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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
BC558BBU Fairchild Semiconductor BC558BBU 0.0200
RFQ
 ECAD 4525 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,282 30 V 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 200 @ 2MA 、5V 150MHz
BC307 Fairchild Semiconductor BC307 0.0500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 Ma 15na PNP 500MV @ 5MA 、100mA 120 @ 2MA 、5V 130MHz
FDPF3860TYDTU Fairchild Semiconductor FDPF3860TYDTU -
RFQ
 ECAD 2275 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 フルパック、形成されたリード モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 20a（tc） 10V 38.2mohm @ 5.9a 、10V 4.5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 25 v - 33.8W
FDP045N10AF102 Fairchild Semiconductor FDP045N10AF102 -
RFQ
 ECAD 6754 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 101 nチャネル 100 V 120a（tc） 10V 4.5mohm @ 100a 、10V 4V @ 250µA 74 NC @ 10 V ±20V 5270 PF @ 50 V - 263W
FDMS3602AS Fairchild Semiconductor FDMS3602AS 0.9400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn FDMS3602 モスフェット（金属酸化物） 2.2W 、2.5W 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 n チャネル（デュアル）非対称 25V 15a 、26a 5.6mohm @ 15a 、10V 3V @ 250µA 27NC @ 10V 1770pf @ 13V ロジックレベルゲート
KSA708-YTA Fairchild Semiconductor KSA708-YTA -
RFQ
 ECAD 1080 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 800 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8541.21.0095 1 60 V 700 Ma 100na（icbo） PNP 700mv @ 50ma 、500ma 120 @ 50MA 、2V 50MHz
BC80725MTFNL Fairchild Semiconductor BC80725MTFNL -
RFQ
 ECAD 8520 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 BC80725 310 MW SOT-23 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 800 Ma 100NA PNP 700mv @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA、1V 100MHz
1N962BTR Fairchild Semiconductor 1N962BTR 0.0200
RFQ
 ECAD 4297 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0050 11,995 5 µA @ 8.4 v 11 v 9.5オーム
1N972B Fairchild Semiconductor 1N972B 1.8400
RFQ
 ECAD 138 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 5 µA @ 22.8 v 30 V 49オーム
FDP025N06 Fairchild Semiconductor FDP025N06 2.5400
RFQ
 ECAD 401 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 119 nチャネル 60 V 120a（tc） 10V 2.5mohm @ 75a 、10V 4.5V @ 250µA 226 NC @ 10 V ±20V 14885 PF @ 25 V - 395W
1N979B Fairchild Semiconductor 1N979B 3.1500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 96 5 µA @ 42.6 v 56 v 150オーム
FDMC8854 Fairchild Semiconductor FDMC8854 0.6700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-mlp （3.3x3.3） ダウンロード ear99 8542.39.0001 447 nチャネル 30 V 15a（tc） 4.5V 、10V 5.7mohm @ 15a 、10V 3V @ 250µA 57 NC @ 10 V ±20V 3405 PF @ 10 V - 2W （TA ）、41W（TC）
FFPF15U40STU Fairchild Semiconductor FFPF15U40STU 1.0000
RFQ
 ECAD 9817 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2フルパック 標準 TO-220F-2L ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 400 V 1.4 V @ 15 a 50 ns 40 µA @ 400 v -65°C〜150°C 15a -
MPS8598 Fairchild Semiconductor MPS8598 0.0900
RFQ
 ECAD 7207 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 599 60 V 100 Ma 100NA PNP 400MV @ 5MA 、100mA 100 @ 1MA 、5V 150MHz
FDME1034CZT Fairchild Semiconductor FDME1034CZT 1.0000
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-ufdfn露出パッド FDME1034 モスフェット（金属酸化物） 600MW 6- マイクロフェット（ 1.6x1.6） ダウンロード 0000.00.0000 1 nおよびpチャネル 20V 3.8a 、2.6a 66mohm @ 3.4a 、4.5V 1V @ 250µA 4.2NC @ 4.5V 300pf @ 10V ロジックレベルゲート
KSD471AGBU Fairchild Semiconductor KSD471AGBU 0.0200
RFQ
 ECAD 7554 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 800 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 14,016 30 V 1 a 100na（icbo） npn 500MV @ 100MA、1a 200 @ 100MA、1V 130MHz
FDPF7N50U Fairchild Semiconductor FDPF7N50U 0.8700
RFQ
 ECAD 335 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 5a（tc） 10V 1.5OHM @ 2.5A 、10V 5V @ 250µA 16.6 NC @ 10 V ±30V 940 PF @ 25 V - 39W （TC）
BD244BTU Fairchild Semiconductor BD244BTU 0.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 BD244B バルク 廃止 -65°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 65 W TO-220 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BD244BTU-600039 ear99 8541.29.0095 833 80 v 6 a 700µA PNP 1.5V @ 1a 、6a 30 @ 300MA 、4V 3MHz
BAY80 Fairchild Semiconductor Bay80 0.0200
RFQ
 ECAD 8133 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード 適用できない ear99 8541.10.0070 550 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 150 v 1 V @ 150 Ma 60 ns 100 Na @ 120 V 175°C （最大） 200mA 6PF @ 0V、1MHz
MPSA92RLRMG Fairchild Semiconductor mpsa92rlrmg 0.0400
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92（to-226） ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-MPSA92RLRMG-600039 ear99 8541.21.0095 1 300 V 500 Ma 250na（icbo） PNP 500MV @ 2MA 、20MA 25 @ 30ma 、10V 50MHz
KSP13TF Fairchild Semiconductor KSP13TF 1.0000
RFQ
 ECAD 7331 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 500 Ma 100na（icbo） npn-ダーリントン 1.5V @ 100µA 、100mA 10000 @ 100MA 、5V 125MHz
KSC1675RBU Fairchild Semiconductor KSC1675RBU 0.0200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 - 穴を通して TO-226-3 250 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,000 30 V 50 Ma 100na（icbo） npn 300MV @ 1MA 、10ma 40 @ 1MA 、6V 300MHz
ZTX749 Fairchild Semiconductor ZTX749 1.0000
RFQ
 ECAD 9804 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 1 W TO-226 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 1 25 v 2 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 200MA 、2a 100 @ 1a 、2V 100MHz
BCX71J Fairchild Semiconductor BCX71J 0.0300
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 表面マウント TO-236-3 BCX71 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 45 v 100 Ma 20na PNP 550MV @ 1.25MA 、50mA 250 @ 2MA 、5V -
BC238CBU Fairchild Semiconductor BC238CBU 0.0200
RFQ
 ECAD 6133 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 10,000 25 v 100 Ma 15na npn 600MV @ 5MA 、100mA 380 @ 2MA 、5V 250MHz
BC638 Fairchild Semiconductor BC638 0.0700
RFQ
 ECAD 6673 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 1 W to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 60 V 1 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 50MA 、500MA 40 @ 150ma 、2V 100MHz
SI4532DY Fairchild Semiconductor SI4532DY -
RFQ
 ECAD 3306 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） SI4532 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nおよびpチャネル 30V 3.9a 、3.5a 65mohm @ 3.9a 、10V 3V @ 250µA 15NC @ 10V 235pf @ 10V -
FGH40T65SH Fairchild Semiconductor FGH40T65SH -
RFQ
 ECAD 7262 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1
HGTP12N60A4D Fairchild Semiconductor HGTP12N60A4D 1.6800
RFQ
 ECAD 83 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 標準 167 w TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 390v 30 ns - 600 V 54 a 96 a 2.7V @ 15V 、12a 55µj（on ）、 50µj （オフ） 78 NC 17ns/96ns
FDMC7660S Fairchild Semiconductor FDMC7660S 0.6100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Powertrench®、Syncfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） Power33 ダウンロード ear99 8541.29.0095 491 nチャネル 30 V 20a（タタ）、40a（tc） 4.5V 、10V 2.2mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 1MA 66 NC @ 10 V ±20V 4325 PF @ 15 V - 2.3w
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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