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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
MBRD835LG Fairchild Semiconductor MBRD835LG -
RFQ
 ECAD 2545 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SwitchMode™ バルク アクティブ 表面マウント to-252-3 ショットキー dpak ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 高速回復= <500ns 35 v 510 mv @ 8 a 1.4 mA @ 35 v -65°C〜150°C 8a -
FQU12N20TU Fairchild Semiconductor fqu12n20tu -
RFQ
 ECAD 5171 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 200 v 9a（tc） 10V 280mohm @ 4.5a 、10V 5V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±30V 910 PF @ 25 V - 2.5W
MM5Z30V Fairchild Semiconductor MM5Z30V 1.0000
RFQ
 ECAD 2788 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±7％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 200 MW SOD-523F - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 50 Na @ 21 V 30 V 80オーム
RFP45N06 Fairchild Semiconductor RFP45N06 0.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 60 V 45a（tc） 10V 28mohm @ 45a 、10V 4V @ 250µA 150 NC @ 20 V ±20V 2050 PF @ 25 V - 131W
FQAF7N90 Fairchild Semiconductor FQAF7N90 1.4700
RFQ
 ECAD 877 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット（金属酸化物） to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 360 nチャネル 900 V 5.2a（tc） 10V 1.55OHM @ 2.6A 、10V 5V @ 250µA 59 NC @ 10 V ±30V 2280 PF @ 25 V - 107W （TC）
FDC6392S Fairchild Semiconductor FDC6392S 1.0000
RFQ
 ECAD 9722 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 FDC6392 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 pチャネル 20 v 2.2a（ta） 2.5V 、4.5V 150mohm @ 2.2a 、4.5V 1.5V @ 250µA 5.2 NC @ 4.5 v ±12V 369 PF @ 10 V ショットキーダイオード（分離） 960MW
HUF75639S3S Fairchild Semiconductor HUF75639S3S 1.3700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 100 V 56a（tc） 10V 25mohm @ 56a 、10V 4V @ 250µA 130 NC @ 20 V ±20V 2000 PF @ 25 V - 200W （TC）
NTD24N06LT4G Fairchild Semiconductor NTD24N06LT4G -
RFQ
 ECAD 9924 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 NTD24 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 24a（ta） 5V 45mohm @ 10a 、5v 2V @ 250µA 32 NC @ 5 V ±15V 1140 PF @ 25 V - 1.36W （TA ）、62.5W（TJ）
FCPF380N60 Fairchild Semiconductor FCPF380N60 1.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 204 nチャネル 600 V 10.2a 10V 380mohm @ 5a、10V 3.5V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±20V 1665 PF @ 25 V - 31W （TC）
IRLR120ATF Fairchild Semiconductor IRLR120ATF 0.6100
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 100 V 8.4a（tc） 5V 220MOHM @ 4.2A 、5V 2V @ 250µA 15 NC @ 5 V ±20V 440 PF @ 25 V - 2.5W
1N4754A Fairchild Semiconductor 1N4754A 0.0300
RFQ
 ECAD 102 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜20°C 穴を通して 軸 1 W 軸 ダウンロード ear99 8541.10.0050 9,779 5 µA @ 29.7 v 39 v 60オーム
BZX85C12 Fairchild Semiconductor BZX85C12 0.0300
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ear99 8541.10.0050 10,230 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 8.4 v 12 v 9オーム
1N5249BTR Fairchild Semiconductor 1N5249btr 0.0200
RFQ
 ECAD 138 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 14 V 19 v 23オーム
SJD127T4G Fairchild Semiconductor SJD127T4G 0.3300
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-SJD127T4G-600039 ear99 8541.29.0095 998
KSD1616LBU Fairchild Semiconductor KSD1616LBU 0.0700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 750 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 10,000 50 v 1 a 100na（icbo） npn 300MV @ 50MA、1a 300 @ 100MA 、2V 160MHz
RFD3055SM9A Fairchild Semiconductor RFD3055SM9A 0.4600
RFQ
 ECAD 2537 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 40 nチャネル 60 V 12a（tc） 10V 150mohm @ 12a 、10V 4V @ 250µA 23 NC @ 20 V ±20V 300 pf @ 25 V - 53W
2SJ646-TL-E Fairchild Semiconductor 2SJ646-TL-E 0.2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-2SJ646-TL-E-600039 1
FQN1N60CTA Fairchild Semiconductor fqn1n60cta 0.1900
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 モスフェット（金属酸化物） to-92-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 600 V 300ma 10V 11.5OHM @ 150MA 、10V 4V @ 250µA 6.2 NC @ 10 V ±30V 170 PF @ 25 V - 1W （TA
PN3563 Fairchild Semiconductor PN3563 0.0400
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 350MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 14db〜26db 15V 50ma npn 20 @ 8ma 、10V 1.5GHz -
FDPF5N50NZU Fairchild Semiconductor FDPF5N50NZU 0.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet-ii™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 500 V 3.9a（tc） 10V 2OHM @ 1.95A 、10V 5V @ 250µA 12 NC @ 10 V ±25V 485 PF @ 25 V - 30W （TC）
FDMC6680AZ Fairchild Semiconductor FDMC6680AZ 0.2000
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ FDMC6680 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 3,000 -
BCX70K Fairchild Semiconductor BCX70K -
RFQ
 ECAD 9201 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 225 MW SOT-23-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BCX70K-600039 1 45 v 200 ma 20na npn 550MV @ 1.25MA 、50mA 380 @ 2MA 、5V 125MHz
FDD8882 Fairchild Semiconductor FDD8882 0.5100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 588 nチャネル 30 V 12.6a 4.5V 、10V 11.5mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±20V 1260 PF @ 15 V - 55W （TC）
FDD3580 Fairchild Semiconductor FDD3580 0.9600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 80 v 7.7a（ta） 6V 、10V 29mohm @ 7.7a​​ 、10V 4V @ 250µA 49 NC @ 10 V ±20V 1760 pf @ 40 v - 3.8W
HUFA76429D3_NL Fairchild Semiconductor hufa76429d3_nl 0.4800
RFQ
 ECAD 4596 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 197 nチャネル 60 V 20a（tc） 4.5V 、10V 23mohm @ 20a 、10v 3V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±16V 1480 PF @ 25 V - 110W
BAS70SV Fairchild Semiconductor BAS70SV 0.0700
RFQ
 ECAD 197 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 BAS70 ショットキー SOT-563F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2独立 70 v 70ma 1 V @ 15 mA 8 ns 2.5 µA @ 70 V -55°C〜150°C
MMSZ5250B Fairchild Semiconductor MMSZ5250B -
RFQ
 ECAD 7912 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ - 表面マウント SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 15 V 20 v 17オーム
MPSA14D26Z Fairchild Semiconductor MPSA14D26Z -
RFQ
 ECAD 9603 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 30 V 1.2 a 100na（icbo） npn-ダーリントン 1.5V @ 100µA 、100mA 20000 @ 100MA 、5V 125MHz
BAT43XV2 Fairchild Semiconductor bat43xv2 0.0300
RFQ
 ECAD 2524 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 ショットキー SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,830 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 1 V @ 200 mA 5 ns 500 NA @ 25 V 125°C 200mA 7PF @ 1V、1MHz
FDH5500 Fairchild Semiconductor FDH5500 1.5600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 300 nチャネル 55 v 75a（tc） 10V 7mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 268 NC @ 20 V ±30V 3565 PF @ 25 V - 375W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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