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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 得 現在 電圧 電圧 -分離 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
FDD16AN08A0_NF054 Fairchild Semiconductor FDD16AN08A0_NF054 1.0000
RFQ
 ECAD 3965 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード 適用できない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 75 v 9a（タタ）、50a（tc） 6V 、10V 16mohm @ 50a 、10V 4V @ 250µA 47 NC @ 10 V ±20V 1874 PF @ 25 V - 135W
FSB50550US Fairchild Semiconductor FSB50550US 5.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 spm®5 バルク アクティブ 表面マウント 23-Powersmd モジュール、ガルウィング モスフェット FSB50550 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.39.0001 65 3フェーズ 2 a 500 V 1500VRMS
BCW68G Fairchild Semiconductor BCW68G 0.0500
RFQ
 ECAD 224 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 45 v 800 Ma 20na PNP 1.5V @ 30MA 、300mA 160 @ 100MA、1V 100MHz
KSC1674OTA Fairchild Semiconductor ksc1674ota 0.0200
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 250MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 - 20V 20ma npn 70 @ 1MA 、6V 600MHz 3DB〜5DB @ 100MHz
KSA642YBU Fairchild Semiconductor KSA642YBU 0.0200
RFQ
 ECAD 144 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 400 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 1,000 25 v 300 Ma 100na（icbo） PNP 600MV @ 30MA、300MA 120 @ 50MA、1V -
2N4401TF Fairchild Semiconductor 2N4401TF 0.0400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 8,398 40 v 600 Ma - npn 750mv @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma、1V 250MHz
FDMB3800N Fairchild Semiconductor FDMB3800N -
RFQ
 ECAD 6599 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN FDMB3800 モスフェット（金属酸化物） 750MW 8-MLP 、マイクロフェット（ 3x1.9） ダウンロード ear99 8542.39.0001 587 2 nチャンネル（デュアル） 30V 4.8a 40mohm @ 4.8a 、10V 3V @ 250µA 5.6NC @ 5V 465pf @ 15V ロジックレベルゲート
FDW2521C Fairchild Semiconductor FDW2521C 1.0000
RFQ
 ECAD 6749 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） FDW25 モスフェット（金属酸化物） 600MW 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,500 nおよびpチャネル 20V 5.5a 、3.8a 21mohm @ 5.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V 1082pf @ 10V ロジックレベルゲート
HUF75829D3 Fairchild Semiconductor HUF75829D3 0.4900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 150 v 18a（tc） 10V 110mohm @ 18a 、10V 4V @ 250µA 70 NC @ 20 V ±20V 1080 PF @ 25 V - 110W
FJY3011R Fairchild Semiconductor FJY3011R 0.0200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント SC-89 、SOT-490 FJY301 200 MW SOT-523F ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 40 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 1MA 、10ma 100 @ 1MA 、5V 250 MHz 22 Kohms
KSB798YTF Fairchild Semiconductor KSB798YTF -
RFQ
 ECAD 8252 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 2 W SOT-89-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 1,455 25 v 1 a 100na（icbo） PNP 400MV @ 100MA、1a 135 @ 100MA、1V 110MHz
FDH50N50 Fairchild Semiconductor FDH50N50 10.3700
RFQ
 ECAD 761 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 500 V 48a 10V 105mohm @ 24a 、10V 5V @ 250µA 137 NC @ 10 V ±30V 6460 PF @ 25 V - 625W （TC）
1N5400 Fairchild Semiconductor 1N5400 0.0200
RFQ
 ECAD 6663 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-201ad、軸 標準 DO-201AD ダウンロード ROHS3準拠 2156-1N5400-FSTR ear99 8541.10.0080 1,250 標準回復> 500ns 50 v 1.2 V @ 3 a 5 µA @ 50 V -55°C〜150°C 3a 30pf @ 4V、1MHz
HUF76409D3 Fairchild Semiconductor HUF76409D3 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 18a（tc） 4.5V 、10V 63mohm @ 18a 、10V 3V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±16V 485 PF @ 25 V - 49W （TC）
BC856CMTF Fairchild Semiconductor BC856CMTF -
RFQ
 ECAD 7356 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 BC856 310 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 65 v 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 420 @ 2MA 、5V 150MHz
KSC2330YH2TA Fairchild Semiconductor ksc2330yh2ta 0.2100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 1 W to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0075 1 300 V 100 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 120 @ 20MA 、10V 50MHz
1N757A Fairchild Semiconductor 1N757A 2.0800
RFQ
 ECAD 133 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 145 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 1 V 9.1 v 10オーム
FJC1963RTF Fairchild Semiconductor FJC1963RTF -
RFQ
 ECAD 5688 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 500 MW SOT-89-3 - ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 4,000 30 V 3 a 500na npn 450MV @ 150MA 、1.5a 180 @ 500MA 、2V -
FDPF20N50FT Fairchild Semiconductor fdpf20n50ft 1.0000
RFQ
 ECAD 6889 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 500 V 20a（tc） 10V 260mohm @ 10a 、10v 5V @ 250µA 65 NC @ 10 V ±30V 3390 PF @ 25 V - 38.5W
FSBM30SH60A Fairchild Semiconductor FSBM30SH60A 23.8200
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SPM® バルク アクティブ 穴を通して 32-POWERDIP モジュール（1.370 "、34.80mm） IGBT ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 48 3フェーズ 30 a 600 V 2500VRMS
FQA7N90 Fairchild Semiconductor FQA7N90 1.4900
RFQ
 ECAD 939 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 900 V 7.4a（tc） 10V 1.55OHM @ 3.7A 、10V 5V @ 250µA 59 NC @ 10 V ±30V 2280 PF @ 25 V - 198W
FSBS5CH60 Fairchild Semiconductor FSBS5CH60 21.5100
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 フェアチャイルド半導体 モーションSPM®3 バルク アクティブ 穴を通して 27-POWERDIP モジュール（1.205 "、30.60mm） IGBT FSBS5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.39.0001 16 3フェーズ 5 a 600 V 2500VRMS
FDD5N50FTM Fairchild Semiconductor fdd5n50ftm 0.7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 500 V 3.5a 10V 1.55OHM @ 1.75A 、10V 5V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±30V 650 PF @ 25 V - 40W （TC）
SI3447DV Fairchild Semiconductor SI3447DV -
RFQ
 ECAD 8313 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5.5a（ta） 1.8V 、4.5V 33mohm @ 5.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 30 NC @ 4.5 v ±8V 1926 PF @ 10 V - 800MW
FQAF15N70 Fairchild Semiconductor FQAF15N70 2.7500
RFQ
 ECAD 295 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット（金属酸化物） to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 360 nチャネル 700 V 9.5a 10V 560mohm @ 4.8a 、10V 5V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±30V 3600 PF @ 25 V - 120W （TC）
FJV4102RMTF Fairchild Semiconductor fjv4102rmtf 0.0300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 FJV410 200 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 30 @ 5MA 、5V 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
MUR460FFG Fairchild Semiconductor mur460ffg 1.0000
RFQ
 ECAD 4059 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SwitchMode™ バルク アクティブ 穴を通して DO-201AA 標準 軸 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 高速回復= <500ns 600 V 1.28 V @ 4 a 75 ns 10 µA @ 600 V -65°C〜175°C 4a -
FDS6685 Fairchild Semiconductor FDS6685 1.3900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 30 V 8.8a（ta） 4.5V 、10V 20mohm @ 8.8a 、10V 3V @ 250µA 24 NC @ 5 V ±25V 1604 PF @ 15 V - 2.5W
FQB16N15TM Fairchild Semiconductor FQB16N15TM 0.7200
RFQ
 ECAD 959 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 150 v 16.4a 10V 160mohm @ 8.2a 、10V 4V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±25V 910 PF @ 25 V - 3.75W （TA ）、108W（TC）
FJX3003RTF Fairchild Semiconductor fjx3003rtf 0.0200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント SC-70、SOT-323 FJX300 200 MW SC-70-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 56 @ 5MA 、5V 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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