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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 入力タイプ 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在の評価（ amp） テスト条件 電力 -出力 得 現在 電圧 電圧 -分離 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
MMBT2369A Fairchild Semiconductor MMBT2369A -
RFQ
 ECAD 3975 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBT2369 225 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 15 V 200 ma 400na（icbo） npn 500MV @ 10MA 、100mA 40 @ 10ma、1V -
FQP18N50V2 Fairchild Semiconductor FQP18N50V2 4.0400
RFQ
 ECAD 590 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 500 V 18a（tc） 10V 265mohm @ 9a、10V 5V @ 250µA 55 NC @ 10 V ±30V 3290 PF @ 25 V - 208W
SGH40N60UFTU Fairchild Semiconductor SGH40N60UFTU 3.7900
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 SGH40N60 標準 160 W to-3p ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 300V 、20A 、10OHM15V - 600 V 40 a 160 a 2.6V @ 15V 、20a 160µj（on200µj（オフ） 97 NC 15ns/65ns
FDMS0349 Fairchild Semiconductor FDMS0349 0.1800
RFQ
 ECAD 215 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 14a（タタ20a 4.5V 、10V 8mohm @ 14a 、10V 3V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 1410 PF @ 15 V - 2.5W （TA ）、27W （TC）
FDU6688 Fairchild Semiconductor FDU6688 1.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 30 V 84a（ta） 4.5V 、10V 5mohm @ 18a 、10V 3V @ 250µA 56 NC @ 5 V ±20V 3845 PF @ 15 V - 83W
SFP9Z24 Fairchild Semiconductor SFP9Z24 0.1900
RFQ
 ECAD 9251 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,489 pチャネル 60 V 9.7a（tc） 10V 280mohm @ 4.9a 、10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 V ±30V 600 PF @ 25 V - 49W （TC）
IRFW730BTMNL Fairchild Semiconductor IRFW730BTMNL 0.5900
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 400 V 5.5a（tc） 10V 1OHM @ 2.75A 、10V 4V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±30V 1000 pf @ 25 v - 3.13W （TA ）、73W（TC）
KSD1588YTU Fairchild Semiconductor KSD1588YTU 0.6100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2 W TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 496 60 V 7 a 10µa（icbo） npn 500MV @ 500MA 、5a 100 @ 3a、1V -
ISL9K860P3 Fairchild Semiconductor ISL9K860p3 -
RFQ
 ECAD 8630 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Stealth™ チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 標準 TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 400 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 600 V 8a 2.4 V @ 8 a 30 ns 100 µA @ 600 V -55°C〜175°C
2SA1381CSTU Fairchild Semiconductor 2SA1381CSTU 0.1000
RFQ
 ECAD 7907 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-225AA、to-126-3 7 W TO-126-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 400 300 V 100 Ma 100na（icbo） PNP 600mv @ 2ma 、20ma 40 @ 10ma 、10V 150MHz
MMBF5484 Fairchild Semiconductor MMBF5484 -
RFQ
 ECAD 6373 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 25 v 表面マウント TO-236-3 400MHz jfet SOT-23-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 5MA - - 4db 15 V
HUF75531SK8T Fairchild Semiconductor HUF75531SK8T -
RFQ
 ECAD 5192 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 80 v 6a（ta） 10V 30mohm @ 6a 、10V 4V @ 250µA 82 NC @ 20 V ±20V 1210 pf @ 25 v - 2.5W
FDMC7200 Fairchild Semiconductor FDMC7200 -
RFQ
 ECAD 9382 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN FDMC72 モスフェット（金属酸化物） 700MW 、900MW 8-POWER33 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（デュアル） 30V 6a 、8a 23.5mohm @ 6a 、10V 3V @ 250µA 10NC @ 10V 660pf @ 15V ロジックレベルゲート
RFD14N05 Fairchild Semiconductor RFD14N05 -
RFQ
 ECAD 1030 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 50 v 14a（tc） 10V 100mohm @ 14a 、10V 4V @ 250µA 40 NC @ 20 V ±20V 570 PF @ 25 V - 48W （TC）
2N3904TA Fairchild Semiconductor 2N3904TA 1.0000
RFQ
 ECAD 8415 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 40 v 200 ma - npn 300mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 300MHz
RHRA1560CC Fairchild Semiconductor RHRA1560cc 2.6100
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 標準 to-3pn ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 600 V 15a 2.1 V @ 15 a 40 ns 100 µA @ 600 V -65°C〜175°C
FDD5680 Fairchild Semiconductor FDD5680 -
RFQ
 ECAD 1442 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 8.5a（ta） 6V 、10V 21mohm @ 8.5a 、10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±20V 1835 pf @ 30 v - 2.8W
FJP2145TU Fairchild Semiconductor FJP2145TU 1.0000
RFQ
 ECAD 4498 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ESBC™ バルク アクティブ -55°C〜125°C（TJ） 穴を通して TO-220-3 FJP214 120 w TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 800 V 5 a 10µa（icbo） npn 2V @ 300MA 、1.5a 20 @ 200ma 、5v 15MHz
FQA10N80C Fairchild Semiconductor FQA10N80C -
RFQ
 ECAD 6988 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 800 V 10a（tc） 10V 1.1OHM @ 5A 、10V 5V @ 250µA 58 NC @ 10 V ±30V 2800 PF @ 25 V - 240W
BAT54-FS Fairchild Semiconductor bat54-fs 1.0000
RFQ
 ECAD 6262 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ BAT54 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000
FQPF5N50 Fairchild Semiconductor FQPF5N50 0.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 500 V 3a（tc） 10V 1.8OHM @ 1.5A 、10V 5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±30V 610 pf @ 25 v - 39W （TC）
IRFS150A Fairchild Semiconductor IRFS150A 0.5200
RFQ
 ECAD 5761 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット（金属酸化物） to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 14 nチャネル 100 V 31a（tc） 10V 40mohm @ 15.5a 、10V 4V @ 250µA 97 NC @ 10 V ±20V 2270 PF @ 25 V - 100W （TC）
1N4750ATR Fairchild Semiconductor 1N4750ATR 0.0300
RFQ
 ECAD 338 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,053 5 µA @ 20.6 v 27 v 35オーム
KST92MTF Fairchild Semiconductor KST92MTF -
RFQ
 ECAD 7917 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 KST92 250 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 2,000 300 V 500 Ma 250na（icbo） PNP 500MV @ 2MA 、20MA 25 @ 30ma 、10V 50MHz
FCAS20DN60BB Fairchild Semiconductor fcas20dn60bb 11.7500
RFQ
 ECAD 141 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SPM® チューブ 廃止 穴を通して 20-POWERSIP モジュール、形成されたリード IGBT ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 11 2フェーズ 20 a 600 V 1500VRMS
FDC642P Fairchild Semiconductor FDC642P 0.2000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1,516 pチャネル 20 v 4a（ta） 2.5V 、4.5V 65mohm @ 4a 、4.5V 1.5V @ 250µA 16 NC @ 4.5 v ±8V 925 PF @ 10 V - 1.6W
FLZ2V2B Fairchild Semiconductor flz2v2b 0.0200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±4％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 55 µA @ 700 mV 2.3 v 35オーム
SS8550CTA Fairchild Semiconductor SS8550CTA 0.0600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 1 W to-92-3 ダウンロード ear99 8541.29.0075 4,948 25 v 1.5 a 100na（icbo） PNP 500mv @ 80ma 、800ma 120 @ 100MA、1V 200MHz
HUFA75645P3 Fairchild Semiconductor Hufa75645p3 1.1800
RFQ
 ECAD 5354 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2 nチャネル 100 V 75a（tc） 10V 14mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 238 NC @ 20 V ±20V 3790 PF @ 25 V - 310W
NDS9435A Fairchild Semiconductor NDS9435A -
RFQ
 ECAD 7896 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 30 V 5.3a（ta） 4.5V 、10V 50mohm @ 5.3a 、10V 3V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±25V 528 PF @ 15 V - 2.5W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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