画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | 入力タイプ | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在の評価( amp) | テスト条件 | 電力 -出力 | 得 | 現在 | 電圧 | 電圧 -分離 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ノイズ図 | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | ノイズフィギュア(DBタイプ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDMS7606 | 0.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | 表面マウント | 8-POWERWDFN | FDMS76 | モスフェット(金属酸化物) | 1W | Power56 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 11.5a 、12a | 11.4mohm @ 11.5a 、10V | 3V @ 250µA | 22NC @ 10V | 1400pf @ 15V | ロジックレベルゲート | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSB50450T | 4.3800 | ![]() | 29 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | SPM® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | 23-powerdip モジュール(0.748 "、19.00mm) | モスフェット | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.39.0001 | 15 | 3フェーズ | 1.5 a | 500 V | 1500VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFB05U120STM | 0.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 標準 | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.5 V @ 5 a | 100 ns | 5 µA @ 1200 v | -65°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6572A | 1.7300 | ![]() | 373 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 20 v | 16a(ta) | 2.5V 、4.5V | 6mohm @ 16a 、4.5v | 1.5V @ 250µA | 80 NC @ 4.5 v | ±12V | 5914 PF @ 10 V | - | 2.5W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF40N25 | 2.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-3p-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 360 | nチャネル | 250 v | 24a(tc) | 10V | 70mohm @ 12a 、10V | 5V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±30V | 4000 pf @ 25 V | - | 108W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6679Z | - | ![]() | 1993年 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 13a(ta) | 4.5V 、10V | 9mohm @ 13a 、10v | 3V @ 250µA | 94 NC @ 10 V | +20V、-25V | 3803 PF @ 15 V | - | 2.5W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGP13N60UFTU | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | SGP13N60 | 標準 | 60 W | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 300V 、6.5A 、50OHM、15V | - | 600 V | 13 a | 52 a | 2.6V @ 15V 、6.5a | 85µj(95µj(オフ) | 25 NC | 20ns/70ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT2907AK | 1.0000 | ![]() | 1193 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 V | 600 Ma | 10na (icbo) | PNP | 1.6V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS5179 | - | ![]() | 9849 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | - | 穴を通して | to-226-3 | 200mw | to-92(to-226) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 774 | - | 12V | 50ma | npn | 25 @ 3MA、1V | 2GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N976B | 1.8400 | ![]() | 33 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 5 µA @ 32.7 v | 43 v | 93オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4124TFR | 0.0200 | ![]() | 2405 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2156-2N4124TFR-FSTR | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 25 v | 200 ma | 50na(icbo) | npn | 300mv @ 5ma 、50ma | 120 @ 2MA、1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD16N15TM | 0.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 150 v | 11.8a(tc) | 10V | 160mohm @ 5.9a 、10V | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±25V | 910 PF @ 25 V | - | 2.5W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N459-T50R | 0.0200 | ![]() | 60 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | 適用できない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1 V @ 100 MA | 25 Na @ 175 v | 175°C (最大) | 500mA | 6PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDW2503NZ | 0.5500 | ![]() | 136 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | FDW25 | モスフェット(金属酸化物) | 600MW | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(デュアル) | 20V | 5.5a | 20mohm @ 5.5a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 17NC @ 4.5V | 1286pf @ 10V | ロジックレベルゲート | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA6N80 | 1.0900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | モスフェット(金属酸化物) | to-3p | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 800 V | 6.3a(tc) | 10V | 1.95OHM @ 3.15A 、10V | 5V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ±30V | 1500 PF @ 25 V | - | 185W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6780 | 0.2500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 25 v | 16.5a | 4.5V 、10V | 8.5mohm @ 16.5a 、10V | 3V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ±20V | 1590 pf @ 13 v | - | 3.7W (TA )、 32.6W (TC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY4011R | 0.0200 | ![]() | 9581 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | FJY401 | 200 MW | SOT-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 100 Ma | 100na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 1MA 、10ma | 100 @ 1MA 、5V | 200 MHz | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFPF04U40DNTU | 0.2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3フルパック | 標準 | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 4a | 1.4 V @ 4 a | 45 ns | 10 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFP9634 | 0.4100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | pチャネル | 250 v | 5a(tc) | 10V | 1.3OHM @ 2.5A 、10V | 4V @ 250µA | 37 NC @ 10 V | ±30V | 975 PF @ 25 V | - | 70W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Hufa75645p3 | 1.1800 | ![]() | 5354 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2 | nチャネル | 100 V | 75a(tc) | 10V | 14mohm @ 75a 、10V | 4V @ 250µA | 238 NC @ 20 V | ±20V | 3790 PF @ 25 V | - | 310W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP3205 | 1.1800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 55 v | 100a(tc) | 10V | 7.5mohm @ 59a、10V | 5.5V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±20V | 7730 PF @ 25 V | - | 150W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST3904LGEMTF | 0.0600 | ![]() | 236 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | - | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 5,323 | 40 v | 200 ma | - | npn | 300mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 10ma、1V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGW13N60UFDTM | 1.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | - | 表面マウント | TO-263-3 | SGW13 | 標準 | 60 W | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 300V 、6.5A 、50OHM、15V | 55 ns | - | 600 V | 13 a | 52 a | 2.6V @ 15V 、6.5a | 85µj(95µj(オフ) | 25 NC | 20ns/70ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5950 | - | ![]() | 8947 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 30 V | 穴を通して | TO-226-3 | - | jfet | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | nチャネル | 15ma | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF3N80 | 0.7800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 800 V | 1.8a | 10V | 5OHM @ 900MA 、10V | 5V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ±30V | 690 PF @ 25 V | - | 39W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSE13003TH2ATU | 0.4600 | ![]() | 900 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 20 W | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 1.5 a | - | npn | 3V @ 500MA 、1.5a | 14 @ 500MA 、2V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fqu3n40tu | 0.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | モスフェット(金属酸化物) | i-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 70 | nチャネル | 400 V | 2a(tc) | 10V | 3.4OHM @ 1A 、10V | 5V @ 250µA | 7.5 NC @ 10 V | ±30V | 230 PF @ 25 V | - | 2.5w | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS9953A | 0.5700 | ![]() | 282 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | NDS995 | モスフェット(金属酸化物) | 900MW | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 P-Channel (デュアル) | 30V | 2.9a | 130mohm @ 1a 、10V | 2.8V @ 250µA | 25NC @ 10V | 350pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF244C | 0.3400 | ![]() | 33 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | TO-226-3 | 450MHz | - | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | - | 25ma | - | - | 1.5dB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ffb20up20dn | 0.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 標準 | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 1.15 V @ 10 a | 40 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜175°C |
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