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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） 入力容量（ cies @ vce トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
FDB12N50FTM Fairchild Semiconductor FDB12N50FTM 0.9500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ FDB12N - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 -
MMBD6050 Fairchild Semiconductor MMBD6050 0.0300
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 標準 SOT-23-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 70 v 1.1 V @ 100 MA 4 ns 100 Na @ 50 V -55°C〜150°C 200mA 2.5pf @ 0V、1MHz
FDZ3N513ZT Fairchild Semiconductor FDZ3N513ZT 0.3200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜125°C（TJ） 表面マウント 4-XFBGA 、WLCSP モスフェット（金属酸化物） 4-wlcsp（1x1） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 pチャネル 30 V 1.1a 462mohm @ 300ma 、4.5V 1.5V @ 250µA 1 NC @ 4.5 v +5.5V、-300MV 85 PF @ 15 V ショットキーダイオード（分離） 1W
FDB2570 Fairchild Semiconductor FDB2570 1.4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -65°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 150 v 22a（ta） 6V 、10V 80mohm @ 11a 、10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 V ±20V 1911 PF @ 75 v - 93W
FCPF380N60 Fairchild Semiconductor FCPF380N60 1.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 204 nチャネル 600 V 10.2a 10V 380mohm @ 5a、10V 3.5V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±20V 1665 PF @ 25 V - 31W （TC）
1N5249BTR Fairchild Semiconductor 1N5249btr 0.0200
RFQ
 ECAD 138 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 14 V 19 v 23オーム
FDMC6680AZ Fairchild Semiconductor FDMC6680AZ 0.2000
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ FDMC6680 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 3,000 -
BCX70K Fairchild Semiconductor BCX70K -
RFQ
 ECAD 9201 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 225 MW SOT-23-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BCX70K-600039 1 45 v 200 ma 20na npn 550MV @ 1.25MA 、50mA 380 @ 2MA 、5V 125MHz
1N4754A Fairchild Semiconductor 1N4754A 0.0300
RFQ
 ECAD 102 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜20°C 穴を通して 軸 1 W 軸 ダウンロード ear99 8541.10.0050 9,779 5 µA @ 29.7 v 39 v 60オーム
BZX79C39 Fairchild Semiconductor BZX79C39 0.0200
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0050 15,000 1.5 V @ 100 MA 50 Na @ 27.3 v 39 v 130オーム
IRLR120ATF Fairchild Semiconductor IRLR120ATF 0.6100
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 100 V 8.4a（tc） 5V 220MOHM @ 4.2A 、5V 2V @ 250µA 15 NC @ 5 V ±20V 440 PF @ 25 V - 2.5W
BZX85C12 Fairchild Semiconductor BZX85C12 0.0300
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ear99 8541.10.0050 10,230 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 8.4 v 12 v 9オーム
FGP20N6S2D Fairchild Semiconductor FGP20N6S2D -
RFQ
 ECAD 2535 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 標準 125 w TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 390V 、7a、25OHM、15V 31 ns - 600 V 28 a 40 a 2.7V @ 15V 、7a 25µj（on ）、 58µj（オフ） 30 NC 7.7ns/87ns
FDD8882 Fairchild Semiconductor FDD8882 0.5100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 588 nチャネル 30 V 12.6a 4.5V 、10V 11.5mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±20V 1260 PF @ 15 V - 55W （TC）
BAS70SV Fairchild Semiconductor BAS70SV 0.0700
RFQ
 ECAD 197 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 BAS70 ショットキー SOT-563F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2独立 70 v 70ma 1 V @ 15 mA 8 ns 2.5 µA @ 70 V -55°C〜150°C
MMSZ5250B Fairchild Semiconductor MMSZ5250B -
RFQ
 ECAD 7912 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ - 表面マウント SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 15 V 20 v 17オーム
1N4938 Fairchild Semiconductor 1N4938 2.9200
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 112 高速回復= <500ns 200 v 1 V @ 100 MA 50 ns 100 Na @ 75 V 175°C （最大） 500mA 5PF @ 0V、1MHz
FDJ127P Fairchild Semiconductor FDJ127P 0.5100
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント SC-75-6 FLMP モスフェット（金属酸化物） SC75-6 FLMP ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 4.1a（ta） 1.8V 、4.5V 60mohm @ 4.1a 、4.5V 1.5V @ 250µA 10 NC @ 4.5 v ±8V 780 PF @ 10 V - 1.6W
FCH041N65EF Fairchild Semiconductor FCH041N65EF 8.3400
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ FCH041 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 -
MMBZ5234B Fairchild Semiconductor MMBZ5234B -
RFQ
 ECAD 9072 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 4 V 6.2 v 7オーム
KSP55TA Fairchild Semiconductor KSP55TA -
RFQ
 ECAD 9254 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 60 V 500 Ma 100NA PNP 250MV @ 10MA 、100mA 50 @ 100MA、1V 50MHz
FDS4435A Fairchild Semiconductor FDS4435A 1.2100
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 30 V 9a（ta） 4.5V 、10V 17mohm @ 9a 、10v 2V @ 250µA 30 NC @ 5 V ±20V 2010 PF @ 15 V - 2.5W
FMC7G30US60 Fairchild Semiconductor FMC7G30US60 -
RFQ
 ECAD 5546 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール 125 w 三相ブリッジ整流器 - ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 三相インバーター - 600 V 30 a 2.8V @ 15V 、30a 250 µA いいえ 1.97 NF @ 30 V
BZX84C20 Fairchild Semiconductor BZX84C20 0.0200
RFQ
 ECAD 5579 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -50°C〜150°C （TJ 表面マウント TO-236-3 BZX84 300 MW SOT23-3 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 50 Na @ 14 V 20 v 55オーム
FDP8880 Fairchild Semiconductor FDP8880 0.5200
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 573 nチャネル 30 V 11a（タタ）、 54a（tc） 4.5V 、10V 11.6mohm @ 40a、10v 2.5V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±20V 1240 PF @ 15 V - 55W （TC）
FQPF9N25CRDTU Fairchild Semiconductor fqpf9n25crdtu 0.4700
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ fqpf9n - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 -
FQP2N50 Fairchild Semiconductor FQP2N50 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 500 V 2.1a（tc） 10V 5.3OHM @ 1.05A 、10V 5V @ 250µA 8 NC @ 10 V ±30V 230 PF @ 25 V - 55W （TC）
FDH5500 Fairchild Semiconductor FDH5500 1.5600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 300 nチャネル 55 v 75a（tc） 10V 7mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 268 NC @ 20 V ±30V 3565 PF @ 25 V - 375W
FDS7766S Fairchild Semiconductor FDS7766S 2.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 17a（ta） 4.5V 、10V 5.5mohm @ 17a 、10V 3V @ 1MA 58 NC @ 5 V ±16V 4785 PF @ 15 V - 1W
MPSA14D26Z Fairchild Semiconductor MPSA14D26Z -
RFQ
 ECAD 9603 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 30 V 1.2 a 100na（icbo） npn-ダーリントン 1.5V @ 100µA 、100mA 20000 @ 100MA 、5V 125MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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