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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在 電圧 電圧 -分離 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
FDD5N50FTM Fairchild Semiconductor fdd5n50ftm 0.7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 500 V 3.5a 10V 1.55OHM @ 1.75A 、10V 5V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±30V 650 PF @ 25 V - 40W （TC）
MMBT5551 Fairchild Semiconductor MMBT5551 0.0400
RFQ
 ECAD 227 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 160 v 600 Ma 50na（icbo） npn 200mV @ 5MA 、50mA 80 @ 10ma 、5v 100MHz
SI6963DQ Fairchild Semiconductor SI6963DQ 0.2300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） SI6963 モスフェット（金属酸化物） 600MW 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 1 2 P-Channel （デュアル） 20V 3.8a（ta） 43mohm @ 3.8a 、4.5V 1.5V @ 250µA 16NC @ 4.5V 1015pf @ 10V -
BZX85C18 Fairchild Semiconductor BZX85C18 0.0300
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 500 na @ 12.5 v 18 v 20オーム
BC32725 Fairchild Semiconductor BC32725 0.0600
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 800 Ma 100NA PNP 700mv @ 50ma 、500ma 160 @ 100MA、1V 100MHz
FDS2070N7 Fairchild Semiconductor FDS2070N7 2.0100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 150 v 4.1a（ta） 6V 、10V 78mohm @ 4.1a 、10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±20V 1884 pf @ 75 v - 3w
FQPF10N20 Fairchild Semiconductor FQPF10N20 0.4100
RFQ
 ECAD 3066 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 16 nチャネル 200 v 6.8a（tc） 10V 360mohm @ 3.4a 、10V 5V @ 250µA 18 NC @ 10 V ±30V 670 PF @ 25 V - 40W （TC）
IRFP460C Fairchild Semiconductor IRFP460C -
RFQ
 ECAD 8134 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 500 V 20a（tc） 10V 240mohm @ 10a 、10V 4V @ 250µA 170 NC @ 10 V ±30V 6000 PF @ 25 V - 235W （TC）
FQAF7N90 Fairchild Semiconductor FQAF7N90 1.4700
RFQ
 ECAD 877 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット（金属酸化物） to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 360 nチャネル 900 V 5.2a（tc） 10V 1.55OHM @ 2.6A 、10V 5V @ 250µA 59 NC @ 10 V ±30V 2280 PF @ 25 V - 107W （TC）
KSB1151YS Fairchild Semiconductor KSB1151ys 0.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 1.3 w TO-126-3 ダウンロード 0000.00.0000 838 60 V 5 a 10µa（icbo） PNP 300MV @ 200MA 、2a 100 @ 2a、1V -
FPDB50PH60 Fairchild Semiconductor FPDB50PH60 39.0400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PFCSPM®3 チューブ アクティブ 穴を通して 27-POWERDIP モジュール（1.205 "、30.60mm） IGBT FPDB50 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1 2フェーズ 30 a 600 V 2500VRMS
2SD1111-AA Fairchild Semiconductor 2SD1111-AA 0.1200
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 600 MW 3-np ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 1 50 v 700 Ma 100na（icbo） npn-ダーリントン 1.2V @ 100µA 、100mA 5000 @ 50MA 、2V 200MHz
FNF51060TD1 Fairchild Semiconductor FNF51060TD1 8.0900
RFQ
 ECAD 766 0.00000000 フェアチャイルド半導体 モーションSPM®55 バルク アクティブ 穴を通して 20-POWERDIP モジュール（1.220 "、31.00mm） IGBT ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.39.0001 1 3相インバーター 10 a 600 V 1500VRMS
HUF75344P3_NL Fairchild Semiconductor huf75344p3_nl 1.1800
RFQ
 ECAD 312 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 55 v 75a（tc） 10V 8mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 210 NC @ 20 V ±20V 3200 PF @ 25 V - 285W
FDP3205 Fairchild Semiconductor FDP3205 1.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 55 v 100a（tc） 10V 7.5mohm @ 59a、10V 5.5V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±20V 7730 PF @ 25 V - 150W
FCPF190N60-F152 Fairchild Semiconductor FCPF190N60-F152 -
RFQ
 ECAD 5550 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-FCPF190N60-F152 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 20.2a 10V 199mohm @ 10a 、10v 3.5V @ 250µA 74 NC @ 10 V ±20V 2950 PF @ 25 V - 39W （TC）
FDN357N Fairchild Semiconductor FDN357N 0.1500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード ear99 8541.21.0095 1,976 nチャネル 30 V 1.9a（ta） 4.5V 、10V 60mohm @ 2.2a 、10V 2V @ 250µA 5.9 NC @ 5 V ±20V 235 pf @ 10 v - 500MW
FJY3015R Fairchild Semiconductor FJY3015R 0.0200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント SC-89 、SOT-490 FJY301 SOT-523F ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 33 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 10 Kohms
SSS4N60BT Fairchild Semiconductor SSS4N60BT 0.3100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 4a（tj） 10V 2.5OHM @ 2A 、10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±30V 920 PF @ 25 V - 33W （TC）
BCX70J Fairchild Semiconductor BCX70J 0.0300
RFQ
 ECAD 7992 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 - 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 490 45 v 200 ma 20na npn 550MV @ 1.25MA 、50mA 250 @ 2MA 、5V 125MHz
1N5243B Fairchild Semiconductor 1N5243B 0.0300
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,539 900 mV @ 200 mA 500 NA @ 9.9 v 13 v 13オーム
FFPF15U20STU Fairchild Semiconductor FFPF15U20STU 1.0000
RFQ
 ECAD 2855 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2フルパック 標準 TO-220F-2L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 200 v 1.2 V @ 15 a 40 ns 15 µa @ 200 v -65°C〜150°C 15a -
FDU6676AS Fairchild Semiconductor FDU6676AS 0.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 30 V 90a（ta） 4.5V 、10V 5.8mohm @ 16a 、10V 3V @ 250µA 64 NC @ 10 V ±20V 2470 PF @ 15 V - 70W
HUFA76409D3S Fairchild Semiconductor hufa76409d3s 0.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,224 nチャネル 60 V 18a（tc） 4.5V 、10V 63mohm @ 18a 、10V 3V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±16V 485 PF @ 25 V - 49W （TC）
S3GB Fairchild Semiconductor S3GB -
RFQ
 ECAD 8955 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB 標準 do-214aa ダウンロード ear99 8541.10.0080 622 標準回復> 500ns 400 V 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 400 V -55°C〜150°C 3a 18pf @ 0V、1MHz
NDS9953A Fairchild Semiconductor NDS9953A 0.5700
RFQ
 ECAD 282 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） NDS995 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,500 2 P-Channel （デュアル） 30V 2.9a 130mohm @ 1a 、10V 2.8V @ 250µA 25NC @ 10V 350pf @ 10V ロジックレベルゲート
MMBT3906 Fairchild Semiconductor MMBT3906 -
RFQ
 ECAD 9960 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 MMBT 250 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 40 v 200 ma 50NA PNP 400mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 250MHz
MJD32CTF Fairchild Semiconductor MJD32CTF -
RFQ
 ECAD 6296 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 1.56 w TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 833 100 V 3 a 50µA PNP 1.2V @ 375MA、3a 25 @ 1a 、4V 3MHz
FDMA6023PZT Fairchild Semiconductor FDMA6023PZT 0.3800
RFQ
 ECAD 369 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-udfn露出パッド FDMA6023 モスフェット（金属酸化物） 700mw 6- マイクロフェット（2x2） ダウンロード ear99 8542.39.0001 792 2 P-Channel （デュアル） 20V 3.6a 60mohm @ 3.6a 、4.5V 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V 885pf @ 10V ロジックレベルゲート
FJD3076TM Fairchild Semiconductor fjd3076tm 0.2400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 FJD3076 1 W d-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1,268 32 v 2 a 1µa（icbo） npn 800mv @ 200ma 、2a 130 @ 500MA 、3V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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