SIC
close

離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
FQD3N50CTM Fairchild Semiconductor FQD3N50CTM 1.0000
RFQ
 ECAD 6715 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 500 V 2.5a 10V 2.5OHM @ 1.25A 、10V 4V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 365 PF @ 25 V - 35W （TC）
FQA13N50C Fairchild Semiconductor FQA13N50C 2.0800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 450 nチャネル 500 V 13.5a 10V 480mohm @ 6.75a 、10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 V ±30V 2055 PF @ 25 V - 218W
RFP14N05L Fairchild Semiconductor RFP14N05L 0.4000
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 50 v 14a（tc） 5V 100mohm @ 14a 、5v 2V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±10V 670 PF @ 25 V - 48W （TC）
FQB34N20LTM Fairchild Semiconductor fqb34n20ltm 1.0000
RFQ
 ECAD 5650 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 200 v 31a（tc） 5V、10V 75mohm @ 15.5a 、10V 2V @ 250µA 72 NC @ 5 V ±20V 3900 PF @ 25 V - 3.13W （TA ）、 180W （TC
FFSH20120ADN-F155 Fairchild Semiconductor FFSH20120ADN-F155 -
RFQ
 ECAD 2177 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-247-3 FFSH20120 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247 ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 1200 v 10a （dc） 1.75 V @ 10 a 200 µA @ 1200 v -55°C〜175°C
FDP39N20 Fairchild Semiconductor FDP39N20 1.5900
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 200 v 39a 10V 66mohm @ 19.5a 、10V 5V @ 250µA 49 NC @ 10 V ±30V 2130 PF @ 25 V - 251W
FDD14AN06LA0 Fairchild Semiconductor FDD14AN06LA0 2.1500
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 60 V 9.5a 5V、10V 11.6mohm @ 50a 、10V 3V @ 250µA 32 NC @ 5 V ±20V 2810 pf @ 25 v - 125W
FDS8449-G Fairchild Semiconductor FDS8449-G 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC - ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-FDS8449-G ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 40 v 7.6a（ta） 4.5V 、10V 29mohm @ 7.6a 、10V 3V @ 250µA 11 NC @ 5 V ±20V 760 PF @ 20 V - 1W
FDN357N Fairchild Semiconductor FDN357N 0.1500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード ear99 8541.21.0095 1,976 nチャネル 30 V 1.9a（ta） 4.5V 、10V 60mohm @ 2.2a 、10V 2V @ 250µA 5.9 NC @ 5 V ±20V 235 pf @ 10 v - 500MW
FDP3652 Fairchild Semiconductor FDP3652 1.0000
RFQ
 ECAD 6194 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 100 V 9a（タタ61a（tc） 6V 、10V 16mohm @ 61a 、10v 4V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±20V 2880 PF @ 25 V - 150W
MBRP3010NTU Fairchild Semiconductor MBRP3010NTU 0.8300
RFQ
 ECAD 782 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-3 ショットキー TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 362 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 30a 1.05 V @ 30 a 1 MA @ 100 V -65°C〜150°C
FDS6812A Fairchild Semiconductor FDS6812A 1.0000
RFQ
 ECAD 3538 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS68 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 1 2 nチャンネル（デュアル） 20V 6.7a 22mohm @ 6.7a 、4.5V 1.5V @ 250µA 19NC @ 4.5V 1082pf @ 10V ロジックレベルゲート
HUF76629D3STR4885 Fairchild Semiconductor HUF76629D3STR4885 0.3400
RFQ
 ECAD 6775 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8541.29.0095 225 nチャネル 100 V 20a（tc） 4.5V 、10V 52mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 43 NC @ 10 V ±16V 1285 PF @ 25 V - 150W
FJC790TF Fairchild Semiconductor FJC790TF 0.1900
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 500 MW SOT-89-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 4,000 40 v 2 a 100NA PNP 450mv @ 50ma 、2a 300 @ 10MA 、2V -
FDA16N50LDTU Fairchild Semiconductor FDA16N50LDTU 1.5800
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3pn ダウンロード ear99 8542.39.0001 190 nチャネル 500 V 16.5a 10V 380mohm @ 8.3a 、10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±30V 1945 PF @ 25 V - 205W
FDBL9406 Fairchild Semiconductor FDBL9406 -
RFQ
 ECAD 8611 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ FDBL940 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 2,000 -
KSD882YSTU Fairchild Semiconductor KSD882YSTU -
RFQ
 ECAD 4698 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-225AA、to-126-3 1 W TO-126-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 30 V 3 a 1µa（icbo） npn 500MV @ 200MA 、2a 160 @ 1a 、2V 90MHz
FQB70N08TM Fairchild Semiconductor FQB70N08TM 1.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 80 v 70a 10V 17mohm @ 35a 、10V 4V @ 250µA 98 NC @ 10 V ±25V 2700 PF @ 25 V - 3.75W （TA ）、 155W （TC）
MJD117TF Fairchild Semiconductor MJD117TF 0.3000
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 1.75 w TO-252-3 ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-MJD117TF-600039 ear99 8541.29.0095 1 100 V 2 a 20µA pnp-ダーリントン 3V @ 40MA 、4a 1000 @ 2a 、3V 25MHz
SI9426DY Fairchild Semiconductor SI9426DY -
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 20 v 10.5a（ta） 2.7V 、4.5V 13.5mohm @ 10.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 60 NC @ 4.5 v ±8V 2150 PF @ 10 V - 1W
FQP2P25 Fairchild Semiconductor FQP2P25 -
RFQ
 ECAD 3576 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 750 pチャネル 250 v 2.3a 10V 4ohm @ 1.15a 、10V 5V @ 250µA 8.5 NC @ 10 V ±30V 250 PF @ 25 V - 52W
KSC839CYTA Fairchild Semiconductor ksc839cyta 0.0200
RFQ
 ECAD 6430 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 250 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,957 30 V 100 Ma 100na（icbo） npn 400MV @ 1MA 、10MA 120 @ 2MA、12V 200MHz
KSD1616AGTA Fairchild Semiconductor KSD1616AGTA 0.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 750 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 2,950 60 V 1 a 100na（icbo） npn 300MV @ 50MA、1a 200 @ 100MA 、2V 160MHz
FDMD8540L Fairchild Semiconductor FDMD8540L -
RFQ
 ECAD 1005 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN FDMD8540 モスフェット（金属酸化物） 2.3W 8パワー5x6 - 0000.00.0000 1 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） 40V 33a 、156a 1.5mohm @ 33a 、10V 3V @ 250µA 113NC @ 10V 7940pf @ 20V -
FDB110N15A Fairchild Semiconductor FDB110N15A 1.0000
RFQ
 ECAD 4610 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d²pak（ to-263） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 150 v 92a（tc） 10V 11mohm @ 92a 、10v 4V @ 250µA 61 NC @ 10 V ±20V 4510 PF @ 75 v - 234W
FDMA8051L Fairchild Semiconductor FDMA8051L -
RFQ
 ECAD 8873 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド モスフェット（金属酸化物） 6- マイクロフェット（2x2） - 0000.00.0000 1 nチャネル 40 v 10a（tc） 4.5V 、10V 14mohm @ 10a 、10v 3V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±20V 1260 PF @ 20 V - 2.4W
IN5258B Fairchild Semiconductor IN5258B -
RFQ
 ECAD 6015 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ 穴を通して 軸 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1
KSA1625KTA Fairchild Semiconductor KSA1625KTA 0.0700
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 750 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 400 V 500 Ma 1µa（icbo） PNP 1V @ 10MA 、100mA 100 @ 50ma 、5v 10MHz
KSP42ATA Fairchild Semiconductor ksp42ata 0.0200
RFQ
 ECAD 8243 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 KSP42 625 MW to-92-3 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 1 300 V 500 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 2MA 、20MA 40 @ 30ma 、10V 50MHz
MMBD2838 Fairchild Semiconductor MMBD2838 -
RFQ
 ECAD 6233 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 標準 SOT-23-3 ダウンロード ear99 8541.10.0070 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 75 v 200mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 100 Na @ 50 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます