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離散半導体製品（5251）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	テスト条件	現在	電圧	電圧 -分離	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
tip120tu-f129	-	RFQ	9032	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ											-				ear99	8541.29.0095	1
MMSZ5236B	0.0200	RFQ	134	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-	表面マウント	SOD-123		MMSZ52			500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000																			900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 6 V															7.5 v	5オーム
FSBS10CH60SL	13.8800	RFQ	26	フェアチャイルド半導体	SPM®	バルク	アクティブ			穴を通して	27-POWERDIP モジュール（1.205 "、30.60mm）	IGBT	FSBS10					-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	26	3フェーズ				10 a	600 V	2500VRMS
EGP20D	1.0000	RFQ	3844	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸				標準		DO-15	ダウンロード				ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns																200 v	950 mv @ 2 a	50 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	2a	70pf @ 4V、1MHz
2N5551BU	-	RFQ	8798	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3					625 MW	to-92-3	ダウンロード				ear99	8541.21.0075	1																										160 v	600 Ma								50na（icbo）			npn	200mV @ 5MA 、50mA	80 @ 10ma 、5v	100MHz
SS9011FBU	-	RFQ	6413	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3					400 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8541.21.0095	9,134																										30 V	30 Ma								100na（icbo）			npn	300MV @ 1MA 、10ma	54 @ 1MA 、5V	2MHz
FQP7P20	0.5900	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8541.29.0095	1,000			pチャネル					200 v	7.3a（tc）	10V	690mohm @ 3.65a 、10V	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	770 PF @ 25 V	-	90W
FPAB50PH60	17.0600	RFQ	347	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止			穴を通して	27-POWERDIP モジュール（1.205 "、30.60mm）	IGBT						ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8542.39.0001	10	2フェーズ				30 a	600 V	2500VRMS
2N4400TFR	0.0200	RFQ	41	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	to-226-3					625 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8541.21.0095	2,000																										40 v	600 Ma								-			npn	750mv @ 50ma 、500ma	50 @ 150ma、1V	-
KSC5402DTTU-FS	1.0000	RFQ	4033	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3					50 W	TO-220-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1																										450 v	2 a								100µA			npn	750mv @ 200ma、1a	6 @ 1a、1V	11MHz
FFP08D60L2	-	RFQ	8812	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-220-2				標準		TO-220-2	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1		高速回復= <500ns																600 V	3.6 V @ 8 a	25 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	8a	-
FDPF5N50NZF	0.7900	RFQ	552	フェアチャイルド半導体	unifet-ii™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック				モスフェット（金属酸化物）		TO-220F-3	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1			nチャネル					500 V	4.2a（tc）	10V	1.75OHM @ 2.1A 、10V	5V @ 250µA	12 NC @ 10 V	±25V	485 PF @ 25 V	-	30W （TC）
FQPF6N80	-	RFQ	8071	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック				モスフェット（金属酸化物）		TO-220F-3	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル					800 V	3.3a（tc）	10V	1.95OHM @ 1.65A 、10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1500 PF @ 25 V	-	51W （TC）
FDI9406	1.8500	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ						FDI940		-			-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	1																-
FDMF5804	1.0000	RFQ	7033	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ											-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー			3,000
FDB8896	0.9100	RFQ	15	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		d2pak（to-263）	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	330			nチャネル					30 V	19a（タタ）、 93a（tc）	4.5V 、10V	5.7mohm @ 35a 、10V	2.5V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	2525 PF @ 15 V	-	80W
BZX85C5V6	0.0300	RFQ	42	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸		BZX85C5			1.3 w	do-41g	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000																			1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 2 V															5.6 v	7オーム
FQD3N40TF	0.3700	RFQ	26	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）		TO-252	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル					400 V	2a（tc）	10V	3.4OHM @ 1A 、10V	5V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	230 PF @ 25 V	-	2.5w
fqb6n60tm	1.3600	RFQ	19	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		d2pak（to-263）	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8541.29.0095	800			nチャネル					600 V	6.2a（tc）	10V	1.5OHM @ 3.1A 、10V	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 v	-	3.13W （TA ）、 130W （TC）
BZX85C30	0.0300	RFQ	78	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸		BZX85C30			1.3 w	do-41g	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000																			1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 22 V															30 V	30オーム
kbu6d	0.5400	RFQ	5011	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip 、kbu				標準		KBU	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8541.10.0080	425																			1 V @ 6 a		10 µA @ 200 v		6 a										単相	200 v
BC857AMTF	0.0300	RFQ	195	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3		BC857			310 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	3,000																										45 v	100 Ma								15NA			PNP	650mv @ 5ma 、100ma	110 @ 2MA 、5V	150MHz
FJPF1943RTU	0.7200	RFQ	621	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止		-50°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-220-3フルパック					50 W	TO-220F-3	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8541.29.0075	50																										230 v	15 a								5µa（icbo）			PNP	3V @ 800MA 、8a	55 @ 1a 、5V	30MHz
FDI8441	1.5600	RFQ	75	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads				モスフェット（金属酸化物）		i2pak（to-262）	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8541.29.0095	400			nチャネル					40 v	26a（タタ）、 80a（tc）	10V	2.7mohm @ 80a 、10V	4V @ 250µA	280 NC @ 10 V	±20V	15 pf @ 25 v	-	300W （TC）
HUF76132S3ST	0.9800	RFQ	9	フェアチャイルド半導体	ultrafet™	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	8541.29.0095	800			nチャネル					30 V	75a（tc）	4.5V 、10V	11mohm @ 75a 、10V	3V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	1650 PF @ 25 V	-	120W （TC）
IRFR214BTFFP001	0.1200	RFQ	8950	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）		dpak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル					250 v	2.2a（tc）	10V	2OHM @ 1.1A 、10V	4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	275 pf @ 25 v	-	2.5W （TA ）、25W（TC）
MM5Z36V	1.0000	RFQ	9820	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±6％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523F		MM5Z3			200 MW	SOD-523F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	8,000																					50 Na @ 25.2 v															36 v	90オーム
SFR9230BTMAM002	-	RFQ	7165	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ						SFR9230		-			-	適用できない	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	8542.39.0001	2,500																-
KSD560RTU	-	RFQ	2573	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3		KSD560			1.5 w	TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1																										100 V	5 a								1µa（icbo）			npn-ダーリントン	1.5V @ 3MA、3a	2000 @ 3a 、2V	-
FGA40T65UQDF	1.9000	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	to-3p-3、SC-65-3			標準		231 w	to-3pn	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1				400V 、40a 、6ohm15V																89 ns					npt	650 V	80 a	120 a	1.67V @ 15V 、40a	989µj（on 310µj（オフ）	306 NC	32ns/271ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²