画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 得 | 現在 | 電圧 | 電圧 -分離 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) | ノイズフィギュア(DBタイプ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HUF76131SK8T_NB82084 | - | ![]() | 8464 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | HUF76131 | - | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD442STU | 0.1900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-225AA、to-126-3 | BD442 | 36 W | TO-126-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 80 v | 4 a | 100µA | PNP | 800mv @ 200ma 、2a | 40 @ 500MA、1V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD3055 | 0.1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | to-251-3 | モスフェット(金属酸化物) | i-pak | ダウンロード | ROHS非準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 60 V | 12a(tc) | 10V | 150mohm @ 12a 、10V | 4V @ 250µA | 23 NC @ 20 V | ±20V | 300 pf @ 25 V | - | 53W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD3055SM9A | 0.4600 | ![]() | 2537 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 40 | nチャネル | 60 V | 12a(tc) | 10V | 150mohm @ 12a 、10V | 4V @ 250µA | 23 NC @ 20 V | ±20V | 300 pf @ 25 V | - | 53W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC80825MTF | 0.0400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 310 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 25 v | 800 Ma | 100NA | PNP | 700mv @ 50ma 、500ma | 160 @ 100MA、1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS654B | 1.0800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 250 v | 21a(tj) | 10V | 140mohm @ 10.5a 、10V | 4V @ 250µA | 123 NC @ 10 V | ±30V | 3400 PF @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ksp92ata | - | ![]() | 5567 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92-3 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-ksp92ata-600039 | 1 | 300 V | 500 Ma | 250na(icbo) | PNP | 500MV @ 2MA 、20MA | 40 @ 10ma 、10V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC32725TF | - | ![]() | 9485 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 v | 800 Ma | 100NA | PNP | 700mv @ 50ma 、500ma | 160 @ 100MA、1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS8947 | 0.9700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | NDS894 | モスフェット(金属酸化物) | 900MW | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 P-Channel (デュアル) | 30V | 4a | 65mohm @ 4a 、10V | 2.8V @ 250µA | 30NC @ 10V | 690pf @ 15V | ロジックレベルゲート | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA43 | 0.0700 | ![]() | 19 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92(to-226) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 200 v | 500 Ma | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 2MA 、20MA | 25 @ 1MA 、10V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDW2521C | 1.0000 | ![]() | 6749 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | FDW25 | モスフェット(金属酸化物) | 600MW | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | nおよびpチャネル | 20V | 5.5a 、3.8a | 21mohm @ 5.5a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 17NC @ 4.5V | 1082pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6982 | - | ![]() | 3920 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FDS69 | モスフェット(金属酸化物) | 900MW | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 6.3a 、8.6a | 28mohm @ 6.3a 、10V | 3V @ 250µA | 12NC @ 5V | 760pf @ 10V | ロジックレベルゲート | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | hufa75321S3st | 0.7700 | ![]() | 16 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 55 v | 35a(tc) | 10V | 34mohm @ 35a 、10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 20 V | ±20V | 680 PF @ 25 V | - | 93W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDJ127P | 0.5100 | ![]() | 43 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-75-6 FLMP | モスフェット(金属酸化物) | SC75-6 FLMP | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 4.1a(ta) | 1.8V 、4.5V | 60mohm @ 4.1a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 10 NC @ 4.5 v | ±8V | 780 PF @ 10 V | - | 1.6W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N462A | 0.0400 | ![]() | 1791 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | ear99 | 8541.10.0070 | 765 | 標準回復> 500ns | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | But12a | 0.9400 | ![]() | 820 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 100 W | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 200 | 450 v | 8 a | 1ma | npn | 1.5V @ 1.2a 、6a | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJNS3206RTA | 0.0200 | ![]() | 6358 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | TO-226-3 | FJNS32 | 300 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,900 | 50 v | 100 Ma | 100na(icbo) | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 68 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C3V0 | 0.0200 | ![]() | 4234 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±7% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 7,295 | 1.3 V @ 100 MA | 4 µA @ 1 V | 3 v | 85オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76143S3 | 0.7500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU8896_NL | 1.0000 | ![]() | 1286 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | to-251-3 | モスフェット(金属酸化物) | i-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 30 V | 17a | 4.5V 、10V | 5.7mohm @ 35a 、10V | 2.5V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 2525 PF @ 15 V | - | 80W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC5321TU | 0.2400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 未定義のベンダー | 2156-KSC5321TU-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1319S-AA | 0.1000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-2SA1319S-AA-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS9933bz | 0.5100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FDS99 | モスフェット(金属酸化物) | 900MW | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 P-Channel (デュアル) | 20V | 4.9a | 46mohm @ 4.9a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 15NC @ 4.5V | 985pf @ 10V | ロジックレベルゲート | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ksc1393obu | 0.0200 | ![]() | 3503 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 250MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 3,035 | 20db〜24db | 30V | 20ma | npn | 60 @ 2ma 、10V | 700MHz | 2db〜3db @ 200mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY4012R | 1.0000 | ![]() | 7665 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | FJY401 | 200 MW | SOT-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 100 Ma | 100na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 1MA 、10ma | 100 @ 1MA 、5V | 200 MHz | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5243B | - | ![]() | 9857 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 13オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB86102LZ | 0.8700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 345 | nチャネル | 100 V | 8.3a | 4.5V 、10V | 24mohm @ 8.3a 、10V | 3V @ 250µA | 21 NC @ 10 V | ±20V | 1275 PF @ 50 V | - | 3.1W | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FNE41060 | 9.6300 | ![]() | 63 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Motion-SPM® | バルク | アクティブ | 穴を通して | 26-POWERDIP モジュール(1.024 "、26.00mm | - | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSB70550 | 6.6400 | ![]() | 897 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | モーションSPM®7 | バルク | アクティブ | 表面マウント | 27-POWERLQFNモジュール | モスフェット | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 49 | 3フェーズ | 5.3 a | 500 V | 1500VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z16VC | - | ![]() | 1740 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | c | バルク | アクティブ | ±5% | 150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-MM3Z16VC-600039 | 1 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 11.2 v | 16 v | 37オーム |
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