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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 現在 -平均修正（ io） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
BCW30 Fairchild Semiconductor BCW30 1.0000
RFQ
 ECAD 4650 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 32 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 500µA 、10mA 215 @ 2MA 、5V -
FDFS2P102A Fairchild Semiconductor FDFS2P102A 1.0800
RFQ
 ECAD 193 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,500 pチャネル 20 v 3.3a（ta） 4.5V 、10V 125mohm @ 3.3a 、10V 3V @ 250µA 3 NC @ 5 V ±20V 182 pf @ 10 v ショットキーダイオード（分離） 900MW
FDMF5808 Fairchild Semiconductor FDMF5808 1.0000
RFQ
 ECAD 4017 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3,000
FLZ3V3B Fairchild Semiconductor flz3v3b 0.0200
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 14 µA @ 1 V 3.4 v 35オーム
FDS7760A Fairchild Semiconductor FDS7760A 1.2300
RFQ
 ECAD 575 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 15a（ta） 4.5V 、10V 5.5mohm @ 15a 、10V 3V @ 250µA 55 NC @ 5 V ±20V 3514 PF @ 15 V - 2.5W
SGR20N40LTM Fairchild Semiconductor sgr20n40ltm 1.2500
RFQ
 ECAD 2783 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -40°C〜150°C （TJ 表面マウント to-252-3 SGR20 標準 45 W TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 30 - 溝 400 V 150 a 8V @ 4.5V 、150A - -
IRF630BTSTU Fairchild Semiconductor IRF630BTSTU -
RFQ
 ECAD 1443 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ IRF630 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 -
HUF76443S3ST Fairchild Semiconductor HUF76443S3ST 1.6500
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 60 V 75a（tc） 4.5V 、10V 8mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 129 NC @ 10 V ±16V 4115 PF @ 25 V - 260W
FDN363N Fairchild Semiconductor FDN363N 0.1700
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-3 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 100 V 1a（tc） 6V 、10V 240mohm @ 1a 、10V 4V @ 250µA 5.2 NC @ 10 V ±20V 200 pf @ 25 v - 500MW
FQPF47P06YDTU Fairchild Semiconductor fqpf47p06ydtu -
RFQ
 ECAD 8479 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 フルパック、形成されたリード モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 pチャネル 60 V 30a（tc） 10V 26mohm @ 15a 、10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±25V 3600 PF @ 25 V - 62W
FDU6512A Fairchild Semiconductor FDU6512A 0.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 386 nチャネル 20 v 10.7a 2.5V 、4.5V 21mohm @ 10.7a 、4.5V 1.5V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ±12V 1082 PF @ 10 V - 3.8W （TA ）、43W（TC）
DF04M Fairchild Semiconductor DF04M -
RFQ
 ECAD 1339 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-EDIP （0.300 "、7.62mm） 標準 4-dip - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-DF04M-600039 1 1.1 V @ 1 a 5 µA @ 400 V 1.5 a 単相 400 V
IRFR220BTM Fairchild Semiconductor IRFR220BTM 0.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,760 nチャネル 200 v 4.6a（tc） 10V 800mohm @ 2.3a 、10V 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±30V 390 PF @ 25 V - 2.5W （TA）、40W（TC）
KSP06TA-FS Fairchild Semiconductor KSP06TA-FS -
RFQ
 ECAD 1406 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 80 v 500 Ma 100NA npn 250MV @ 10MA 、100mA 50 @ 100MA、1V 100MHz
MJD340 Fairchild Semiconductor MJD340 -
RFQ
 ECAD 9109 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -65°C〜150°C 表面マウント to-252-3 1.56 w dpak ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 75 300 V 500 Ma 100µA npn - 30 @ 50ma 、10V -
FDMC15N06 Fairchild Semiconductor FDMC15N06 -
RFQ
 ECAD 1274 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-mlp （3.3x3.3） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 55 v 2.4a（タタ）、 15a（tc） 10V 900mohm @ 15a 、10V 4V @ 250µA 11.5 NC @ 10 V ±20V 350 PF @ 25 V - 2.3w
TIP115TU Fairchild Semiconductor tip115tu 0.4500
RFQ
 ECAD 940 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 2 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 60 V 2 a 2MA pnp-ダーリントン 2.5V @ 8MA 、2a 1000 @ 1a 、4V -
FDMA8884 Fairchild Semiconductor FDMA8884 1.0000
RFQ
 ECAD 6776 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド モスフェット（金属酸化物） 6- マイクロフェット（2x2） ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 6.5a 4.5V 、10V 23mohm @ 6.5a 、10V 3V @ 250µA 7.5 NC @ 10 V ±20V 450 PF @ 15 V - 1.9w
FQB44N10TM Fairchild Semiconductor fqb44n10tm 1.0000
RFQ
 ECAD 8553 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d²pak（ to-263） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 100 V 43.5a 10V 39mohm @ 21.75a 、10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±25V 1800 pf @ 25 v - 3.75W
FDMS0348 Fairchild Semiconductor FDMS0348 0.2100
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-MLP （5x6） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 14a（ta ）、 35a（tc） 4.5V 、10V 7mohm @ 14a 、10v 3V @ 250µA 26 NC @ 10 V ±20V 1590 PF @ 15 V - 2.5W （TA ）、50W（TC）
HUF75329D3 Fairchild Semiconductor HUF75329D3 0.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 55 v 20a（tc） 10V 26mohm @ 20a 、10V 4V @ 250µA 65 NC @ 20 V ±20V 1060 PF @ 25 V - 128W （TC）
FCPF260N65FL1 Fairchild Semiconductor FCPF260N65FL1 1.1400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 FRFET®、Superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 650 V 15a（tc） 10V 260mohm @ 7.5a 、10V 5V @ 1.5MA 60 NC @ 10 V ±20V 2340 PF @ 100 V - 36W （TC）
FDMS3006SDC Fairchild Semiconductor FDMS3006SDC -
RFQ
 ECAD 3520 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Dual Cool™、PowerTrench®、Syncfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn FDMS30 モスフェット（金属酸化物） Dual Cool™56 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 3,000 nチャネル 30 V 34a（ta） 4.5V 、10V 1.9mohm @ 30a 、10V 3V @ 1MA 80 NC @ 10 V ±20V 5725 PF @ 15 V - 3.3W （TA ）、89W（TC）
2N7002T Fairchild Semiconductor 2N7002T -
RFQ
 ECAD 2887 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-89 、SOT-490 2N7002 モスフェット（金属酸化物） SOT-523F ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 115ma（ta） 5V、10V 7.5OHM @ 50MA 、5V 2V @ 250µA ±20V 50 pf @ 25 V - 200MW
FCPF36N60NT Fairchild Semiconductor FCPF36N60NT 5.9800
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Supremos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 600 V 36a（tc） 10V 90mohm @ 18a 、10V 4V @ 250µA 112 NC @ 10 V ±30V 4785 PF @ 100 V - -
D44H11 Fairchild Semiconductor D44H11 -
RFQ
 ECAD 6175 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 2 W TO-220-3 ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0075 50 80 v 10 a 10µA npn 1V @ 400MA 、8a 60 @ 2a、1V 50MHz
FDMS86104 Fairchild Semiconductor FDMS86104 -
RFQ
 ECAD 4847 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） Power56 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-FDMS86104 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 100 V 7a（タタ）、 16a（tc） 6V 、10V 24mohm @ 7a 、10V 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±20V 923 PF @ 50 V - 2.5W
KST43MTF Fairchild Semiconductor KST43MTF 0.0400
RFQ
 ECAD 6639 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 6,000 200 v 500 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 2MA 、20MA 40 @ 30ma 、10V 50MHz
MMBZ5252B Fairchild Semiconductor MMBZ5252B 0.0200
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 659 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 18 V 24 v 33オーム
RFP8P10 Fairchild Semiconductor RFP8P10 0.2700
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 100 V 8a（tc） 10V 400mohm @ 8a 、10V 4V @ 250µA ±20V 1500 PF @ 25 V - 75W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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