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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース タイプ 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在 電圧 電圧 -分離 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） vce（on max） @ vge 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
KSA708CYTA Fairchild Semiconductor KSA708CYTA 1.0000
RFQ
 ECAD 9799 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 800 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 60 V 700 Ma 100na（icbo） PNP 700mv @ 50ma 、500ma 120 @ 500MA 、2V 50MHz
FDD2512 Fairchild Semiconductor FDD2512 0.7500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 150 v 6.7a（ta） 6V 、10V 420mohm @ 2.2a 、10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±20V 344 PF @ 75 V - 42W
FFSP20120A Fairchild Semiconductor FFSP20120A -
RFQ
 ECAD 7277 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220AC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.75 V @ 20 a 0 ns 200 µA @ 1200 v -55°C〜175°C 20a 1220pf @ 1V 、100kHz
ES2A Fairchild Semiconductor ES2A -
RFQ
 ECAD 3400 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB 標準 SMB （DO-214AA） ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 50 v 900 mV @ 2 a 20 ns 5 µA @ 50 V -50°C〜150°C 2a -
SSS4N60B Fairchild Semiconductor SSS4N60B 1.0000
RFQ
 ECAD 1831年年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1
FMG1G300US60L Fairchild Semiconductor FMG1G300US60L 90.6600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール 892 w 標準 - ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 シングル - 600 V 300 a 2.7V @ 15V 、300A 250 µA いいえ
FJN3301RTA Fairchild Semiconductor fjn3301rta -
RFQ
 ECAD 8909 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 FJN330 300 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn 300MV @ 500µA 、10mA 20 @ 10MA 、5V 250MHz
495220TU Fairchild Semiconductor 495220TU 0.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 40 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 325 v 4 a 5ma（icbo） npn-ダーリントン 1.5V @ 5MA 、2a 1000 @ 3a 、5V -
MM3Z22VC Fairchild Semiconductor MM3Z22VC 0.0200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 mA 45 Na @ 15.4 v 22 v 51オーム
FDAF62N28 Fairchild Semiconductor FDAF62N28 2.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット（金属酸化物） to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 360 nチャネル 280 v 36a（tc） 10V 51mohm @ 18a 、10v 5V @ 250µA 100 NC @ 10 V ±30V 4630 PF @ 25 V - 165W
FFD08S60S Fairchild Semiconductor FFD08S60S 0.3600
RFQ
 ECAD 222 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 2,500
FDB6035AL Fairchild Semiconductor FDB6035AL 1.4600
RFQ
 ECAD 172 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -65°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 48a（ta） 4.5V 、10V 12mohm @ 24a 、10V 3V @ 250µA 18 NC @ 5 V ±20V 1250 PF @ 15 V - 52W
FSAM15SM60A Fairchild Semiconductor FSAM15SM60A 22.6400
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 フェアチャイルド半導体 モーションSPM®2 チューブ 廃止 穴を通して 32-POWERDIP モジュール（1.370 "、34.80mm） IGBT ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.39.0001 8 3フェーズ 15 a 600 V 2500VRMS
MMBT2369 Fairchild Semiconductor MMBT2369 -
RFQ
 ECAD 7778 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 15 V 200 ma 400na（icbo） npn 250MV @ 1MA 、10ma 40 @ 10ma、1V -
FDD4N60NZ Fairchild Semiconductor FDD4N60NZ 1.0000
RFQ
 ECAD 3598 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet-ii™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 - 0000.00.0000 1 nチャネル 600 V 3.4a（tc） 10V 2.5OHM @ 1.7A 、10V 5V @ 250µA 10.8 NC @ 10 V ±25V 510 pf @ 25 V - 114W
HUFA76633P3 Fairchild Semiconductor Hufa76633p3 1.0700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 100 V 39a 4.5V 、10V 35mohm @ 39a、10V 3V @ 250µA 67 NC @ 10 V ±16V 1820 pf @ 25 v - 145W
FDM3622 Fairchild Semiconductor FDM3622 1.0000
RFQ
 ECAD 5205 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-mlp （3.3x3.3） ダウンロード 0000.00.0000 1 nチャネル 100 V 4.4a（ta） 6V 、10V 60mohm @ 4.4a 、10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±20V 1090 PF @ 25 V - 2.1W
1N4730ATR Fairchild Semiconductor 1N4730ATR 0.0200
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4730 1 W DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 50 µA @ 1 V 3.9 v 9オーム
SS29FA Fairchild Semiconductor SS29FA 0.1300
RFQ
 ECAD 9231 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント SOD-123W ショットキー SOD-123FA ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,711 高速回復= <500ns 90 v 850 mV @ 2 a 100 µA @ 90 V -55°C〜150°C 2a 120pf @ 4V、1MHz
SB530 Fairchild Semiconductor SB530 -
RFQ
 ECAD 2713 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-201AA SB53 ショットキー DO-2011 ダウンロード ear99 8541.10.0080 869 高速回復= <500ns 30 V 550 mv @ 5 a 500 µA @ 30 V -50°C〜150°C 5a -
HUFA76404DK8T Fairchild Semiconductor hufa76404dk8t 0.3400
RFQ
 ECAD 6444 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） hufa76404 モスフェット（金属酸化物） 2.5W 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 2 nチャンネル（デュアル） 62V 3.6a 110mohm @ 3.6a 、10V 3V @ 250µA 4.9NC @ 5V 250pf @ 25V ロジックレベルゲート
BS270 Fairchild Semiconductor BS270 -
RFQ
 ECAD 7006 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 モスフェット（金属酸化物） to-92-3 ダウンロード ear99 8541.21.0095 1 nチャネル 60 V 400ma（ta） 4.5V 、10V 2OHM @ 500MA 、10V 2.5V @ 250µA ±20V 50 pf @ 25 V - 625MW
FDB6670AS Fairchild Semiconductor FDB6670AS 1.9100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 30 V 62a（ta） 4.5V 、10V 8.5mohm @ 31a 、10V 3V @ 1MA 39 NC @ 15 V ±20V 1570 PF @ 15 V - 62.5W
IRLM110ATF Fairchild Semiconductor IRLM110ATF 1.0000
RFQ
 ECAD 1456 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA モスフェット（金属酸化物） SOT-223-4 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 4,000 nチャネル 100 V 1.5a 5V 440mohm @ 750ma 、5v 2V @ 250µA 8 NC @ 5 V ±20V 235 pf @ 25 v - 2.2W
HUF75339G3_NL Fairchild Semiconductor HUF75339G3_NL 0.7500
RFQ
 ECAD 6516 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 60 nチャネル 55 v 75a（tc） 10V 12mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 130 NC @ 20 V ±20V 2000 PF @ 25 V - 200W （TC）
MM3Z68VC Fairchild Semiconductor MM3Z68VC 0.0200
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 mA 45 Na @ 47.6 v 68 v 226オーム
HUF75639S3 Fairchild Semiconductor HUF75639S3 -
RFQ
 ECAD 3715 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-HUF75639S3-600039 1 nチャネル 100 V 56a（tc） 10V 25mohm @ 56a 、10V 4V @ 250µA 130 NC @ 20 V ±20V 2000 PF @ 25 V - 200W （TC）
FQB8N60CFTM Fairchild Semiconductor fqb8n60cftm 1.1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 FRFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 600 V 6.26a（tc） 10V 1.5OHM @ 3.13A 、10V 4V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±30V 1255 PF @ 25 V - 147W
KSA733YBU Fairchild Semiconductor KSA733YBU -
RFQ
 ECAD 2870 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 250 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 1MA 、6V 180MHz
FSAM15SL60 Fairchild Semiconductor FSAM15SL60 9.0500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 SPM® バルク アクティブ 穴を通して 32-POWERDIP モジュール（1.370 "、34.80mm） IGBT ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 8 3フェーズ 15 a 600 V 2500VRMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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