SIC
close
画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 入力タイプ 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在の評価( amp) テスト条件 電力 -出力 現在 電圧 電圧 -分離 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) ノイズ図 ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターパルス( icm) vce(on max) @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD (オン/オフ) @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) ノイズフィギュア(DBタイプ @ f)
FDMS7606 Fairchild Semiconductor FDMS7606 0.9800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 表面マウント 8-POWERWDFN FDMS76 モスフェット(金属酸化物) 1W Power56 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル(デュアル) 30V 11.5a 、12a 11.4mohm @ 11.5a 、10V 3V @ 250µA 22NC @ 10V 1400pf @ 15V ロジックレベルゲート
FSB50450T Fairchild Semiconductor FSB50450T 4.3800
RFQ
ECAD 29 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SPM® チューブ 廃止 穴を通して 23-powerdip モジュール(0.748 "、19.00mm) モスフェット ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 15 3フェーズ 1.5 a 500 V 1500VRMS
FFB05U120STM Fairchild Semiconductor FFB05U120STM 0.3000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント TO-263-3 標準 d2pak(to-263) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1200 v 3.5 V @ 5 a 100 ns 5 µA @ 1200 v -65°C〜150°C 5a -
FDS6572A Fairchild Semiconductor FDS6572A 1.7300
RFQ
ECAD 373 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) モスフェット(金属酸化物) 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 20 v 16a(ta) 2.5V 、4.5V 6mohm @ 16a 、4.5v 1.5V @ 250µA 80 NC @ 4.5 v ±12V 5914 PF @ 10 V - 2.5W
FQAF40N25 Fairchild Semiconductor FQAF40N25 2.9800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット(金属酸化物) to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 360 nチャネル 250 v 24a(tc) 10V 70mohm @ 12a 、10V 5V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±30V 4000 pf @ 25 V - 108W
FDS6679Z Fairchild Semiconductor FDS6679Z -
RFQ
ECAD 1993年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) モスフェット(金属酸化物) 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 30 V 13a(ta) 4.5V 、10V 9mohm @ 13a 、10v 3V @ 250µA 94 NC @ 10 V +20V、-25V 3803 PF @ 15 V - 2.5W
SGP13N60UFTU Fairchild Semiconductor SGP13N60UFTU 0.2300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 SGP13N60 標準 60 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 300V 、6.5A 、50OHM、15V - 600 V 13 a 52 a 2.6V @ 15V 、6.5a 85µj(95µj(オフ) 25 NC 20ns/70ns
MMBT2907AK Fairchild Semiconductor MMBT2907AK 1.0000
RFQ
ECAD 1193 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 60 V 600 Ma 10na (icbo) PNP 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 200MHz
MPS5179 Fairchild Semiconductor MPS5179 -
RFQ
ECAD 9849 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 - 穴を通して to-226-3 200mw to-92(to-226) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 774 - 12V 50ma npn 25 @ 3MA、1V 2GHz -
1N976B Fairchild Semiconductor 1N976B 1.8400
RFQ
ECAD 33 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 5 µA @ 32.7 v 43 v 93オーム
2N4124TFR Fairchild Semiconductor 2N4124TFR 0.0200
RFQ
ECAD 2405 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 2156-2N4124TFR-FSTR ear99 8541.21.0075 2,000 25 v 200 ma 50na(icbo) npn 300mv @ 5ma 、50ma 120 @ 2MA、1V 300MHz
FQD16N15TM Fairchild Semiconductor FQD16N15TM 0.5300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット(金属酸化物) TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 150 v 11.8a(tc) 10V 160mohm @ 5.9a 、10V 4V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±25V 910 PF @ 25 V - 2.5W
1N459-T50R Fairchild Semiconductor 1N459-T50R 0.0200
RFQ
ECAD 60 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 (do-204ah) ダウンロード 適用できない ear99 8541.10.0070 10,000 標準回復> 500ns 200 v 1 V @ 100 MA 25 Na @ 175 v 175°C (最大) 500mA 6PF @ 0V、1MHz
FDW2503NZ Fairchild Semiconductor FDW2503NZ 0.5500
RFQ
ECAD 136 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) FDW25 モスフェット(金属酸化物) 600MW 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,500 2 nチャンネル(デュアル) 20V 5.5a 20mohm @ 5.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V 1286pf @ 10V ロジックレベルゲート
FQA6N80 Fairchild Semiconductor FQA6N80 1.0900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット(金属酸化物) to-3p ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 800 V 6.3a(tc) 10V 1.95OHM @ 3.15A 、10V 5V @ 250µA 31 NC @ 10 V ±30V 1500 PF @ 25 V - 185W
FDD6780 Fairchild Semiconductor FDD6780 0.2500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット(金属酸化物) TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 25 v 16.5a 4.5V 、10V 8.5mohm @ 16.5a 、10V 3V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±20V 1590 pf @ 13 v - 3.7W (TA )、 32.6W (TC
FJY4011R Fairchild Semiconductor FJY4011R 0.0200
RFQ
ECAD 9581 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント SC-89 、SOT-490 FJY401 200 MW SOT-523F ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 40 v 100 Ma 100na(icbo) pnp-前バイアス 300MV @ 1MA 、10ma 100 @ 1MA 、5V 200 MHz 22 Kohms
FFPF04U40DNTU Fairchild Semiconductor FFPF04U40DNTU 0.2000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3フルパック 標準 TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 400 V 4a 1.4 V @ 4 a 45 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜150°C
SFP9634 Fairchild Semiconductor SFP9634 0.4100
RFQ
ECAD 11 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 pチャネル 250 v 5a(tc) 10V 1.3OHM @ 2.5A 、10V 4V @ 250µA 37 NC @ 10 V ±30V 975 PF @ 25 V - 70W
HUFA75645P3 Fairchild Semiconductor Hufa75645p3 1.1800
RFQ
ECAD 5354 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2 nチャネル 100 V 75a(tc) 10V 14mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 238 NC @ 20 V ±20V 3790 PF @ 25 V - 310W
FDP3205 Fairchild Semiconductor FDP3205 1.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 55 v 100a(tc) 10V 7.5mohm @ 59a、10V 5.5V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±20V 7730 PF @ 25 V - 150W
KST3904LGEMTF Fairchild Semiconductor KST3904LGEMTF 0.0600
RFQ
ECAD 236 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 - 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 5,323 40 v 200 ma - npn 300mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 300MHz
SGW13N60UFDTM Fairchild Semiconductor SGW13N60UFDTM 1.7100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 - 表面マウント TO-263-3 SGW13 標準 60 W d2pak(to-263) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 300V 、6.5A 、50OHM、15V 55 ns - 600 V 13 a 52 a 2.6V @ 15V 、6.5a 85µj(95µj(オフ) 25 NC 20ns/70ns
2N5950 Fairchild Semiconductor 2N5950 -
RFQ
ECAD 8947 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 30 V 穴を通して TO-226-3 - jfet to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 1 nチャネル 15ma - - -
FQPF3N80 Fairchild Semiconductor FQPF3N80 0.7800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット(金属酸化物) TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 800 V 1.8a 10V 5OHM @ 900MA 、10V 5V @ 250µA 19 NC @ 10 V ±30V 690 PF @ 25 V - 39W (TC)
KSE13003TH2ATU Fairchild Semiconductor KSE13003TH2ATU 0.4600
RFQ
ECAD 900 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 20 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 400 V 1.5 a - npn 3V @ 500MA 、1.5a 14 @ 500MA 、2V 4MHz
FQU3N40TU Fairchild Semiconductor fqu3n40tu 0.5300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット(金属酸化物) i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 70 nチャネル 400 V 2a(tc) 10V 3.4OHM @ 1A 、10V 5V @ 250µA 7.5 NC @ 10 V ±30V 230 PF @ 25 V - 2.5w
NDS9953A Fairchild Semiconductor NDS9953A 0.5700
RFQ
ECAD 282 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) NDS995 モスフェット(金属酸化物) 900MW 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,500 2 P-Channel (デュアル) 30V 2.9a 130mohm @ 1a 、10V 2.8V @ 250µA 25NC @ 10V 350pf @ 10V ロジックレベルゲート
BF244C Fairchild Semiconductor BF244C 0.3400
RFQ
ECAD 33 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 450MHz - to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 - 25ma - - 1.5dB
FFB20UP20DN Fairchild Semiconductor ffb20up20dn 0.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント TO-263-3 標準 d2pak(to-263) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 10a 1.15 V @ 10 a 40 ns 10 µA @ 200 v -55°C〜175°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫