RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

離散半導体製品（5251）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	テスト条件	現在	電圧	電圧 -分離	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
BZX55C5V1	0.0400	RFQ	140	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±6％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸					500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0050	1,000																					1.3 V @ 100 MA		100 Na @ 1 V													5.1 v	35オーム
fqi9n25ctu	1.1200	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads				モスフェット（金属酸化物）		i2pak（to-262）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	50			nチャネル					250 v	8.8a	10V	430mohm @ 4.4a 、10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	710 pf @ 25 v	-	3.13W （TA ）、74W（TC）
SS9014ABU-FS	0.0200	RFQ	20	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3					450 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1																												45 v	100 Ma						50na（icbo）			npn	300MV @ 5MA 、100mA	60 @ 1MA 、5V	270MHz
fjx3003rtf	0.0200	RFQ	27	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止			表面マウント	SC-70、SOT-323		FJX300			200 MW	SC-70-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	3,000																												50 v	100 Ma						100na（icbo）			npn-バイアス化	300MV @ 500µA 、10mA	56 @ 5MA 、5V	250 MHz	22 Kohms	22 Kohms
KSD471AYTA	-	RFQ	2204	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3		KSD471			800 MW	to-92-3	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	897																												30 V	1 a						100na（icbo）			npn	500MV @ 100MA、1a	120 @ 100MA、1V	130MHz
FSB70250	-	RFQ	3632	フェアチャイルド半導体	モーションSPM®7	バルク	アクティブ			表面マウント	27-POWERLQFNモジュール	モスフェット						ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1	3フェーズ				3.3 a	500 V	1500VRMS
PN2369	-	RFQ	8245	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3					350 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0095	535																												15 V	200 ma						400na（icbo）			npn	250MV @ 1MA 、10ma	40 @ 10ma、1V	-
BAS20	0.0200	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	TO-236-3		BAS20		標準		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																	150 v		1.25 V @ 200 mA	50 ns	100 Na @ 150 V	-55°C〜150°C	200mA	5PF @ 0V、1MHz
FDI33N25TU	1.0000	RFQ	7880	フェアチャイルド半導体	unifet™	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads				モスフェット（金属酸化物）		i2pak（to-262）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	50			nチャネル					250 v	33a	10V	94mohm @ 16.5a 、10V	5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	2135 PF @ 25 V	-	235W （TC）
ksh117tf	-	RFQ	3635	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	to-252-3					1.75 w	TO-252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	0000.00.0000	2,000																												100 V	2 a						20µA			pnp-ダーリントン	3V @ 40MA 、4a	1000 @ 2a 、3V	25MHz
FFPF15U20DNTU	0.5600	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3フルパック				標準		TO-220F-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns																1ペア共通カソード	200 v	15a	1.2 V @ 15 a	40 ns	15 µa @ 200 v	-65°C〜150°C
BZX79C51-T50A	0.0200	RFQ	15	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		BZX79C51			500 MW	DO-35	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000																					1.5 V @ 100 MA		500 NA @ 35.7 v													51 v	180オーム
tip48tu	0.4100	RFQ	14	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3					2 W	TO-220-3	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1																												300 V	1 a						1ma			npn	1V @ 200MA、1a	30 @ 300MA 、10V	10MHz
FQAF28N15	0.8000	RFQ	473	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	to-3p-3フルパック				モスフェット（金属酸化物）		to-3pf	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	30			nチャネル					150 v	22a（tc）	10V	90mohm @ 11a 、10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±25V	1600 pf @ 25 v	-	102W
FDMS8692	0.5000	RFQ	65	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn				モスフェット（金属酸化物）		8-PQFN	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル					30 V	12a（ta ）、28a（tc）	4.5V 、10V	9mohm @ 12a 、10V	3V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	1265 PF @ 15 V	-	2.5W
FGA15N120FTDTU	-	RFQ	3612	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	to-3p-3、SC-65-3		FGA15N120	標準		220 W	to-3p	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	30				-																		575 ns					トレンチフィールドストップ	1200 v	30 a	45 a	2V @ 15V、15a	-	100 NC	-
fqpf9n50t	0.9600	RFQ	11	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック				モスフェット（金属酸化物）		TO-220F-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル					500 V	5.3a（tc）	10V	730mohm @ 2.65a 、10V	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1450 PF @ 25 V	-	50W （TC）
FQPF2N90	1.2000	RFQ	52	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック				モスフェット（金属酸化物）		TO-220F-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル					900 V	1.4a（tc）	10V	7.2OHM @ 700MA 、10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	500 PF @ 25 V	-	35W （TC）
FSB50450AT	4.9700	RFQ	347	フェアチャイルド半導体	spm®5	バルク	アクティブ			穴を通して	23-powerdip モジュール（0.748 "、19.00mm）	モスフェット						ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1	3フェーズ				1.5 a	500 V	1500VRMS
hufa75344g3	2.3600	RFQ	96	フェアチャイルド半導体	ultrafet™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3				モスフェット（金属酸化物）		TO-247	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	300			nチャネル					55 v	75a（tc）	10V	8mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	285W
FSBM30SH60A	23.8200	RFQ	38	フェアチャイルド半導体	SPM®	バルク	アクティブ			穴を通して	32-POWERDIP モジュール（1.370 "、34.80mm）	IGBT						ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	48	3フェーズ				30 a	600 V	2500VRMS
1N4728A	0.0300	RFQ	67	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜20°C	穴を通して	軸					1 W	軸	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	9,779																							100 µA @ 1 V													3.3 v	10オーム
FQB16N15TM	0.7200	RFQ	959	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		d2pak（to-263）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	800			nチャネル					150 v	16.4a	10V	160mohm @ 8.2a 、10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±25V	910 PF @ 25 V	-	3.75W （TA ）、108W（TC）
SBAS16DXV6T1G	0.0900	RFQ	107	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ											ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-SBAS16DXV6T1G-600039	ear99	8541.10.0070	3,410
RGP10G	0.0700	RFQ	104	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸				標準		DO-41	ダウンロード		未定義のベンダー	未定義のベンダー	2156-RGP10G-600039			4,991		高速回復= <500ns																	400 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
1S921TR	0.0200	RFQ	20	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸		1S92		標準		DO-35	-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー			0000.00.0000	5,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																	100 V		1.2 V @ 200 mA		100 Na @ 100 V		200mA	-
huf75344p3_nl	1.1800	RFQ	312	フェアチャイルド半導体	ultrafet®	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル					55 v	75a（tc）	10V	8mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	285W
BZX79C4V7	0.0300	RFQ	80	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸					500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	11,539																					1.5 V @ 100 MA		3 µA @ 2 V													4.7 v	80オーム
FJY4011R	0.0200	RFQ	9581	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止			表面マウント	SC-89 、SOT-490		FJY401			200 MW	SOT-523F	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	3,000																												40 v	100 Ma						100na（icbo）			pnp-前バイアス	300MV @ 1MA 、10ma	100 @ 1MA 、5V	200 MHz	22 Kohms
BC856BMTF	-	RFQ	3208	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3		BC856			310 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	3,000																												65 v	100 Ma						15NA			PNP	650mv @ 5ma 、100ma	200 @ 2MA 、5V	150MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²