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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 現在 電圧 電圧 -分離 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
HUF76131SK8T Fairchild Semiconductor HUF76131SK8T 0.4900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 10a（ta） 4.5V 、10V 13mohm @ 10a 、10v 1V @ 250µA 47 NC @ 10 V ±20V 1605 PF @ 25 V - 2.5W
HUF76113DK8T Fairchild Semiconductor huf76113dk8t 0.5100
RFQ
 ECAD 77 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-VFSOP （0.091 "、幅2.30mm） HUF76113 モスフェット（金属酸化物） 2.5W US8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 2,500 2 nチャンネル（デュアル） 30V 6a（ta） 32mohm @ 6a 、10V 3V @ 250µA 19.2NC @ 10V 605pf @ 25V ロジックレベルゲート
2N4403RP Fairchild Semiconductor 2N4403RP 0.0200
RFQ
 ECAD 349 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 2N4403 625 MW to-92 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 1 40 v 600 Ma 100NA PNP 750mv @ 50ma 、500ma 60 @ 1MA 、10V 200MHz
2N4126 Fairchild Semiconductor 2N4126 0.0200
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 1 25 v 200 ma 50na（icbo） PNP 400mv @ 5ma 、50ma 120 @ 2MA、1V 250MHz
MPSA14D26Z Fairchild Semiconductor MPSA14D26Z -
RFQ
 ECAD 9603 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 30 V 1.2 a 100na（icbo） npn-ダーリントン 1.5V @ 100µA 、100mA 20000 @ 100MA 、5V 125MHz
FFPF06U20STU Fairchild Semiconductor FFPF06U20STU 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2フルパック 標準 TO-220F-2L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 200 v 1.2 V @ 6 a 35 ns 6 µA @ 200 V -65°C〜150°C 6a -
BC848B Fairchild Semiconductor BC848B 1.0000
RFQ
 ECAD 9265 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SOT-23 バルク アクティブ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 200 MW SOT-23 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 100 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 5MA 、100mA 200 @ 2MA 、5V 100MHz
FFPF15U20STU Fairchild Semiconductor FFPF15U20STU 1.0000
RFQ
 ECAD 2855 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2フルパック 標準 TO-220F-2L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 200 v 1.2 V @ 15 a 40 ns 15 µa @ 200 v -65°C〜150°C 15a -
1N5249B_NL Fairchild Semiconductor 1N5249B_NL 0.0200
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 14 V 19 v 23オーム
FFA30U20DNTU Fairchild Semiconductor FFA30U20DNTU 1.0000
RFQ
 ECAD 6455 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 標準 to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 30a 1.2 V @ 30 a 40 ns 30 µA @ 200 V -65°C〜150°C
IRFS530A Fairchild Semiconductor IRFS530A 0.4500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 100 V 10.7a（tc） 10V 110mohm @ 5.35a 、10V 4V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±20V 790 PF @ 25 V - 32W
IRFS520A Fairchild Semiconductor IRFS520A 0.3400
RFQ
 ECAD 2724 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 640 nチャネル 100 V 7.2a（tc） 10V 200mohm @ 3.6a 、10V 4V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 480 PF @ 25 V - 28W （TC）
IRFI630BTU Fairchild Semiconductor IRFI630BTU 0.2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 9a（tc） 10V 400mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±30V 720 PF @ 25 V - 3.13W （TA ）、72W（TC）
FFPF10U60STU Fairchild Semiconductor FFPF10U60STU 0.2700
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2フルパック 標準 TO-220F-2L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 1,110 高速回復= <500ns 600 V 2.2 V @ 10 a 90 ns 5 µA @ 600 v -65°C〜150°C 10a -
FDU6644 Fairchild Semiconductor FDU6644 1.4800
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK モスフェット（金属酸化物） TO-251 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 204 nチャネル 30 V 67a（ta） 4.5V 、10V 8.5mohm @ 16a 、10V 3V @ 250µA 35 NC @ 5 V ±16V 3087 PF @ 15 V - 1.6W
IRFR214BTFFP001 Fairchild Semiconductor IRFR214BTFFP001 0.1200
RFQ
 ECAD 8950 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 250 v 2.2a（tc） 10V 2OHM @ 1.1A 、10V 4V @ 250µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 275 pf @ 25 v - 2.5W （TA ）、25W（TC）
FDP6676S Fairchild Semiconductor FDP6676S 0.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 76a（ta） 4.5V 、10V 6.5mohm @ 38a 、10V 3V @ 1MA 56 NC @ 5 V ±16V 4853 PF @ 15 V - 70W
FDP7042L Fairchild Semiconductor FDP7042L 0.6600
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -65°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 50a（ta） 4.5V 、10V 7.5mohm @ 25a 、10V 2V @ 250ma 51 NC @ 4.5 v ±12V 2418 PF @ 15 V - 83W
1N4746A_NL Fairchild Semiconductor 1N4746A_NL 0.0400
RFQ
 ECAD 5615 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 13.7 v 18 v 20オーム
FSBM20SM60A Fairchild Semiconductor FSBM20SM60A 20.6100
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SPM® バルク アクティブ 穴を通して 32-POWERDIP モジュール（1.370 "、34.80mm） IGBT ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 48 3フェーズ 20 a 600 V 2500VRMS
FFPF10U20DNTU Fairchild Semiconductor FFPF10U20DNTU 0.2500
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-3フルパック 標準 TO-220F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 10a 1.2 V @ 10 a 35 ns 10 µA @ 200 v -65°C〜150°C
FDU8896_NL Fairchild Semiconductor FDU8896_NL 1.0000
RFQ
 ECAD 1286 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 17a 4.5V 、10V 5.7mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 2525 PF @ 15 V - 80W
FDU6692 Fairchild Semiconductor FDU6692 1.2800
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK モスフェット（金属酸化物） TO-251 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 54a（ta） 4.5V 、10V 12mohm @ 14a 、10V 3V @ 250µA 25 NC @ 5 V ±16V 2164 PF @ 15 V - 1.6W
FGP90N30TU Fairchild Semiconductor FGP90N30TU 1.0000
RFQ
 ECAD 1406 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 標準 192 w TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 - - 300 V 90 a 130 a 1.4V @ 15V 、20a - 130 NC -
1N4148_NL Fairchild Semiconductor 1N4148_NL 0.0200
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N4148 標準 DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 100 V 1 V @ 10 mA 4 ns 5 µA @ 75 V -65°C〜175°C 200mA 4PF @ 0V、1MHz
IRFI614BTUFP001 Fairchild Semiconductor IRFI614BTUFP001 0.1200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 250 v 2.8a（tc） 10V 2OHM @ 1.4A 、10V 4V @ 250µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 275 pf @ 25 v - 3.13W （TA ）、40W（TC）
FDW2509NZ Fairchild Semiconductor FDW2509NZ 0.4600
RFQ
 ECAD 220 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） FDW25 モスフェット（金属酸化物） 1.1W 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 2,500 2 nチャネル（デュアル）共通ドレイン 20V 7.1a（ta） 20mohm @ 7.1a 、4.5V 1.5V @ 250µA 19NC @ 4.5V 1263pf @ 10V -
2SD1111-AA Fairchild Semiconductor 2SD1111-AA 0.1200
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 600 MW 3-np ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 1 50 v 700 Ma 100na（icbo） npn-ダーリントン 1.2V @ 100µA 、100mA 5000 @ 50MA 、2V 200MHz
IRFW730BTMNL Fairchild Semiconductor IRFW730BTMNL 0.5900
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 400 V 5.5a（tc） 10V 1OHM @ 2.75A 、10V 4V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±30V 1000 pf @ 25 v - 3.13W （TA ）、73W（TC）
HUF76113T3ST Fairchild Semiconductor huf76113t3st 0.5500
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA モスフェット（金属酸化物） SOT-223-4 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 4.7a（ta） 4.5V 、10V 31mohm @ 4.7a 、10V 3V @ 250µA 20.5 NC @ 10 V ±20V 625 PF @ 25 V - 1.1W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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