06A0_NL -
RFQ
ECAD 6377 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット(金属酸化物) TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 9.9a 6V 、10V 13.5mohm @ 50a 、10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±20V 1350 PF @ 25 V - 115W
BZX84C3V6 Fairchild Semiconductor BZX84C3V6 0.0200
RFQ
ECAD 131 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5% -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84C3 250 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.6 v 90オーム
MMSD459A Fairchild Semiconductor MMSD459A -
RFQ
ECAD 5817 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SOD-123 MMSD45 標準 SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 標準回復> 500ns 150°C (最大) - -
FJP3307DH2TU Fairchild Semiconductor FJP3307DH2TU 0.1700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 80 w TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 200 400 V 8 a - npn 3V @ 2a 、8a 26 @ 2a 、5V -
FDP032N08B Fairchild Semiconductor FDP032N08B -
RFQ
ECAD 2431 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-FDP032N08B-600039 1
FGA40T65UQDF Fairchild Semiconductor FGA40T65UQDF 1.9000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 標準 231 w to-3pn ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 400V 、40a 、6ohm15V 89 ns npt 650 V 80 a 120 a 1.67V @ 15V 、40a 989µj(on 310µj(オフ) 306 NC 32ns/271ns
IRF820B Fairchild Semiconductor IRF820B 1.0000
RFQ
ECAD 7283 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1
FCPF380N60 Fairchild Semiconductor FCPF380N60 1.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット(金属酸化物) TO-220F-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 204 nチャネル 600 V 10.2a 10V 380mohm @ 5a、10V 3.5V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±20V 1665 PF @ 25 V - 31W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫