画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | テスト条件 | 現在 | 電圧 | 電圧 -分離 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NZT6715 | - | ![]() | 3259 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | 1 W | SOT-223-4 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-NZT6715-600039 | 1 | 40 v | 1.5 a | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 100MA、1a | 60 @ 100MA、1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG40N60C3 | - | ![]() | 7264 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | UFS | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | 標準 | 291 w | TO-247 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-HGTG40N60C3-600039 | 1 | 480V 、40A、3OHM、15V | - | 600 V | 75 a | 300 a | 1.8V @ 15V 、40a | 850MJ | 395 NC | 47ns/185ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5257B | - | ![]() | 7381 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-1N5257B-600039 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 25 V | 33 v | 58オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSD4148-D87Z | - | ![]() | 7730 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | SOD-123 | 標準 | SOD-123 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-MMSD4148-D87Z-600039 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 150°C | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG7N60A4D | - | ![]() | 3040 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | SMPS | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | 標準 | 125 w | TO-247-3 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-HGTG7N60A4D-600039 | 1 | 390V 、7a、25OHM、15V | 34 ns | - | 600 V | 34 a | 56 a | 2.7V @ 15V 、7a | 55µj(on 60µj (オフ) | 37 NC | 11ns/100ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP50N06 | - | ![]() | 6246 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-RFP50N06-600039 | 1 | nチャネル | 60 V | 50a(tc) | 10V | 22mohm @ 50a 、10V | 4V @ 250µA | 150 NC @ 20 V | ±20V | 2020 PF @ 25 V | - | 131W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT6515 | - | ![]() | 1506 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-MMBT6515-600039 | 1 | 25 v | 200 ma | 50na(icbo) | npn | 500MV @ 5MA 、50ma | 250 @ 2MA 、10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3906T | - | ![]() | 2232 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | 250 MW | SOT-523F | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-MMBT3906T-600039 | 1 | 40 v | 200 ma | 50NA | PNP | 400mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 10ma、1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF9N50NZ | - | ![]() | 2422 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3フルパック/TO-220F-3SG | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-FDPF9N50NZ-600039 | 1 | nチャネル | 500 V | 9a(tc) | 10V | 800mohm @ 4.5a 、10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±30V | 1030 PF @ 25 V | - | 44W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT200 | - | ![]() | 9440 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-MMBT200-600039 | 1 | 45 v | 500 Ma | 50NA | PNP | 400MV @ 20MA 、200mA | 100 @ 150ma 、5v | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP5027RTU | - | ![]() | 2330 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | TO-220-3 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-FJP5027RTU-600039 | 1 | 10µa(icbo) | npn | 2V @ 300MA 、1.5a | 10 @ 200ma 、5v | 15MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5246et1g | - | ![]() | 3310 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-MMSZ5246ET1G-600039 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 100 na @ 12 v | 16 v | 17オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75332p3 | - | ![]() | 4297 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-HUF75332P3-600039 | 1 | nチャネル | 55 v | 60a(tc) | 10V | 19mohm @ 60a 、10v | 4V @ 250µA | 85 NC @ 20 V | ±20V | 1300 PF @ 25 V | - | 145W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ksc3265ymtf | - | ![]() | 4202 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 200 MW | SOT-23-3 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-ksc3265ymtf-600039 | 1 | 25 v | 800 Ma | 100NA | npn | 400mv @ 20ma 、500ma | 100 @ 100MA、1V | 120MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4744A-T50A | - | ![]() | 6004 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-1N4744A-T50A-600039 | 1 | 5 µA @ 11.4 v | 15 V | 14オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5259B | - | ![]() | 5042 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-1N5259B-600039 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 30 V | 39 v | 80オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB772ys | 0.2200 | ![]() | 43 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1,391 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC5305DFTTU-FS | 0.5100 | ![]() | 9836 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | KSC5305 | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 10µa(icbo) | npn | 500MV @ 400MA 、2a | 8 @ 2a、1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST06MTF-FS | - | ![]() | 4273 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | - | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 80 v | 500 Ma | 100NA | npn | 250MV @ 10MA 、100mA | 50 @ 100MA、1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9R1560G2-F085 | - | ![]() | 6001 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | 自動車、AEC-Q101、ステルス™ | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 116 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.2 V @ 15 a | 40 ns | 100 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 15a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBM10SH60A | 18.7300 | ![]() | 171 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | SPM® | バルク | アクティブ | 穴を通して | 32-POWERDIP モジュール(1.370 "、34.80mm) | IGBT | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 48 | 3フェーズ | 10 a | 600 V | 2500VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFR9024TF | 0.4400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | pチャネル | 60 V | 7.8a | 10V | 280mohm @ 3.9a 、10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ±30V | 600 PF @ 25 V | - | 2.5W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
FSBF3CH60B | 10.6700 | ![]() | 108 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Motion-SPM® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | 27-POWERDIP モジュール(1.205 "、30.60mm) | IGBT | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.39.0001 | 10 | 3フェーズ | 3 a | 600 V | 2500VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fqb6n40cftm | - | ![]() | 5098 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | FRFET™ | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 18 | nチャネル | 400 V | 6a(tc) | 10V | 1.1OHM @ 3A 、10V | 4V @ 250µA | 20 NC @ 10 V | ±30V | 625 PF @ 25 V | - | 113W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGPF7N60RUFDTU | 0.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | 標準 | 41 w | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 300V 、7a 、30OHM、15V | 65 ns | - | 600 V | 14 a | 21 a | 2.8V @ 15V 、7a | 230µj(オン)、100µj (オフ) | 24 NC | 60ns/60ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD5N15TF | 0.2000 | ![]() | 7085 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,301 | nチャネル | 150 v | 4.3a(tc) | 10V | 800mohm @ 2.15a 、10V | 4V @ 250µA | 7 NC @ 10 V | ±25V | 230 PF @ 25 V | - | 2.5w | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6299S | 1.8500 | ![]() | 25 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 21a(ta) | 4.5V 、10V | 3.9mohm @ 21a 、10V | 3V @ 1MA | 81 NC @ 10 V | ±20V | 3880 PF @ 15 V | - | 3w | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB20AN06A0 | 0.5500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 60 V | 9a(タタ)、45a(tc) | 10V | 20mohm @ 45a 、10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ±20V | 950 PF @ 25 V | - | 90W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGH15N120RUFDTU | 3.1200 | ![]() | 626 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | SGH15 | 標準 | 180 W | to-3p | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V、15a 、20ohm、15V | 100 ns | - | 1200 v | 24 a | 45 a | 3V @ 15V、15a | 108 NC | 20ns/60ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD241BTU | 0.2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 40 W | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 3 a | 300µA | npn | 1.2V @ 600MA、3a | 25 @ 1a 、4V | - |
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