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離散半導体製品（5251）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
FDW2509NZ	0.4600	RFQ	220	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）	FDW25		モスフェット（金属酸化物）	1.1W		8-tssop	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	2,500	2 nチャネル（デュアル）共通ドレイン				20V	7.1a（ta）		20mohm @ 7.1a 、4.5V	1.5V @ 250µA	19NC @ 4.5V		1263pf @ 10V	-
SGF23N60UFTU	1.4200	RFQ	154	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	to-3p-3フルパック	SGF23N60	標準		75 W		to-3pf	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1				300V、12a 、23ohm、15V																		-	600 V	23 a	92 a	2.6V @ 15V 、12a	115µj（135µj （オフ）		17ns/60ns
SGS5N60RUFDTU	0.3700	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	SGS5N	標準		35 W		TO-220F-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	1,000				300V、5A 、40OHM、15V													55 ns					-	600 V	8 a	15 a	2.8V @ 15V 、5a	88µj（107µj （オフ）	16 NC	13NS/34NS
FDPF5N50NZU	0.7800	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	unifet-ii™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）			TO-220F-3	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			nチャネル		500 V	3.9a（tc）	10V	2OHM @ 1.95A 、10V	5V @ 250µA	12 NC @ 10 V	±25V	485 PF @ 25 V	-	30W （TC）
FDMS8690	0.8400	RFQ	433	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-POWERWDFN			モスフェット（金属酸化物）			8-MLP （5x6 ）、POWER56	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル		30 V	14a（ta ）、27a	4.5V 、10V	9mohm @ 14a 、10V	3V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	1680 PF @ 15 V	-	2.5W
FMG2G400LS60	-	RFQ	5933	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	午後7時	FMG2			1.136 w	標準	午後7時	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	ハーフブリッジ																					-	600 V	400 a		1.8V @ 15V 、400A						250 µA	いいえ
BZX85C11	0.0300	RFQ	19	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸				1 W		do-204al（do-41）	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	11,095																1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 7.7 v																11 v	8オーム
MMBZ5234B	-	RFQ	9072	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-	表面マウント	TO-236-3	MMBZ52			300 MW		SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																900 mV @ 10 Ma		5 µA @ 4 V																6.2 v	7オーム
KSB798GTF	0.1400	RFQ	27	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA				2 W		SOT-89-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0075	4,000																							25 v	1 a								100na（icbo）				PNP	400MV @ 100MA、1a	200 @ 100MA、1V	110MHz
FCI17N60	-	RFQ	7348	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ					FCI17		-				-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー				1													-
FFSPF0665A	-	RFQ	4447	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止			穴を通して	TO-220-2フルパック			sic （炭化シリコン）ショットキー			TO-220F-2FS	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-FFSPF0665A	ear99	8541.10.0080	1		回復時間なし> 500ma													650 V	1.75 V @ 6 a	0 ns	200 µA @ 650 V	-55°C〜175°C	6a	361pf @ 1V 、100kHz
RFD20N03SM9AR4770	0.8500	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ					RFD20		-				-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1													-
MMSZ5250B	-	RFQ	7912	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±5％	-	表面マウント	SOD-123	MMSZ52			500 MW		SOD-123	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1																900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 15 V																20 v	17オーム
Hufa76633S3S	-	RFQ	6617	フェアチャイルド半導体	ultrafet™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）			d2pak（to-263）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	383			nチャネル		100 V	39a	4.5V 、10V	35mohm @ 39a、10V	3V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±16V	1820 pf @ 25 v	-	145W
BC556CBU	-	RFQ	6600	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3				500 MW		to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	11,478																							65 v	100 Ma								15NA				PNP	650mv @ 5ma 、100ma	420 @ 2MA 、5V	150MHz
ksp2222ata	0.0500	RFQ	96	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3				625 MW		to-92-3	ダウンロード					ear99	8541.21.0075	6,497																							40 v	600 Ma								10na （icbo）				npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	300MHz
BZX55C5V6	0.0400	RFQ	149	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±7％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0050	1,000																1.3 V @ 100 MA		100 Na @ 1 V																5.6 v	25オーム
FQA10N60C	1.9700	RFQ	44	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	to-3p-3、SC-65-3			モスフェット（金属酸化物）			to-3p	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	30			nチャネル		600 V	10a（tc）	10V	730mohm @ 5a 、10V	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±30V	2040 PF @ 25 V	-	192W
BZX55C33	0.0600	RFQ	20	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±6％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0050	1,000																1.3 V @ 100 MA		100 Na @ 24 V																33 v	80オーム
FQP6N60C	0.8500	RFQ	20	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-220-3	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	353			nチャネル		600 V	5.5a（tc）	10V	2OHM @ 2.75A 、10V	4V @ 250µA	20 NC @ 10 V	±30V	810 pf @ 25 V	-	125W
FDMS8692	0.5000	RFQ	65	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）			8-PQFN	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル		30 V	12a（ta ）、28a（tc）	4.5V 、10V	9mohm @ 12a 、10V	3V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	1265 PF @ 15 V	-	2.5W
FDS7082N3	0.5300	RFQ	13	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）			8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル		30 V	17.5a	4.5V 、10V	6mohm @ 17.5a 、10V	3V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2271 PF @ 15 V	-	3W
HUF76139p3	0.9500	RFQ	12	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-220-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		30 V	75a（tc）	4.5V 、10V	7.5mohm @ 75a 、10V	3V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	165W
FDD4243	-	RFQ	4995	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-252	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			pチャネル		40 v	6.7a	4.5V 、10V	44mohm @ 6.7a 、10V	3V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1550 pf @ 20 v	-	42W
KBU8D	-	RFQ	4108	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip 、kbu			標準			KBU	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0080	200																1 V @ 8 a		10 µA @ 200 v		8 a										単相	200 v
FDC642P	0.2000	RFQ	6	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6			モスフェット（金属酸化物）			SuperSot™-6	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1,516			pチャネル		20 v	4a（ta）	2.5V 、4.5V	65mohm @ 4a 、4.5V	1.5V @ 250µA	16 NC @ 4.5 v	±8V	925 PF @ 10 V	-	1.6W
DF10S1	0.3400	RFQ	82	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼			標準			4-sdip	ダウンロード					ear99	8541.10.0080	882																1.1 V @ 1 a		3 µA @ 1 V		1 a										単相	1 kV
FDN357N	0.1500	RFQ	3	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			モスフェット（金属酸化物）			SOT-23-3	ダウンロード					ear99	8541.21.0095	1,976			nチャネル		30 V	1.9a（ta）	4.5V 、10V	60mohm @ 2.2a 、10V	2V @ 250µA	5.9 NC @ 5 V	±20V	235 pf @ 10 v	-	500MW
gbu6k	0.5800	RFQ	1860年	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-50°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-ESIP 、GBU			標準			GBU	ダウンロード					ear99	8541.10.0080	58																1 V @ 6 a		5 µA @ 800 V		4.2 a										単相	800 V
HUF75645S3S	0.8700	RFQ	375	フェアチャイルド半導体	ultrafet™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）			d2pak（to-263）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	400			nチャネル		100 V	75a（tc）	10V	14mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	238 NC @ 20 V	±20V	3790 PF @ 25 V	-	310W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²