画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 現在 -平均修正( io) | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧 -破壊( V | 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) | 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 抵抗-RDS (オン) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDPF035N06B | 1.1400 | ![]() | 178 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | FDPF035 | - | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fqpf2n80ydtu | 1.1400 | ![]() | 725 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、形成されたリード | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nチャネル | 800 V | 1.5a | 10V | 6.3OHM @ 750MA 、10V | 5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±30V | 550 PF @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP49 | 0.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | 40 W | TO-220-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 350 V | 1 a | 1ma | npn | 1V @ 200MA、1a | 30 @ 300MA 、10V | 10MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9V3036S3ST | 2.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ecospark® | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | ISL9V3036 | 論理 | 150 W | TO-263AB | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 300V、1KOHM | - | 360 v | 21 a | 1.6V @ 4V 、6a | - | 17 NC | -/4.8µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6298 | 0.5200 | ![]() | 265 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 574 | nチャネル | 30 V | 13a(ta) | 4.5V 、10V | 9mohm @ 13a 、10v | 3V @ 250µA | 14 NC @ 5 V | ±20V | 1108 PF @ 15 V | - | 3w | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | huf75345p3_ns2552 | 1.0000 | ![]() | 4961 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC3510 | 1.0000 | ![]() | 2676 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | シャーシマウント | 4 平方、GBPC | GBPC35 | 標準 | GBPC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 17.5 a | 5 µA @ 1 V | 35 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC604P | 1.0000 | ![]() | 3775 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | モスフェット(金属酸化物) | SuperSot™-6 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | pチャネル | 20 v | 5.5a(ta) | 1.8V 、4.5V | 33mohm @ 5.5a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 30 NC @ 4.5 v | ±8V | 1926 PF @ 10 V | - | 1.6W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC547CBU | 0.0400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 8,266 | 45 v | 100 Ma | 15NA | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 420 @ 2MA 、5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB8S | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-269AA | 標準 | TO-269AA MINIDIL SLIM | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 2,526 | 1 V @ 400 Ma | 5 µA @ 800 V | 500 Ma | 単相 | 800 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC1201 | 1.0000 | ![]() | 9896 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | QC端子 | 4 平方、GBPC | 標準 | GBPC | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 6 a | 5 µA @ 100 V | 12 a | 単相 | 100 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4756A | 0.0300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜20°C | 穴を通して | 軸 | 1 W | 軸 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 35.8 v | 47 v | 80オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC6310P | - | ![]() | 9172 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | FDC6310 | モスフェット(金属酸化物) | 700mw | SuperSot™-6 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 P-Channel (デュアル) | 20V | 2.2a | 125mohm @ 2.2a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 5.2NC @ 4.5V | 337pf @ 10V | ロジックレベルゲート | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCP260N60E | 1.6600 | ![]() | 200 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | superfet®ii | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 200 | nチャネル | 600 V | 15a(tc) | 10V | 260mohm @ 7.5a 、10V | 3.5V @ 250µA | 62 NC @ 10 V | ±20V | 2500 PF @ 25 V | - | 156W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C7V5TR5K | 0.0200 | ![]() | 3224 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 4.5 v | 7.5 v | 3オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J105 | - | ![]() | 9982 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | nチャネル | - | 25 v | 500 mA @ 15 v | 4.5 V @ 1 µa | 3オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH76N60N | 15.1300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Supremos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 20 | nチャネル | 600 V | 76a(tc) | 10V | 36mohm @ 38a 、10V | 4V @ 250µA | 285 NC @ 10 V | ±30V | 12385 PF @ 100 V | - | 543W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002VA | 0.2800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | 2N7002 | モスフェット(金属酸化物) | 250MW | SOT-563F | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0095 | 1,078 | 2 nチャンネル(デュアル) | 60V | 280ma | 7.5OHM @ 50MA 、5V | 2.5V @ 250µA | - | 50pf @ 25V | ロジックレベルゲート | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC1502W | 3.0300 | ![]() | 516 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | 穴を通して | 4平方、GBPC-W | 標準 | GBPC-W | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 7.5 a | 5 µA @ 200 V | 15 a | 単相 | 200 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP3632 | - | ![]() | 3103 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nチャネル | 100 V | 12a(タタ)、 80a(tc) | 6V 、10V | 9mohm @ 80a 、10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 6000 PF @ 25 V | - | 310W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBF4093 | - | ![]() | 2715 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | nチャネル | 16pf @ 20V | 40 v | 8 ma @ 20 v | 1 V @ 1 Na | 80オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z47VB | 0.0300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,600 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 33 v | 47 v | 160オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA9P25 | - | ![]() | 5041 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | モスフェット(金属酸化物) | to-3p | - | 0000.00.0000 | 1 | pチャネル | 250 v | 10.5a | 10V | 620mohm @ 5.25a 、10V | 5V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±30V | 1180 PF @ 25 V | - | 150W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC8015L | 0.4100 | ![]() | 1325 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERWDFN | モスフェット(金属酸化物) | 8-mlp (3.3x3.3) | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 40 v | 7a(タタ)、 18a(tc) | 4.5V 、10V | 26mohm @ 7a 、10V | 3V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ±20V | 945 PF @ 20 V | - | 2.3W (TA )、24W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGPF30N30 | 0.8500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | 標準 | 46 W | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 300 V | 80 a | 1.5V @ 15V 、10a | - | 39 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS6514 | 1.0000 | ![]() | 4526 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 25 v | 200 ma | 50na(icbo) | npn | 500MV @ 5MA 、50mA | 150 @ 2MA 、10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGH75N60SFTU | - | ![]() | 1451 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | 標準 | 452 w | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V、75a、3ohm、15V | フィールドストップ | 600 V | 150 a | 225 a | 2.9V @ 15V 、75a | 2.7MJ | 250 NC | 26ns/138ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75344S3ST | 0.6700 | ![]() | 41 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 55 v | 75a(tc) | 10V | 8mohm @ 75a 、10V | 4V @ 250µA | 210 NC @ 20 V | ±20V | 3200 PF @ 25 V | - | 285W | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA642GBU | 0.0200 | ![]() | 6342 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 400 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 2,726 | 25 v | 300 Ma | 100na(icbo) | PNP | 600MV @ 30MA、300MA | 200 @ 50MA、1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLI610ATU | 0.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | モスフェット(金属酸化物) | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 200 v | 3.3a(tc) | 5V | 1.5OHM @ 1.65A 、5V | 2V @ 250µA | 9 NC @ 5 V | ±20V | 240 pf @ 25 v | - | 3.1W |
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