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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
1N5245B Fairchild Semiconductor 1N5245B 0.0300
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,539 100 na @ 11 v 15 V 16オーム
FDMS86152 Fairchild Semiconductor FDMS86152 2.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 114 nチャネル 100 V 14a（ta ）、45a（tc） 6V 、10V 6mohm @ 14a 、10v 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 3370 PF @ 50 V - 2.7W
GBPC1210 Fairchild Semiconductor GBPC1210 1.0000
RFQ
 ECAD 8187 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C QC端子 4 平方、GBPC 標準 GBPC ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 6 a 5 µA @ 1 V 12 a 単相 1 kV
1N5249BTR Fairchild Semiconductor 1N5249btr 0.0200
RFQ
 ECAD 138 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 14 V 19 v 23オーム
FQPF6N80T Fairchild Semiconductor FQPF6N80T 1.1600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 800 V 3.3a（tc） 10V 1.95OHM @ 1.65A 、10V 5V @ 250µA 31 NC @ 10 V ±30V 1500 PF @ 25 V - 51W （TC）
DF005S1 Fairchild Semiconductor DF005S1 0.2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 標準 4-sdip ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 1 a 3 µA @ 50 V 1 a 単相 50 v
FQP20N06L Fairchild Semiconductor FQP20N06L -
RFQ
 ECAD 2169 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 - 0000.00.0000 1 nチャネル 60 V 21a（tc） 5V、10V 55mohm @ 10.5a 、10V 2.5V @ 250µA 13 NC @ 5 V ±20V 630 PF @ 25 V - 53W
NSR01F30NXT5G Fairchild Semiconductor NSR01F30NXT5G 0.0700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント 0201 （0603 メトリック） ショットキー 2-DSN （0.60x0.30 ダウンロード ear99 8542.39.0001 4,157 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 500 mV @ 100 Ma 50 µA @ 30 V 125°C （最大） 100mA 7PF @ 5V、1MHz
FDS9435A Fairchild Semiconductor FDS9435A -
RFQ
 ECAD 8938 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 pチャネル 30 V 5.3a（ta） 4.5V 、10V 50mohm @ 5.3a 、10V 3V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±25V 528 PF @ 15 V - 2.5W
MM3Z56VC Fairchild Semiconductor MM3Z56VC -
RFQ
 ECAD 5457 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ 150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 mA 45 Na @ 39.2 v 56 v 188オーム
FGH30N6S2 Fairchild Semiconductor FGH30N6S2 0.9500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 標準 167 w TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 150 390v - 600 V 45 a 108 a 2.5V @ 15V 、12a 55µj（on ）、 100µj （オフ） 23 NC 6ns/40ns
FQPF9N50T Fairchild Semiconductor fqpf9n50t 0.9600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 500 V 5.3a（tc） 10V 730mohm @ 2.65a 、10V 5V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±30V 1450 PF @ 25 V - 50W （TC）
FQNL2N50BBU Fairchild Semiconductor fqnl2n50bbu -
RFQ
 ECAD 4931 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 モスフェット（金属酸化物） to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 6,000 nチャネル 500 V 350ma（tc） 10V 5.3OHM @ 175MA 、10V 3.7V @ 250µA 8 NC @ 10 V ±30V 230 PF @ 25 V - 1.5W
KBU6J Fairchild Semiconductor kbu6j 0.7100
RFQ
 ECAD 5162 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu 標準 KBU ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 84 1 V @ 6 a 10 µA @ 50 V 6 a 単相 600 V
FQPF30N06 Fairchild Semiconductor FQPF30N06 0.5300
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 60 V 21a（tc） 10V 40mohm @ 10.5a 、10V 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±25V 945 PF @ 25 V - 39W （TC）
HUF75337P3 Fairchild Semiconductor HUF75337p3 -
RFQ
 ECAD 2357 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 55 v 75a（tc） 10V 14mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 109 NC @ 20 V ±20V 1775 PF @ 25 V - 175W
FQB6N60TM Fairchild Semiconductor fqb6n60tm 1.3600
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 600 V 6.2a（tc） 10V 1.5OHM @ 3.1A 、10V 5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±30V 1000 pf @ 25 v - 3.13W （TA ）、 130W （TC）
FJPF6806DTU Fairchild Semiconductor FJPF6806DTU -
RFQ
 ECAD 7696 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 40 W TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 750 V 6 a 1ma npn 5V @ 1a 、4a 4 @ 4a 、5V -
HUFA76429D3S Fairchild Semiconductor hufa76429d3s 0.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 60 V 20a（tc） 4.5V 、10V 23mohm @ 20a 、10v 3V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±16V 1480 PF @ 25 V - 110W
HUF76639S3S Fairchild Semiconductor HUF76639S3S -
RFQ
 ECAD 3617 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 188 nチャネル 100 V 51a（tc） 4.5V 、10V 26mohm @ 51a 、10V 3V @ 250µA 86 NC @ 10 V ±16V 2400 PF @ 25 V - 180W
3N258 Fairchild Semiconductor 3N258 0.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、kbpm 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 30 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 800 V 2 a 単相 800 V
FQPF9N25CT Fairchild Semiconductor fqpf9n25ct 0.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 250 v 8.8a 10V 430mohm @ 4.4a 、10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 710 pf @ 25 v - 38W
FQD6N50CTF Fairchild Semiconductor fqd6n50ctf 0.6000
RFQ
 ECAD 750 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 500 V 4.5a 10V 1.2OHM @ 2.25A 、10V 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±30V 700 PF @ 25 V - 2.5W
HGTP14N36G3VL Fairchild Semiconductor HGTP14N36G3VL -
RFQ
 ECAD 8017 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -40°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 論理 100 W TO-220AB - 2156-HGTP14N36G3VL 1 - 溝 390 v 18 a 2.2V @ 5V、14a - 24 NC -
FQI19N20TU Fairchild Semiconductor FQI19N20TU 0.6700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 200 v 19.4a（tc） 10V 150mohm @ 9.7a 、10V 5V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±30V 1600 pf @ 25 v - 3.13W （TA ）、 140W （TC）
BZX85C5V1TR5K Fairchild Semiconductor bzx85c5v1tr5k 0.0600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al（do-41） ダウンロード 適用できない ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 2 V 5.1 v 10オーム
GBPC2506W Fairchild Semiconductor GBPC2506W -
RFQ
 ECAD 6685 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -65°C〜150°C 穴を通して 4平方、GBPC-W 標準 GBPC-W ダウンロード 0000.00.0000 1 1.1 V @ 12.5 a 5 µA @ 600 v 25 a 単相 600 V
NDS355AN-NB9L007A Fairchild Semiconductor NDS355AN-NB9L007A -
RFQ
 ECAD 3585 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156S355AN-NB9L007A-600039 1 nチャネル 30 V 1.7a（ta） 4.5V 、10V 85mohm @ 1.9a 、10V 2V @ 250µA 5 NC @ 5 V ±20V 195 pf @ 15 v - 500MW
FCH104N60 Fairchild Semiconductor FCH104N60 1.0000
RFQ
 ECAD 7227 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 FCH104 モスフェット（金属酸化物） TO-247-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 600 V 37a（tc） 10V 104mohm @ 18.5a 、10V 3.5V @ 250µA 82 NC @ 10 V ±20V 4165 PF @ 380 v - 357W
FQP2N80 Fairchild Semiconductor FQP2N80 0.7200
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 800 V 2.4a（tc） 10V 6.3OHM @ 1.2A 、10V 5V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±30V 550 PF @ 25 V - 85W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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