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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
FDPF13N50FT Fairchild Semiconductor fdpf13n50ft 1.0200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 293 nチャネル 500 V 12a（tc） 10V 540mohm @ 6a 、10V 5V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±30V 1930 pf @ 25 v - 42W
KSD471AYBU Fairchild Semiconductor KSD471aybu 0.0500
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 800 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 30 V 1 a 100na（icbo） npn 500MV @ 100MA、1a 120 @ 100MA、1V 130MHz
1N5226B Fairchild Semiconductor 1N5226B 0.0300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0050 10,486 1.5 V @ 200 mA 25 µA @ 1 V 3.3 v 28オーム
2N5210TFR Fairchild Semiconductor 2N5210TFR 0.0200
RFQ
 ECAD 7068 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 - 適用できない ear99 8541.21.0095 2,000 50 v 100 Ma 50na（icbo） npn 700MV @ 1MA 、10MA 200 @ 100µA 、5V 30MHz
FQI9N25CTU Fairchild Semiconductor fqi9n25ctu 1.1200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 250 v 8.8a 10V 430mohm @ 4.4a 、10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 710 pf @ 25 v - 3.13W （TA ）、74W（TC）
FDV305N Fairchild Semiconductor FDV305N -
RFQ
 ECAD 6963 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 20 v 900ma（ta） 2.5V 、4.5V 220MOHM @ 900MA 、4.5V 1.5V @ 250µA 1.5 NC @ 4.5 v ±12V 109 pf @ 10 v - 350MW
FCH041N65EF Fairchild Semiconductor FCH041N65EF 8.3400
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ FCH041 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 -
FDS8962C Fairchild Semiconductor FDS8962C 1.0000
RFQ
 ECAD 8273 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS89 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,500 nおよびpチャネル 30V 7a 、5a 30mohm @ 7a 、10V 3V @ 250µA 26NC @ 10V 575pf @ 15V ロジックレベルゲート
TN6714A Fairchild Semiconductor TN6714A 0.2400
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 1 W TO-226-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 1,500 30 V 2 a 100na（icbo） npn 500MV @ 100MA、1a 50 @ 1a、1V -
HUF75343S3S Fairchild Semiconductor HUF75343S3S 1.1200
RFQ
 ECAD 4055 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 200 nチャネル 55 v 75a（tc） 10V 9mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 205 NC @ 20 V ±20V 3000 pf @ 25 v - 270W
MMBT2369A Fairchild Semiconductor MMBT2369A -
RFQ
 ECAD 3975 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBT2369 225 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 15 V 200 ma 400na（icbo） npn 500MV @ 10MA 、100mA 40 @ 10ma、1V -
1N6004B Fairchild Semiconductor 1N6004B 1.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 1.2 V @ 200 mA 100 na @ 11 v 15 V 32オーム
FQA9N90 Fairchild Semiconductor FQA9N90 -
RFQ
 ECAD 2716 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 900 V 8.6a（tc） 10V 1.3OHM @ 4.3A 、10V 5V @ 250µA 72 NC @ 10 V ±30V 2700 PF @ 25 V - 240W
RFD14N05 Fairchild Semiconductor RFD14N05 -
RFQ
 ECAD 1030 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 50 v 14a（tc） 10V 100mohm @ 14a 、10V 4V @ 250µA 40 NC @ 20 V ±20V 570 PF @ 25 V - 48W （TC）
FJAF4210RTU Fairchild Semiconductor FJAF4210RTU -
RFQ
 ECAD 9687 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3pfm、SC-93-3 80 w to-3pf-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 140 v 10 a 10µa（icbo） PNP 500MV @ 500MA 、5a 50 @ 3a 、4V 30MHz
FQB7N65CTM Fairchild Semiconductor FQB7N65CTM 1.4400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 650 V 7a（tc） 10V 1.4OHM @ 3.5A 、10V 4V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±30V 1245 PF @ 25 V - 173W
FDD6670S Fairchild Semiconductor FDD6670S 0.9800
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 64a（ta） 4.5V 、10V 9mohm @ 13.8a 、10V 3V @ 1MA 24 NC @ 10 V ±20V 2010 PF @ 15 V - 1.3W
FDFS2P102 Fairchild Semiconductor FDFS2P102 0.4300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,500 pチャネル 20 v 3.3a（ta） 4.5V 、10V 125mohm @ 3.3a 、10V 2V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±20V 270 pf @ 10 v ショットキーダイオード（分離） 900MW
MMBD1705 Fairchild Semiconductor MMBD1705 0.3400
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント TO-236-3 標準 SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通アノード 30 V 50ma 1.1 V @ 50 mA 700 ps 50 na @ 20 v 150°C （最大）
SFR9214TM Fairchild Semiconductor SFR9214TM 0.2400
RFQ
 ECAD 412 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 250 v 1.53a 10V 4OHM @ 770MA 、10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±30V 295 PF @ 25 V - 2.5w
BZX55C7V5_NL Fairchild Semiconductor BZX55C7V5_NL 0.0200
RFQ
 ECAD 8115 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 MA 100 Na @ 5 V 7.5 v 7オーム
BC636 Fairchild Semiconductor BC636 -
RFQ
 ECAD 8586 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 1 W to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 1 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 50MA 、500MA 40 @ 150ma 、2V 100MHz
FDS7296N3 Fairchild Semiconductor FDS7296N3 1.0700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 15a（ta） 4.5V 、10V 8mohm @ 15a 、10V 3V @ 250µA 32 NC @ 10 V ±20V 1540 PF @ 15 V - 3w
FDU6682 Fairchild Semiconductor FDU6682 0.6100
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK モスフェット（金属酸化物） TO-251 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 75a（ta） 4.5V 、10V 6.2mohm @ 17a 、10V 3V @ 250µA 31 NC @ 5 V ±20V 2400 PF @ 15 V - 1.6W
RGP10J Fairchild Semiconductor RGP10J 0.0600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 RGP10 標準 do-204al（do-41） ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 600 V 1.3 V @ 1 a 250 ns 5 µA @ 600 v -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
FQB34N20LTM Fairchild Semiconductor fqb34n20ltm 1.0000
RFQ
 ECAD 5650 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 200 v 31a（tc） 5V、10V 75mohm @ 15.5a 、10V 2V @ 250µA 72 NC @ 5 V ±20V 3900 PF @ 25 V - 3.13W （TA ）、 180W （TC
FCP099N60E Fairchild Semiconductor FCP099N60E -
RFQ
 ECAD 4506 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 37a（tc） 10V 99mohm @ 18.5a 、10V 3.5V @ 250µA 114 NC @ 10 V ±20V 3465 PF @ 380 v - 357W
MMBT3906SL Fairchild Semiconductor MMBT3906SL 0.0300
RFQ
 ECAD 119 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-923F 227 MW SOT-923F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 8,000 40 v 200 ma 50NA PNP 400mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 250MHz
1N5243B Fairchild Semiconductor 1N5243B 0.0300
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,539 900 mV @ 200 mA 500 NA @ 9.9 v 13 v 13オーム
FQD6P25TF Fairchild Semiconductor FQD6P25TF 0.6000
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 250 v 4.7a（tc） 10V 1.1OHM @ 2.35A 、10V 5V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±30V 780 PF @ 25 V - 2.5W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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