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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 現在 電圧 電圧 -分離 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
FQPF2N60C Fairchild Semiconductor FQPF2N60C 0.6000
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 501 nチャネル 600 V 2a（tc） 10V 4.7OHM @ 1A 、10V 4V @ 250µA 12 NC @ 10 V ±30V 235 pf @ 25 v - 23W （TC）
FDP8880 Fairchild Semiconductor FDP8880 0.5200
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 573 nチャネル 30 V 11a（タタ）、 54a（tc） 4.5V 、10V 11.6mohm @ 40a、10v 2.5V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±20V 1240 PF @ 15 V - 55W （TC）
FGP20N6S2D Fairchild Semiconductor FGP20N6S2D -
RFQ
 ECAD 2535 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 標準 125 w TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 390V 、7a、25OHM、15V 31 ns - 600 V 28 a 40 a 2.7V @ 15V 、7a 25µj（on ）、 58µj（オフ） 30 NC 7.7ns/87ns
FDS4435A Fairchild Semiconductor FDS4435A 1.2100
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 30 V 9a（ta） 4.5V 、10V 17mohm @ 9a 、10v 2V @ 250µA 30 NC @ 5 V ±20V 2010 PF @ 15 V - 2.5W
FDMC8200 Fairchild Semiconductor FDMC8200 -
RFQ
 ECAD 7271 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-FDMC8200-600039 ear99 8541.29.0095 1
IRFS740B Fairchild Semiconductor IRFS740B -
RFQ
 ECAD 8436 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1
BUT12A Fairchild Semiconductor But12a 0.9400
RFQ
 ECAD 820 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 100 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 200 450 v 8 a 1ma npn 1.5V @ 1.2a 、6​​a - -
FDB2570 Fairchild Semiconductor FDB2570 1.4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -65°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 150 v 22a（ta） 6V 、10V 80mohm @ 11a 、10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 V ±20V 1911 PF @ 75 v - 93W
IRFW620BTM Fairchild Semiconductor IRFW620BTM 0.4000
RFQ
 ECAD 933 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 200 v 5a（tc） 10V 800mohm @ 2.5a 、10V 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±30V 390 PF @ 25 V - 3.13W （TA ）、47W（TC）
KSA1015GRBU Fairchild Semiconductor KSA1015GRBU -
RFQ
 ECAD 8313 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 400 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 7,820 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
FQPF22N30 Fairchild Semiconductor FQPF22N30 1.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 300 V 12a（tc） 10V 160mohm @ 6a 、10V 5V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±30V 2200 PF @ 25 V - 56W （TC）
SFR9214TF Fairchild Semiconductor SFR9214TF 0.1400
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 250 v 1.53a 10V 4OHM @ 770MA 、10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±30V 295 PF @ 25 V - 2.5w
KSE13003TH2ATU Fairchild Semiconductor KSE13003TH2ATU 0.4600
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 20 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 400 V 1.5 a - npn 3V @ 500MA 、1.5a 14 @ 500MA 、2V 4MHz
FSBB30CH60B Fairchild Semiconductor FSBB30CH60B 26.0300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Motion-SPM® チューブ 廃止 穴を通して 27-POWERDIP モジュール（1.205 "、30.60mm） IGBT ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 10 3フェーズ 30 a 600 V 2500VRMS
FQI6N60CTU Fairchild Semiconductor fqi6n60ctu 0.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 600 V 5.5a（tc） 10V 2OHM @ 2.75A 、10V 4V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±30V 810 pf @ 25 V - 125W
FGA70N30TTU Fairchild Semiconductor FGA70N30TTU 2.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 標準 201 w to-3pn ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 30 - 溝 300 V 160 a 1.5V @ 15V 、20a - 125 NC -
FDZ3N513ZT Fairchild Semiconductor FDZ3N513ZT 0.3200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜125°C（TJ） 表面マウント 4-XFBGA 、WLCSP モスフェット（金属酸化物） 4-wlcsp（1x1） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 pチャネル 30 V 1.1a 462mohm @ 300ma 、4.5V 1.5V @ 250µA 1 NC @ 4.5 v +5.5V、-300MV 85 PF @ 15 V ショットキーダイオード（分離） 1W
IRF634B-FP001 Fairchild Semiconductor IRF634B-FP001 1.0000
RFQ
 ECAD 7420 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-IRF634B-FP001-600039 1 nチャネル 250 v 8.1a（tc） 10V 450mohm @ 4.05a 、10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±30V 1000 pf @ 25 v - 74W
BZX85C24 Fairchild Semiconductor BZX85C24 0.0300
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BZX85C24 1.3 w do-41g ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 18 V 24 v 25オーム
GBU6J Fairchild Semiconductor gbu6j -
RFQ
 ECAD 9391 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -50°C〜150°C （TJ 穴を通して 4-ESIP 、GBU 標準 GBU ダウンロード ear99 8541.10.0080 445 1 V @ 6 a 5 µA @ 600 v 4.2 a 単相 600 V
MBRB41H100CT-1G Fairchild Semiconductor MBRB41H100CT-1G 1.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8542.39.0001 279
FCD600N60Z Fairchild Semiconductor FCD600N60Z -
RFQ
 ECAD 6401 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-FCD600N60Z ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 7.4a（tc） 10V 600mohm @ 3.7a 、10V 3.5V @ 250µA 26 NC @ 10 V ±20V 1120 PF @ 25 V - 89W
FDB8442 Fairchild Semiconductor FDB8442 1.6700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 40 v 28a（タタ）、 80a（tc） 10V 2.9mohm @ 80a 、10V 4V @ 250µA 235 NC @ 10 V ±20V 12200 PF @ 25 V - 254W
1N4938 Fairchild Semiconductor 1N4938 2.9200
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 112 高速回復= <500ns 200 v 1 V @ 100 MA 50 ns 100 Na @ 75 V 175°C （最大） 500mA 5PF @ 0V、1MHz
FCH041N65EF Fairchild Semiconductor FCH041N65EF 8.3400
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ FCH041 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 -
IRFS634B Fairchild Semiconductor IRFS634B 0.1800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 250 v 8.1a（tj） 10V 450mohm @ 4.05a 、10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±30V 1000 pf @ 25 v - 38W
FDJ127P Fairchild Semiconductor FDJ127P 0.5100
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント SC-75-6 FLMP モスフェット（金属酸化物） SC75-6 FLMP ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 4.1a（ta） 1.8V 、4.5V 60mohm @ 4.1a 、4.5V 1.5V @ 250µA 10 NC @ 4.5 v ±8V 780 PF @ 10 V - 1.6W
NDH8521C Fairchild Semiconductor NDH8521C 0.7700
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-tsop （0.130 "、幅3.30mm） NDH8521 モスフェット（金属酸化物） 800MW SuperSot™-8 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 30V 3.8a 33mohm @ 3.8a、10V 2V @ 250µA 25NC @ 10V 、27NC @ 10V 500pf @ 15v、560pf @ 15v -
FDB12N50FTM Fairchild Semiconductor FDB12N50FTM 0.9500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ FDB12N - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 -
MMBD6050 Fairchild Semiconductor MMBD6050 0.0300
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 標準 SOT-23-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 70 v 1.1 V @ 100 MA 4 ns 100 Na @ 50 V -55°C〜150°C 200mA 2.5pf @ 0V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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