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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 現在 電圧 電圧 -分離 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
FJV4102RMTF Fairchild Semiconductor fjv4102rmtf 0.0300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 FJV410 200 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 30 @ 5MA 、5V 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
FDS8928A Fairchild Semiconductor FDS8928A 1.0000
RFQ
 ECAD 1457 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS89 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ear99 8541.21.0095 1 nおよびpチャネル 30V 、20V 5.5a 、4a 30mohm @ 5.5a 、4.5V 1V @ 250µA 28NC @ 4.5V 900pf @ 10V ロジックレベルゲート
HUFA75433S3ST Fairchild Semiconductor Hufa75433S3st 1.1800
RFQ
 ECAD 520 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-HUFA75433S3ST ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 64a（tc） 10V 16mohm @ 64a 、10V 4V @ 250µA 117 NC @ 20 V ±20V 1550 PF @ 25 V - 150W
HUF75842P3 Fairchild Semiconductor HUF75842p3 -
RFQ
 ECAD 1670 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 150 v 43a（tc） 10V 42mohm @ 43a 、10V 4V @ 250µA 175 NC @ 20 V ±20V 2730 PF @ 25 V - 230W
FDS6930A Fairchild Semiconductor FDS6930A 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS6930 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 946 2 nチャンネル（デュアル） 30V 5.5a 40mohm @ 5.5a 、10V 3V @ 250µA 7NC @ 5V 460pf @ 15V ロジックレベルゲート
FJN4310RBU Fairchild Semiconductor FJN4310RBU 0.0200
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 FJN431 300 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,000 40 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 1MA 、10ma 100 @ 1MA 、5V 200 MHz 10 Kohms
1N5229BTR Fairchild Semiconductor 1N5229btr 0.0300
RFQ
 ECAD 155 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して 500 MW ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,539 5 µA @ 1 V 4.3 v 22オーム
FQN1N50CBU Fairchild Semiconductor fqn1n50cbu -
RFQ
 ECAD 8745 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 モスフェット（金属酸化物） to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 1,447 nチャネル 500 V 380ma 10V 6OHM @ 190MA 、10V 4V @ 250µA 6.4 NC @ 10 V ±30V 195 pf @ 25 v - 890MW
RURP820CC Fairchild Semiconductor Rurp820cc 0.5200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-3 雪崩 TO-220AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 8a 975 mV @ 8 a 13 ns 100 µA @ 200 V -65°C〜175°C
FES16DTR Fairchild Semiconductor FES16DTR 1.0000
RFQ
 ECAD 3870 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 標準 TO-220-2 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 200 v 950 mv @ 8 a 35 ns 10 µA @ 200 v -65°C〜150°C 16a 170pf @ 4V、1MHz
1N914BWT Fairchild Semiconductor 1N914BWT 0.0200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523F 1N914B 標準 SOD-523F ダウンロード ear99 8541.10.0070 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 75 v 1 V @ 100 MA 4 ns 5 µA @ 75 V -55°C〜150°C 200mA 4PF @ 0V、1MHz
2N7002-G Fairchild Semiconductor 2N7002-G -
RFQ
 ECAD 4946 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 2N7002 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-2N7002-G ear99 8541.21.0095 1 nチャネル 60 V 115ma 5V、10V 7.5OHM @ 500MA 、10V 2.5V @ 250µA ±20V 50 pf @ 25 V - 200MW
FDB8876 Fairchild Semiconductor FDB8876 0.4800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 30 V 71a（tc） 4.5V 、10V 8.5mohm @ 40a 、10V 2.5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±20V 1700 PF @ 15 V - 70W
KSC1008OTA Fairchild Semiconductor KSC1008OTA 0.1500
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 800 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 60 V 700 Ma 100na（icbo） npn 400mv @ 50ma 、500ma 70 @ 50ma 、2V 50MHz
FDS6676S Fairchild Semiconductor FDS6676S 0.6400
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 14.5a 4.5V 、10V 7.5mohm @ 14.5a 、10V 3V @ 1MA 60 NC @ 5 V ±16V 4665 PF @ 15 V - 1W
MPSA93 Fairchild Semiconductor MPSA93 0.0700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92（to-226） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 200 v 500 Ma 250na（icbo） PNP 400mv @ 2ma 、20ma 25 @ 30ma 、10V 50MHz
1N6011B Fairchild Semiconductor 1N6011B 1.8400
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 23 V 30 V 78オーム
1N5226B Fairchild Semiconductor 1N5226B 0.0300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0050 10,486 1.5 V @ 200 mA 25 µA @ 1 V 3.3 v 28オーム
PN3642 Fairchild Semiconductor PN3642 0.0500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 45 v 500 Ma 50NA npn 220MV @ 15MA、150MA 40 @ 150ma 、10V -
FSBM15SH60 Fairchild Semiconductor FSBM15SH60 20.0000
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SPM® チューブ 廃止 穴を通して 32-POWERDIP モジュール（1.370 "、34.80mm） IGBT ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 48 3フェーズ 15 a 600 V 2500VRMS
UF4003 Fairchild Semiconductor UF4003 0.1000
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 UF400 標準 DO-41 ダウンロード ear99 8541.10.0080 2,950 高速回復= <500ns 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µA @ 200 V -50°C〜175°C 1a -
FFP08D60L2 Fairchild Semiconductor FFP08D60L2 -
RFQ
 ECAD 8812 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 標準 TO-220-2 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 高速回復= <500ns 600 V 3.6 V @ 8 a 25 ns 10 µA @ 600 V -65°C〜150°C 8a -
1N4748ATR Fairchild Semiconductor 1N4748ATR 0.0300
RFQ
 ECAD 3946 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 16.7 v 22 v 23オーム
SFI9510TU Fairchild Semiconductor SFI9510TU 0.7300
RFQ
 ECAD 950 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 100 V 3.6a（tc） 10V 1.2OHM @ 1.8A 、10V 4V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±30V 335 PF @ 25 V - 3.8W （TA）、 32W （TC）
MMSZ4702 Fairchild Semiconductor MMSZ4702 0.0300
RFQ
 ECAD 4562 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-MMSZ4702-600039 ear99 8541.10.0080 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 11.4 v 15 V
ISL9V3036D3ST Fairchild Semiconductor ISL9V3036D3ST 1.9600
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ecospark® バルク 廃止 -40°C〜175°C 表面マウント to-252-3 論理 150 W TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 300V、1KOHM - 360 v 21 a 1.6V @ 4V 、6a - 17 NC -/4.8µs
KSC2328AOBU Fairchild Semiconductor KSC2328AOBU 0.0500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 1 W to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 6,107 30 V 2 a 100na（icbo） npn 2V @ 30MA 、1.5a 100 @ 500MA 、2V 120MHz
SS9015CBU Fairchild Semiconductor SS9015CBU 0.0200
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 450 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,000 45 v 100 Ma 50na（icbo） PNP 700MV @ 5MA 、100mA 200 @ 1MA 、5V 190MHz
FPDB50PH60 Fairchild Semiconductor FPDB50PH60 39.0400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PFCSPM®3 チューブ アクティブ 穴を通して 27-POWERDIP モジュール（1.205 "、30.60mm） IGBT FPDB50 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1 2フェーズ 30 a 600 V 2500VRMS
BC33716BU Fairchild Semiconductor BC33716BU 0.0400
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 7,474 45 v 800 Ma 100NA npn 700mv @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA、1V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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