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離散半導体製品（5251）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	電力 -出力	得	現在	電圧	電圧 -分離	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
TN6714A	0.2400	RFQ	22	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止			-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3					1 W		TO-226-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0095	1,500																													30 V	2 a				100na（icbo）					npn	500MV @ 100MA、1a	50 @ 1a、1V	-
RGP10A	0.0600	RFQ	55	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ				穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸				標準			DO-41	ダウンロード		未定義のベンダー	未定義のベンダー	2156-RGP10A-600039			5,362		高速回復= <500ns																			50 v	1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
kbu6g	-	RFQ	7582	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止			-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip 、kbu				標準			KBU	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0080	200																						1 V @ 6 a		10 µA @ 50 V		6 a						単相	400 V
FDD6770A	0.7100	RFQ	4	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ			-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		FDD677		モスフェット（金属酸化物）			d-pak（to-252）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			nチャネル							25 v	24a（タタ）、50a（tc）	4.5V 、10V	4mohm @ 24a 、10V	3V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	2405 PF @ 13 V	-	3.7W （Ta ）、65w（tc）
RGP10J	0.0600	RFQ	5	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ				穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸		RGP10		標準			do-204al（do-41）	ダウンロード					ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns																			600 V	1.3 V @ 1 a	250 ns	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
KSA643YTA	0.0500	RFQ	559	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3					500 MW		to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1																													20 v	500 Ma				200na（icbo）					PNP	400MV @ 50MA 、500A	120 @ 100MA、1V	-
KSC5024RTU	0.6700	RFQ	496	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止			150°C （TJ）	穴を通して	to-3p-3、SC-65-3					90 w		to-3pn	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	496																													500 V	10 a				10µa（icbo）					npn	1V @ 800MA 、4a	15 @ 800MA 、5V	18MHz
FDS7764A	0.9900	RFQ	75	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	廃止			-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）				モスフェット（金属酸化物）			8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル							30 V	15a（ta）		7.5mohm @ 15a 、4.5V	2V @ 250µA	40 NC @ 4.5 v		3451 PF @ 15 V	-	-
FSAM10SM60A	17.5200	RFQ	141	フェアチャイルド半導体	SPM®	バルク	アクティブ				穴を通して	32-POWERDIP モジュール（1.370 "、34.80mm）	IGBT							ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	8	3フェーズ						10 a	600 V	2500VRMS
FSAM20SL60	20.3900	RFQ	171	フェアチャイルド半導体	SPM®	バルク	アクティブ				穴を通して	32-POWERDIP モジュール（1.370 "、34.80mm）	IGBT							ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	8	3フェーズ						20 a	600 V	2500VRMS
FJNS3206RTA	0.0200	RFQ	6358	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止				穴を通して	TO-226-3		FJNS32			300 MW		to-92	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	2,900																													50 v	100 Ma				100na（icbo）					npn-バイアス化	300MV @ 500µA 、10mA	68 @ 5MA 、5V	250 MHz	10 Kohms	47 Kohms
SMUN5215T1G	1.0000	RFQ	8891	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ													ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-SMUN5215T1G-600039	ear99	8541.21.0095	1
HUF75345p3	-	RFQ	6800	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）			TO-220-3	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-HUF75345P3-600039			1			nチャネル							55 v	75a（tc）	10V	7mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	275 NC @ 20 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	325W
IRFN214BTA	0.1800	RFQ	152	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ							IRFN214		-				-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1,664																		-
SFP9520	0.1900	RFQ	19	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）			TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1			pチャネル							100 V	6a（tc）	10V	600mohm @ 3a 、10V	4V @ 250µA	20 NC @ 10 V	±30V	550 PF @ 25 V	-	49W （TC）
2N4126	0.0200	RFQ	75	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3					625 MW		to-92	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	1																													25 v	200 ma				50na（icbo）					PNP	400mv @ 5ma 、50ma	120 @ 2MA、1V	250MHz
FMM7G50US60I	28.1700	RFQ	31	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止			-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	モジュール					139 w	三相ブリッジ整流器	-	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	2156-FMM7G50US60I	ear99	8541.29.0095	1	ブレーキ付きの3相インバーター																											-	600 V	50 a	2.7V @ 15V 、50a			250 µA	はい			3.565 NF @ 30 V
2N5246	0.3000	RFQ	28	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		30 V		穴を通して	TO-226-3			-	jfet			to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0095	2,000	nチャネル			7ma	-	-														-
SSP3N80A	-	RFQ	1457	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）			TO-220	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル							800 V	3a（tc）	10V	4.8ohm @ 850ma 、10V	3.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	750 PF @ 25 V	-	100W （TC）
FDPC1012S	0.4300	RFQ	7	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			-55°C〜150°C	表面マウント	8-POWERWDFN		FDPC1		モスフェット（金属酸化物）	800MW		PowerClip-33	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	0000.00.0000	428	2 n チャネル（デュアル）非対称									25V	13a（ta ）、 35a		7mohm @ 12a	2.2V @ 250µA、2.2V @ 1MA	8NC @ 4.5V 、25NC @ 4.5V		1075pf @ 13V、3456pf @ 13V	-
BD435S	-	RFQ	9366	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			150°C （TJ）	穴を通して	TO-225AA、to-126-3		BD435			36 W		TO-126-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1																													32 v	4 a				100µA					npn	500MV @ 200MA 、2a	40 @ 10MA 、5V	3MHz
ksp2222ata	0.0500	RFQ	96	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3					625 MW		to-92-3	ダウンロード					ear99	8541.21.0075	6,497																													40 v	600 Ma				10na （icbo）					npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	300MHz
RFP50N06_NL	-	RFQ	3974	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）			TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル							60 V	50a（tc）	10V	22mohm @ 50a 、10V	4V @ 250µA	150 NC @ 20 V	±20V	2020 PF @ 25 V	-	131W
FJPF19430TU	0.7200	RFQ	952	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ													-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー				1
Hufa76445S3S	1.0600	RFQ	500	フェアチャイルド半導体	ultrafet™	チューブ	廃止			-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）			d2pak（to-263）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	50			nチャネル							60 V	75a（tc）	4.5V 、10V	6.5mohm @ 75a 、10V	3V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±16V	4965 PF @ 25 V	-	310W
MM3Z3V3B	1.0000	RFQ	5106	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±2％		-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F		MM3Z3V3			200 MW		SOD-323F	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1																						1 V @ 10 mA		4.5 µA @ 1 V												3.3 v	89オーム
SS9018HBU-FS	0.0200	RFQ	384	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3					400MW		to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	1						-																							15V	50ma									npn		28 @ 1MA 、5V	1.1GHz			-
FJC1386PTF	0.1100	RFQ	4	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止			150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA					500 MW		SOT-89-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0095	4,000																													20 v	5 a				500na（icbo）					PNP	1V @ 100MA 、4a	80 @ 500MA 、2V	-
flz30va	0.0200	RFQ	36	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±3％		-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80					500 MW		SOD-80	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0050	2,500																						1.2 V @ 200 mA		133 Na @ 23 v												27.7 v	46オーム
FDPF15N65	-	RFQ	2828	フェアチャイルド半導体	unifet™	バルク	アクティブ			-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック				モスフェット（金属酸化物）			TO-220F-3	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			nチャネル							650 V	15a（tc）	10V	440mohm @ 7.5a 、10V	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	3095 PF @ 25 V	-	38.5W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²