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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1）
FCPF220N80 Fairchild Semiconductor FCPF220N80 -
RFQ
 ECAD 2260 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック FCPF220 モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 800 V 23a（tc） 10V 220mohm @ 11.5a 、10V 4.5V @ 2.3MA 105 NC @ 10 V ±20V 4560 PF @ 100 V - 44W
BC560CTA Fairchild Semiconductor BC560CTA 1.0000
RFQ
 ECAD 1751 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 BC560 500 MW to-92-3 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 45 v 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 420 @ 2MA 、5V 150MHz
BCX71G Fairchild Semiconductor BCX71G 0.0200
RFQ
 ECAD 7800 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 - 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 369 45 v 100 Ma 20na PNP 550MV @ 1.25MA 、50mA 120 @ 2MA 、5V -
S1G Fairchild Semiconductor S1G 0.0500
RFQ
 ECAD 186 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA 標準 DO-214AC、SMA ダウンロード ear99 8541.10.0080 6,217 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 1 a 1.5 µs 5 µA @ 400 V -50°C〜150°C 1a -
1N966B Fairchild Semiconductor 1N966B 2.0200
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 149 5 µA @ 12.2 v 16 v 17オーム
FJV3110RMTF Fairchild Semiconductor FJV3110RMTF -
RFQ
 ECAD 9658 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 FJV311 200 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 40 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 1MA 、10ma 100 @ 1MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
FQA19N60 Fairchild Semiconductor FQA19N60 -
RFQ
 ECAD 1324 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3pn ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 18.5a 10V 380mohm @ 9.3a 、10V 5V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±30V 3600 PF @ 25 V - 300W （TC）
FQD6P25TF Fairchild Semiconductor FQD6P25TF 0.6000
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 250 v 4.7a（tc） 10V 1.1OHM @ 2.35A 、10V 5V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±30V 780 PF @ 25 V - 2.5W
TN6717A Fairchild Semiconductor TN6717A 0.1200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 TN6717 1 W TO-226-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 80 v 1.2 a 100na（icbo） npn 350mv @ 10ma 、250ma 50 @ 250ma、1V -
FLZ12VA Fairchild Semiconductor flz12va 0.0200
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 133 na @ 9 v 11.4 v 9.5オーム
ISL9N312AD3 Fairchild Semiconductor ISL9N312AD3 0.2900
RFQ
 ECAD 211 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 50a（tc） 4.5V 、10V 12mohm @ 50a 、10V 3V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±20V 1450 PF @ 15 V - 75W
HUFA75652G3 Fairchild Semiconductor hufa75652g3 3.3800
RFQ
 ECAD 1203 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 - ROHS3準拠 2156-HUFA75652G3-FS ear99 8541.29.0095 150 nチャネル 100 V 75a（tc） 10V 8mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 475 NC @ 20 V ±20V 7585 PF @ 25 V - 515W
FDMC2610 Fairchild Semiconductor FDMC2610 1.0000
RFQ
 ECAD 1155 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-mlp （3.3x3.3） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 200 v 2.2a 6V 、10V 200mohm @ 2.2a 、10V 4V @ 250µA 18 NC @ 10 V ±20V 960 PF @ 100 V - 2.1W（Ta ）、42w（TC）
FDB3672 Fairchild Semiconductor FDB3672 1.9100
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 100 V 7.2a 6V 、10V 28mohm @ 44a 、10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 V ±20V 1710 pf @ 25 v - 120W
HUFA75343G3 Fairchild Semiconductor hufa75343g3 1.0200
RFQ
 ECAD 821 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 150 nチャネル 55 v 75a（tc） 10V 9mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 205 NC @ 20 V ±20V 3000 pf @ 25 v - 270W
FQPF8N90C Fairchild Semiconductor FQPF8N90C 1.1700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック FQPF8 モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 900 V 6.3a（tc） 10V 1.9OHM @ 3.15A 、10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±30V 2080 PF @ 25 V - 60W （TC）
BC549BBU Fairchild Semiconductor BC549BBU -
RFQ
 ECAD 7555 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,000 30 V 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 200 @ 2MA 、5V 300MHz
GF1B Fairchild Semiconductor GF1B -
RFQ
 ECAD 3807 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA 標準 do-214ac ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 100 V 1 V @ 1 a 2 µs 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
RFD3055LESM Fairchild Semiconductor RFD3055LESM 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,255 nチャネル 60 V 11a（tc） 5V 107mohm @ 8a、5v 3V @ 250µA 11.3 NC @ 10 V ±16V 350 PF @ 25 V - 38W
FQB5N50CFTM Fairchild Semiconductor fqb5n50cftm -
RFQ
 ECAD 3311 0.00000000 フェアチャイルド半導体 FRFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 58 nチャネル 500 V 5a（tc） 10V 1.55OHM @ 2.5A 、10V 4V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±30V 625 PF @ 25 V - 96W
SS8050CTA Fairchild Semiconductor SS8050CTA 0.1200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 1 W to-92-3 ダウンロード ear99 8541.29.0075 2,567 25 v 1.5 a 100na（icbo） npn 500mv @ 80ma 、800ma 120 @ 100MA、1V 100MHz
MBRD835LG Fairchild Semiconductor MBRD835LG -
RFQ
 ECAD 2545 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SwitchMode™ バルク アクティブ 表面マウント to-252-3 ショットキー dpak ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 高速回復= <500ns 35 v 510 mv @ 8 a 1.4 mA @ 35 v -65°C〜150°C 8a -
FQU12N20TU Fairchild Semiconductor fqu12n20tu -
RFQ
 ECAD 5171 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 200 v 9a（tc） 10V 280mohm @ 4.5a 、10V 5V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±30V 910 PF @ 25 V - 2.5W
MM5Z30V Fairchild Semiconductor MM5Z30V 1.0000
RFQ
 ECAD 2788 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±7％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 200 MW SOD-523F - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 50 Na @ 21 V 30 V 80オーム
RFP45N06 Fairchild Semiconductor RFP45N06 0.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 60 V 45a（tc） 10V 28mohm @ 45a 、10V 4V @ 250µA 150 NC @ 20 V ±20V 2050 PF @ 25 V - 131W
FQAF7N90 Fairchild Semiconductor FQAF7N90 1.4700
RFQ
 ECAD 877 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット（金属酸化物） to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 360 nチャネル 900 V 5.2a（tc） 10V 1.55OHM @ 2.6A 、10V 5V @ 250µA 59 NC @ 10 V ±30V 2280 PF @ 25 V - 107W （TC）
FDC6392S Fairchild Semiconductor FDC6392S 1.0000
RFQ
 ECAD 9722 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 FDC6392 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 pチャネル 20 v 2.2a（ta） 2.5V 、4.5V 150mohm @ 2.2a 、4.5V 1.5V @ 250µA 5.2 NC @ 4.5 v ±12V 369 PF @ 10 V ショットキーダイオード（分離） 960MW
HUF75639S3S Fairchild Semiconductor HUF75639S3S 1.3700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 100 V 56a（tc） 10V 25mohm @ 56a 、10V 4V @ 250µA 130 NC @ 20 V ±20V 2000 PF @ 25 V - 200W （TC）
NTD24N06LT4G Fairchild Semiconductor NTD24N06LT4G -
RFQ
 ECAD 9924 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 NTD24 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 24a（ta） 5V 45mohm @ 10a 、5v 2V @ 250µA 32 NC @ 5 V ±15V 1140 PF @ 25 V - 1.36W （TA ）、62.5W（TJ）
FCPF380N60 Fairchild Semiconductor FCPF380N60 1.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 204 nチャネル 600 V 10.2a 10V 380mohm @ 5a、10V 3.5V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±20V 1665 PF @ 25 V - 31W （TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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