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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
FLZ3V6B Fairchild Semiconductor flz3v6b 0.0200
RFQ
 ECAD 2081 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,077 1.2 V @ 200 mA 2.8 µA @ 1 V 3.7 v 48オーム
KSC2669YTA Fairchild Semiconductor ksc2669yta 0.0200
RFQ
 ECAD 9489 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 200 MW to-92 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,752 30 V 30 Ma 100na（icbo） npn 400MV @ 1MA 、10MA 120 @ 2MA、12V 250MHz
FQU5N60CTU Fairchild Semiconductor fqu5n60ctu 0.4300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ear99 8542.39.0001 695 nチャネル 600 V 2.8a（tc） 10V 2.5OHM @ 1.4A 、10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 V ±30V 670 PF @ 25 V - 2.5W
MMBD6050 Fairchild Semiconductor MMBD6050 0.0300
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 標準 SOT-23-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 70 v 1.1 V @ 100 MA 4 ns 100 Na @ 50 V -55°C〜150°C 200mA 2.5pf @ 0V、1MHz
FQI5N80TU Fairchild Semiconductor FQI5N80TU 0.8000
RFQ
 ECAD 993 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 800 V 4.8a（tc） 10V 2.6OHM @ 2.4A 、10V 5V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±30V 1250 PF @ 25 V - 3.13W （TA ）、 140W （TC）
FDP3652 Fairchild Semiconductor FDP3652 1.0000
RFQ
 ECAD 6194 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 100 V 9a（タタ61a（tc） 6V 、10V 16mohm @ 61a 、10v 4V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±20V 2880 PF @ 25 V - 150W
BZX79C47 Fairchild Semiconductor BZX79C47 0.0200
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BZX79C47 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 MA 50 Na @ 32.9 v 47 v 170オーム
FDU8876 Fairchild Semiconductor FDU8876 0.5500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 30 V 15a（タタ）、 73a（tc） 4.5V 、10V 8.2mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 250µA 47 NC @ 10 V ±20V 1700 PF @ 15 V - 70W
FDU8896 Fairchild Semiconductor FDU8896 0.7200
RFQ
 ECAD 116 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 30 V 17a 4.5V 、10V 5.7mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 2525 PF @ 15 V - 80W
FDD6688S Fairchild Semiconductor FDD6688S 1.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 88a（ta） 4.5V 、10V 5.1mohm @ 18.5a 、10V 3V @ 1MA 81 NC @ 10 V ±20V 3290 PF @ 15 V - 69W （TA）
FGA30N65SMD Fairchild Semiconductor FGA30N65SMD 2.1100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 FGA30N65 標準 300 W to-3pn ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 400V、30A、6OHM、15V 35 ns フィールドストップ 650 V 60 a 90 a 2.5V @ 15V 、30a 716µj（オン208µj（オフ） 87 NC 14ns/102ns
MBR3035PT Fairchild Semiconductor MBR3035PT -
RFQ
 ECAD 9503 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 ショットキー to-3p ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 30a 760 mV @ 30 a 1 MA @ 35 v -65°C〜150°C
SS8050DTA Fairchild Semiconductor SS8050DTA 0.0600
RFQ
 ECAD 620 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 1 W to-92-3 ダウンロード 0000.00.0000 5,124 25 v 1.5 a 100na（icbo） npn 500mv @ 80ma 、800ma 160 @ 100MA、1V 100MHz
SI6963DQ Fairchild Semiconductor SI6963DQ 0.2300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） SI6963 モスフェット（金属酸化物） 600MW 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 1 2 P-Channel （デュアル） 20V 3.8a（ta） 43mohm @ 3.8a 、4.5V 1.5V @ 250µA 16NC @ 4.5V 1015pf @ 10V -
SI4410DY Fairchild Semiconductor SI4410DY 1.0000
RFQ
 ECAD 9341 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 10a（ta） 4.5V 、10V 13.5mohm @ 10a 、10V 1V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 1350 PF @ 15 V - 2.5W
FQA19N60 Fairchild Semiconductor FQA19N60 -
RFQ
 ECAD 1324 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3pn ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 18.5a 10V 380mohm @ 9.3a 、10V 5V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±30V 3600 PF @ 25 V - 300W （TC）
HUF76609D3_NL Fairchild Semiconductor huf76609d3_nl -
RFQ
 ECAD 7166 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 238 nチャネル 100 V 10a（tc） 4.5V 、10V 160mohm @ 10a 、10V 3V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±16V 425 PF @ 25 V - 49W （TC）
HGT1S7N60A4DS9A Fairchild Semiconductor HGT1S7N60A4DS9A -
RFQ
 ECAD 9272 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 標準 125 w TO-263AB ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 390V 、7a、25OHM、15V 34 ns - 600 V 34 a 56 a 2.7V @ 15V 、7a 120µj（オン）、60µj （オフ） 60 NC 11ns/100ns
IRFW620BTM Fairchild Semiconductor IRFW620BTM 0.4000
RFQ
 ECAD 933 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 200 v 5a（tc） 10V 800mohm @ 2.5a 、10V 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±30V 390 PF @ 25 V - 3.13W （TA ）、47W（TC）
KSC5402DTTU-FS Fairchild Semiconductor KSC5402DTTU-FS 1.0000
RFQ
 ECAD 4033 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 50 W TO-220-3 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 450 v 2 a 100µA npn 750mv @ 200ma、1a 6 @ 1a、1V 11MHz
TIP32C Fairchild Semiconductor tip32c -
RFQ
 ECAD 4328 0.00000000 フェアチャイルド半導体 tip32c バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 2 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 476 100 V 3 a 300µA PNP 1.2V @ 375MA、3a 25 @ 1a 、4V 3MHz
FQI19N20TU Fairchild Semiconductor FQI19N20TU 0.6700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 200 v 19.4a（tc） 10V 150mohm @ 9.7a 、10V 5V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±30V 1600 pf @ 25 v - 3.13W （TA ）、 140W （TC）
NDS355AN-NB9L007A Fairchild Semiconductor NDS355AN-NB9L007A -
RFQ
 ECAD 3585 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156S355AN-NB9L007A-600039 1 nチャネル 30 V 1.7a（ta） 4.5V 、10V 85mohm @ 1.9a 、10V 2V @ 250µA 5 NC @ 5 V ±20V 195 pf @ 15 v - 500MW
MPSH17-D26Z Fairchild Semiconductor MPSH17-D26Z 0.0700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 2,000
SI3456DV Fairchild Semiconductor SI3456DV 0.1800
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 5.1a（ta） 4.5V 、10V 45mohm @ 5.1a 、10V 2V @ 250µA 12.6 NC @ 10 V ±20V 463 PF @ 15 V - 800MW
FQP2N80 Fairchild Semiconductor FQP2N80 0.7200
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 800 V 2.4a（tc） 10V 6.3OHM @ 1.2A 、10V 5V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±30V 550 PF @ 25 V - 85W
BC557BTF Fairchild Semiconductor BC557BTF -
RFQ
 ECAD 5902 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 934 45 v 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 200 @ 2MA 、5V 150MHz
FDD16AN08A0_NF054 Fairchild Semiconductor FDD16AN08A0_NF054 1.0000
RFQ
 ECAD 3965 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード 適用できない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 75 v 9a（タタ）、50a（tc） 6V 、10V 16mohm @ 50a 、10V 4V @ 250µA 47 NC @ 10 V ±20V 1874 PF @ 25 V - 135W
FCH104N60 Fairchild Semiconductor FCH104N60 1.0000
RFQ
 ECAD 7227 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 FCH104 モスフェット（金属酸化物） TO-247-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 600 V 37a（tc） 10V 104mohm @ 18.5a 、10V 3.5V @ 250µA 82 NC @ 10 V ±20V 4165 PF @ 380 v - 357W
FDMS7606 Fairchild Semiconductor FDMS7606 0.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 表面マウント 8-POWERWDFN FDMS76 モスフェット（金属酸化物） 1W Power56 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 11.5a 、12a 11.4mohm @ 11.5a 、10V 3V @ 250µA 22NC @ 10V 1400pf @ 15V ロジックレベルゲート
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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