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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在-hold（ihmax） テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -状態外 現在 -state（it （rms 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） 現在 -非担当者サージ50、60Hz 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） 電圧 -状態（ vtm ）（最大） 現在 -オフステート（最大） scrタイプ ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1）
BZX55C39 Fairchild Semiconductor BZX55C39 0.0300
RFQ
 ECAD 8361 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 9,000 1.3 V @ 100 MA 100 Na @ 28 V 39 v 90オーム
SI6953DQ Fairchild Semiconductor SI6953DQ 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） SI6953 モスフェット（金属酸化物） 600MW 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 2,500 2 P-Channel （デュアル） 20V 1.9a（ta） 170mohm @ 1.9a 、10V 3V @ 250µA 10NC @ 10V 218pf @ 10V -
FGD3245G2 Fairchild Semiconductor FGD3245G2 1.0000
RFQ
 ECAD 4146 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 2,500
1N5394 Fairchild Semiconductor 1N5394 0.0400
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 標準 DO-15 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 4,000 標準回復> 500ns 300 V 1.4 V @ 1.5 a 5 µA @ 300 V -55°C〜150°C 1.5a 25pf @ 4V、1MHz
MJD45H11TF Fairchild Semiconductor MJD45H11TF -
RFQ
 ECAD 2319 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 MJD45 1.75 w TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 266 80 v 8 a 10µA PNP 1V @ 400MA 、8a 40 @ 4a、1V 40MHz
BC848BMTF Fairchild Semiconductor bc848bmtf 0.0200
RFQ
 ECAD 271 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 310 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 30 V 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 200 @ 2MA 、5V 300MHz
FJV3111RMTF Fairchild Semiconductor fjv3111rmtf -
RFQ
 ECAD 4062 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント TO-236-3 FJV311 200 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 40 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 1MA 、10ma 100 @ 1MA 、5V 250 MHz 22 Kohms
BC559CBU Fairchild Semiconductor BC559CBU 1.0000
RFQ
 ECAD 7622 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,000 30 V 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 420 @ 2MA 、5V 150MHz
PN2907TA Fairchild Semiconductor PN2907TA 0.0200
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 40 v 800 Ma 20na（icbo） PNP 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V -
HUF75545P3_NL Fairchild Semiconductor huf75545p3_nl 2.1100
RFQ
 ECAD 9855 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 100 nチャネル 80 v 75a（tc） 10V 10mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 235 NC @ 20 V ±20V 3750 PF @ 25 V - 270W
FDMC86320 Fairchild Semiconductor FDMC86320 -
RFQ
 ECAD 7757 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-mlp （3.3x3.3） ダウンロード 0000.00.0000 1 nチャネル 80 v 10.7a 8V 、10V 11.7mohm @ 10.7a 、10V 4.5V @ 250µA 41 NC @ 10 V ±20V 2640 PF @ 40 V - 2.3W
FFSH40120ADN-F155 Fairchild Semiconductor FFSH40120ADN-F155 1.0000
RFQ
 ECAD 7700 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-247-3 FFSH40120 sic （炭化シリコン）ショットキー To-247 Long Leads ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 1200 v 20a 1.75 V @ 20 a 200 µA @ 1200 v -55°C〜175°C
FDMA1028NZ Fairchild Semiconductor FDMA1028NZ 0.4600
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-vdfn露出パッド FDMA1028 モスフェット（金属酸化物） 700mw 6- マイクロフェット（2x2） ダウンロード ear99 8541.29.0095 654 2 nチャンネル（デュアル） 20V 3.7a 68mohm @ 3.7a 、4.5V 1.5V @ 250µA 6NC @ 4.5V 340pf @ 10V ロジックレベルゲート
FDH50N50_F133 Fairchild Semiconductor FDH50N50_F133 -
RFQ
 ECAD 7819 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 500 V 48a 105mohm @ 24a 、10V 5V @ 250µA 137 NC @ 10 V ±20V 6460 PF @ 25 V - 625W （TC）
FDP2552_NL Fairchild Semiconductor FDP2552_NL 1.0000
RFQ
 ECAD 2939 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 150 v 5a（ta ）、 37a（tc） 10V 36mohm @ 16a 、10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 V ±20V 2800 PF @ 25 V - 150W
MM3Z43VB Fairchild Semiconductor MM3Z43VB 0.0300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 mA 45 Na @ 30.1 v 43 v 141オーム
MMBT3702 Fairchild Semiconductor MMBT3702 0.0200
RFQ
 ECAD 8641 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 14,690 25 v 800 Ma 100na（icbo） PNP 250mv @ 5ma 、50ma 60 @ 50MA 、5V 100MHz
FDP040N06 Fairchild Semiconductor FDP040N06 1.7300
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 60 V 120a（tc） 10V 4mohm @ 75a 、10V 4.5V @ 250µA 133 NC @ 10 V ±20V 8235 PF @ 25 V - 231W
MMBTA55 Fairchild Semiconductor MMBTA55 -
RFQ
 ECAD 4591 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBTA55 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 60 V 500 Ma 100NA PNP 250MV @ 10MA 、100mA 100 @ 100MA、1V 50MHz
FDMS2508SDC Fairchild Semiconductor FDMS2508SDC 1.4300
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Dual Cool™、PowerTrench®、Syncfet™ バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 25 v 34a（タタ）、49a（tc） 4.5V 、10V 1.95mohm @ 28a 、10v 3V @ 1MA 69 NC @ 10 V ±20V 4515 PF @ 13 V - 3.3W （TA ）、78W（TC）
1N5242BTR Fairchild Semiconductor 1N5242BTR 0.0200
RFQ
 ECAD 103 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 9.1 v 12 v 30オーム
1N4755A Fairchild Semiconductor 1N4755A 0.0300
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して 1 W ダウンロード ear99 8541.10.0050 9,616 5 µA @ 32.7 v 43 v 70オーム
S1M Fairchild Semiconductor S1M 0.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA 標準 DO-214AC、SMA ダウンロード ear99 8541.10.0080 5,548 標準回復> 500ns 1000 V 1.1 V @ 1 a 1.5 µs 5 µA @ 1 V -50°C〜150°C 1a -
FGH40N65UFDTU-F085 Fairchild Semiconductor FGH40N65UFDTU-F085 -
RFQ
 ECAD 1254 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 標準 290 w TO-247 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 400V 、40a 、10ohm15V 65 ns フィールドストップ 650 V 80 a 120 a 2.4V @ 15V 、40a 1.28MJ 119 NC 23ns/126ns
FQB6N90TM Fairchild Semiconductor fqb6n90tm 1.0000
RFQ
 ECAD 1315 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 900 V 5.8a（tc） 10V 1.9OHM @ 2.9A 、10V 5V @ 250µA 52 NC @ 10 V ±30V 1880 PF @ 25 V - 3.13W （TA ）、167W （TC）
FQD6N40TM Fairchild Semiconductor FQD6N40TM 1.0000
RFQ
 ECAD 4740 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 400 V 4.2a（tc） 10V 1.15OHM @ 2.1A 、10V 5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±30V 620 PF @ 25 V - 2.5W （TA ）、50W（TC）
MCR100-8RLG Fairchild Semiconductor MCR100-8RLG -
RFQ
 ECAD 7605 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -40°C〜110°C 穴を通して TO-226-3 to-92（to-226） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.30.0080 2,000 5 Ma 600 V 800 Ma 800 mv 10a @ 60Hz 200 µA 1.7 v 10 µA 敏感なゲート
2N5210BU Fairchild Semiconductor 2N5210BU -
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 2N5210 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1 50 v 100 Ma 50NA npn 700MV @ 1MA 、10MA 200 @ 100µA 、5V 30MHz
SGR15N40LTM Fairchild Semiconductor SGR15N40LTM 0.8000
RFQ
 ECAD 765 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -40°C〜150°C （TJ 表面マウント to-252-3 SGR15 標準 45 W TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 - 溝 400 V 130 a 8V @ 4.5V 、130a - -
FQP5N40 Fairchild Semiconductor FQP5N40 -
RFQ
 ECAD 5148 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 400 V 4.5a 10V 1.6OHM @ 2.25A 、10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 460 PF @ 25 V - 70W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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