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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在 電圧 電圧 -分離 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
FDPF5N50UT Fairchild Semiconductor FDPF5N50UT 0.6400
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 FRFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 470 nチャネル 500 V 4a（tc） 10V 2OHM @ 2A 、10V 5V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±30V 650 PF @ 25 V - 28W （TC）
FDY100PZ Fairchild Semiconductor fdy100pz -
RFQ
 ECAD 9774 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-89 、SOT-490 モスフェット（金属酸化物） SOT-523F ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 pチャネル 20 v 350ma（ta） 1.8V 、4.5V 1.2OHM @ 350MA 、4.5V 1.5V @ 250µA 1.4 NC @ 4.5 v ±8V 100 pf @ 10 v - 625MW
FDMS3602S Fairchild Semiconductor FDMS3602S 1.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn FDMS3602 モスフェット（金属酸化物） 1W Power56 ダウンロード ear99 8542.39.0001 192 2 nチャンネル（デュアル） 25V 15a 、26a 5.6mohm @ 15a 、10V 3V @ 250µA 27NC @ 10V 1680pf @ 13V ロジックレベルゲート
FDB8870 Fairchild Semiconductor FDB8870 1.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 23a 4.5V 、10V 3.9mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 250µA 132 NC @ 10 V ±20V 5200 PF @ 15 V - 160W
RURP860 Fairchild Semiconductor Rurp860 -
RFQ
 ECAD 7415 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 標準 TO-220-2 ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 600 V 1.5 V @ 8 a 70 ns 100 µA @ 600 V -65°C〜175°C 8a -
FDMB3800N Fairchild Semiconductor FDMB3800N -
RFQ
 ECAD 6599 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN FDMB3800 モスフェット（金属酸化物） 750MW 8-MLP 、マイクロフェット（ 3x1.9） ダウンロード ear99 8542.39.0001 587 2 nチャンネル（デュアル） 30V 4.8a 40mohm @ 4.8a 、10V 3V @ 250µA 5.6NC @ 5V 465pf @ 15V ロジックレベルゲート
FNA40860 Fairchild Semiconductor FNA40860 9.1100
RFQ
 ECAD 364 0.00000000 フェアチャイルド半導体 spm®45 バルク アクティブ 穴を通して 26-POWERDIP モジュール（1.024 "、26.00mm IGBT ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 3フェーズ 8 a 600 V 2000VRMS
FDS6930A Fairchild Semiconductor FDS6930A 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS6930 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 946 2 nチャンネル（デュアル） 30V 5.5a 40mohm @ 5.5a 、10V 3V @ 250µA 7NC @ 5V 460pf @ 15V ロジックレベルゲート
FNE41060 Fairchild Semiconductor FNE41060 9.6300
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Motion-SPM® バルク アクティブ 穴を通して 26-POWERDIP モジュール（1.024 "、26.00mm - ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 - -
MBR1660 Fairchild Semiconductor MBR1660 1.0000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 ショットキー TO-220AC ダウンロード ear99 8541.10.0080 302 高速回復= <500ns 60 V 750 mV @ 16 a 1 MA @ 60 v -65°C〜150°C 16a 450pf @ 4V、1MHz
MM3Z24VB Fairchild Semiconductor MM3Z24VB 0.0300
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,539 1 V @ 10 mA 45 Na @ 16.8 v 24 v 65オーム
DFB2560 Fairchild Semiconductor DFB2560 1.7700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、TS-6p 標準 TS-6P ダウンロード ear99 8541.10.0080 170 1.1 V @ 25 a 10 µA @ 600 V 25 a 単相 600 V
HUF75842P3 Fairchild Semiconductor HUF75842p3 -
RFQ
 ECAD 1670 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 150 v 43a（tc） 10V 42mohm @ 43a 、10V 4V @ 250µA 175 NC @ 20 V ±20V 2730 PF @ 25 V - 230W
FCH077N65F-F085 Fairchild Semiconductor FCH077N65F-F085 6.1300
RFQ
 ECAD 148 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Automotive 、AEC-Q101、Superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ear99 8541.29.0095 49 nチャネル 650 V 54a（tc） 10V 77mohm @ 27a 、10V 5V @ 250µA 164 NC @ 10 V ±20V 7162 PF @ 25 V - 481W
BAT42XV2 Fairchild Semiconductor bat42xv2 -
RFQ
 ECAD 7273 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント SC-79、SOD-523 BAT42 ショットキー SOD-523F ダウンロード ear99 8541.10.0070 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 1 V @ 200 mA 5 ns 500 NA @ 25 V 125°C （最大） 200mA 7PF @ 1V、1MHz
BZX79C6V2-T50R Fairchild Semiconductor BZX79C6V2-T50R 0.0200
RFQ
 ECAD 810 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BZX79C6 500 MW DO-35 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 MA 3 µA @ 4 V 6.2 v 10オーム
FDMA1023PZ Fairchild Semiconductor FDMA1023PZ -
RFQ
 ECAD 3139 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-vdfn露出パッド FDMA1023 モスフェット（金属酸化物） 700mw 6- マイクロフェット（2x2） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 P-Channel （デュアル） 20V 3.7a 72mohm @ 3.7a 、4.5V 1.5V @ 250µA 12NC @ 4.5V 655pf @ 10V ロジックレベルゲート
FDMA6023PZT Fairchild Semiconductor FDMA6023PZT 0.3800
RFQ
 ECAD 369 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-udfn露出パッド FDMA6023 モスフェット（金属酸化物） 700mw 6- マイクロフェット（2x2） ダウンロード ear99 8542.39.0001 792 2 P-Channel （デュアル） 20V 3.6a 60mohm @ 3.6a 、4.5V 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V 885pf @ 10V ロジックレベルゲート
RGF1B Fairchild Semiconductor RGF1B 0.1300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA 標準 do-214ac ダウンロード ear99 8541.10.0080 2,392 高速回復= <500ns 100 V 1.3 V @ 1 a 150 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 8.5pf @ 4V、1MHz
NVMD3P03R2G Fairchild Semiconductor NVMD3P03R2G -
RFQ
 ECAD 3256 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） NVMD3 モスフェット（金属酸化物） 730MW 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 P-Channel （デュアル） 30V 2.34a 85mohm @ 3.05a 、10V 2.5V @ 250µA 25NC @ 10V 750pf @ 24V -
NTD24N06LT4G Fairchild Semiconductor NTD24N06LT4G -
RFQ
 ECAD 9924 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 NTD24 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 24a（ta） 5V 45mohm @ 10a 、5v 2V @ 250µA 32 NC @ 5 V ±15V 1140 PF @ 25 V - 1.36W （TA ）、62.5W（TJ）
FDV302P Fairchild Semiconductor FDV302P -
RFQ
 ECAD 8849 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 FDV30 モスフェット（金属酸化物） SOT-23 ダウンロード 0000.00.0000 1 pチャネル 25 v 120ma（ta） 2.7V 、4.5V 10OHM @ 200MA 、4.5V 1.5V @ 250µA 0.31 NC @ 4.5 v -8V 11000 pf @ 10 V - 350MW
MMBZ5221B Fairchild Semiconductor MMBZ5221B 0.0200
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ear99 8541.10.0050 15,000 900 mV @ 10 Ma 100 µA @ 1 V 2.4 v 30オーム
FDMC7200 Fairchild Semiconductor FDMC7200 -
RFQ
 ECAD 9382 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN FDMC72 モスフェット（金属酸化物） 700MW 、900MW 8-POWER33 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（デュアル） 30V 6a 、8a 23.5mohm @ 6a 、10V 3V @ 250µA 10NC @ 10V 660pf @ 15V ロジックレベルゲート
FDS86540 Fairchild Semiconductor FDS86540 2.8400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 18a（ta） 8V 、10V 4.5mohm @ 18a 、10V 4V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 6410 PF @ 30 V - 2.5W
RURG3060CC-F085 Fairchild Semiconductor rurg3060cc-f085 -
RFQ
 ECAD 6082 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ 穴を通して TO-247-3 標準 TO-247 ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 600 V 30a 1.5 V @ 30 a 80 ns 250 µA @ 600 V -55°C〜175°C
MM3Z24VC Fairchild Semiconductor MM3Z24VC 0.0300
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,539 1 V @ 10 mA 45 Na @ 16.8 v 24 v 65オーム
FQU5N60CTU Fairchild Semiconductor fqu5n60ctu 0.4300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ear99 8542.39.0001 695 nチャネル 600 V 2.8a（tc） 10V 2.5OHM @ 1.4A 、10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 V ±30V 670 PF @ 25 V - 2.5W
GBU8A Fairchild Semiconductor gbu8a 0.8200
RFQ
 ECAD 890 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -50°C〜150°C （TJ 穴を通して 4-ESIP 、GBU 標準 GBU ダウンロード ear99 8541.10.0080 367 1 V @ 8 a 5 µA @ 50 V 5.6 a 単相 50 v
MM3Z3V3B Fairchild Semiconductor MM3Z3V3B 1.0000
RFQ
 ECAD 5106 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F MM3Z3V3 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 mA 4.5 µA @ 1 V 3.3 v 89オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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