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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 得 現在 電圧 電圧 -分離 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
FQPF44N08T Fairchild Semiconductor FQPF44N08T 0.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3フルパック FQPF4 モスフェット（金属酸化物） TO-220F - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 80 v 25a（tc） 10V 34mohm @ 12.5a 、10V 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±25V 1430 pf @ 25 v - 41W
FQB9N50TM Fairchild Semiconductor fqb9n50tm 0.9000
RFQ
 ECAD 485 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 500 V 9a（tc） 10V 730mohm @ 4.5a 、10V 5V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±30V 1450 PF @ 25 V - 3.13W
RFD16N05LSM Fairchild Semiconductor RFD16N05LSM 1.0000
RFQ
 ECAD 9892 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 50 v 16a（tc） 4V、5V 47mohm @ 16a 、5v 2V @ 250ma 80 NC @ 10 V ±10V - 60W （TC）
FDS6890A Fairchild Semiconductor FDS6890A -
RFQ
 ECAD 7131 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS6890 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 nチャンネル（デュアル） 20V 7.5a 18mohm @ 7.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 32NC @ 4.5V 2130pf @ 10V ロジックレベルゲート
MMBZ5239B Fairchild Semiconductor MMBZ5239B 0.0200
RFQ
 ECAD 379 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 3 µA @ 7 V 9.1 v 10オーム
HUF76132S3S Fairchild Semiconductor HUF76132S3S 0.9800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 75a（tc） 4.5V 、10V 11mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 52 NC @ 10 V ±20V 1650 PF @ 25 V - 120W （TC）
FQI17N08LTU Fairchild Semiconductor FQI17N08LTU 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 80 v 16.5a 5V、10V 100mohm @ 8.25a 、10V 2V @ 250µA 11.5 NC @ 5 V ±20V 520 PF @ 25 V - 3.75W （TA ）、65W（TC）
1N4748A Fairchild Semiconductor 1N4748A 0.0300
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード ear99 8541.10.0050 9,779 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 16.7 v 22 v 23オーム
BCX79 Fairchild Semiconductor BCX79 1.0000
RFQ
 ECAD 6250 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 45 v 500 Ma 10na PNP 600MV @ 2.5MA 、100MA 80 @ 10ma、1V -
FDB2572 Fairchild Semiconductor FDB2572 1.0000
RFQ
 ECAD 5398 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 150 v 4a（ta ）、29a（tc） 6V 、10V 54mohm @ 9a、10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 V ±20V 1770 PF @ 25 V - 135W
SFP9644 Fairchild Semiconductor SFP9644 0.7100
RFQ
 ECAD 3327 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 322 pチャネル 250 v 8.6a（tc） 10V 800mohm @ 4.3a 、10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 V ±30V 1565 PF @ 25 V - 123W
FDMS0302S Fairchild Semiconductor FDMS0302S -
RFQ
 ECAD 3283 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Powertrench®、Syncfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 29a 4.5V 、10V 1.9mohm @ 28a 、10v 3V @ 1MA 109 NC @ 10 V ±20V 7350 PF @ 15 V - 2.5w
FDD6030L Fairchild Semiconductor FDD6030L 0.8900
RFQ
 ECAD 637 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 339 nチャネル 30 V 12a（タタ）、50a（tc） 4.5V 、10V 14.5mohm @ 12a 、10V 3V @ 250µA 28 NC @ 5 V ±20V 1230 PF @ 15 V - 3.2W
FMG2G400US60 Fairchild Semiconductor FMG2G400US60 124.8000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - 箱 廃止 -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント 午後7時 1136 w 標準 午後7時 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 10 ハーフブリッジ - 600 V 400 a 2.7V @ 15V 、400A 250 µA いいえ
1N457TR Fairchild Semiconductor 1N457TR 0.0400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0070 8,172 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 70 v 1 V @ 20 mA 25 na @ 60 v 175°C （最大） 200mA 8pf @ 0V、1MHz
HUF75823D3S Fairchild Semiconductor HUF75823D3S 0.8700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 150 v 14a（tc） 10V 150mohm @ 14a 、10V 4V @ 250µA 54 NC @ 20 V ±20V 800 PF @ 25 V - 85W
FQP85N06 Fairchild Semiconductor FQP85N06 -
RFQ
 ECAD 8435 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 60 V 85a（tc） 10V 10mohm @ 42.5a 、10V 4V @ 250µA 112 NC @ 10 V ±25V 4120 PF @ 25 V - 160W
HUF76429D3ST Fairchild Semiconductor huf76429d3st 0.5300
RFQ
 ECAD 2959 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 404 nチャネル 60 V 20a（tc） 4.5V 、10V 23mohm @ 20a 、10v 3V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±16V 1480 PF @ 25 V - 110W
KSC2001GTA Fairchild Semiconductor KSC2001GTA 0.0200
RFQ
 ECAD 2346 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 600 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,934 25 v 700 Ma 100na（icbo） npn 600mv @ 70ma 、700ma 200 @ 100MA、1V 170MHz
KSD5041RTA Fairchild Semiconductor KSD5041RTA 0.1300
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 750 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 2,274 20 v 5 a 100na（icbo） npn 1V @ 100MA、3a 340 @ 500MA 、2V 150MHz
SSR2N60B Fairchild Semiconductor SSR2N60B 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 1.8a 10V 5OHM @ 900MA 、10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 25 V - 2.5W （TA ）、44W（TC）
FYPF2045DNTU Fairchild Semiconductor FYPF2045DNTU 0.5100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-3フルパック ショットキー TO-220F-3 ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 20a 700 mV @ 20 a 1 MA @ 45 v -65°C〜150°C
BZX79C2V4 Fairchild Semiconductor BZX79C2V4 0.0300
RFQ
 ECAD 379 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,539 1.5 V @ 100 MA 100 µA @ 1 V 2.4 v 100オーム
MMSZ5234B Fairchild Semiconductor MMSZ5234B 0.0200
RFQ
 ECAD 426 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント SOD-123 MMSZ5234 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 4 V 6.2 v 7オーム
KSC1393OTA Fairchild Semiconductor ksc1393ota 1.0000
RFQ
 ECAD 1984年年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 250MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 20db〜24db 30V 20ma npn 60 @ 2ma 、10V 700MHz 2db〜3db @ 200mhz
FSAM10SH60A Fairchild Semiconductor FSAM10SH60A -
RFQ
 ECAD 5405 0.00000000 フェアチャイルド半導体 モーションSPM®2 バルク 廃止 穴を通して 32-POWERDIP モジュール（1.370 "、34.80mm） IGBT - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-FSAM10SH60A-600039 1 3相インバーター 10 a 600 V 2500VRMS
NSR15405NXT5G Fairchild Semiconductor NSR15405NXT5G 0.1200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント 2-xdfn ショットキー 2-DSN （1.4x0.6 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-NSR15405NXT5G-600039 ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 40 v 590 mV @ 1.5 a 33 ns 75 µA @ 40 V 150°C （最大） 1.5a 85pf @ 2V、1MHz
SGR15N40LTM Fairchild Semiconductor SGR15N40LTM 0.8000
RFQ
 ECAD 765 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -40°C〜150°C （TJ 表面マウント to-252-3 SGR15 標準 45 W TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 - 溝 400 V 130 a 8V @ 4.5V 、130a - -
1N4755A Fairchild Semiconductor 1N4755A 0.0300
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して 1 W ダウンロード ear99 8541.10.0050 9,616 5 µA @ 32.7 v 43 v 70オーム
FQD6N40TM Fairchild Semiconductor FQD6N40TM 1.0000
RFQ
 ECAD 4740 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 400 V 4.2a（tc） 10V 1.15OHM @ 2.1A 、10V 5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±30V 620 PF @ 25 V - 2.5W （TA ）、50W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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