SIC
close
画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) 電圧-DC リバース( VR )(最大) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターパルス( icm) vce(on max) @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD (オン/オフ) @ 25°C ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 電圧 -破壊( V 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) 現在 -コレクターカットオフ(最大) NTCサーミスタ 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) 入力容量( cies @ vce 抵抗-RDS (オン) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
FDMS2506SDC Fairchild Semiconductor FDMS2506SDC 1.8400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Dual Cool™、PowerTrench®、Syncfet™ バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット(金属酸化物) 8-PQFN ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 25 v 39a 4.5V 、10V 1.45mohm @ 30a 、10v 3V @ 1MA 93 NC @ 10 V ±20V 5945 PF @ 13 V - 3.3W (TA )、89W(TC)
FDG6302P Fairchild Semiconductor FDG6302P 0.2300
RFQ
ECAD 257 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 FDG6302 モスフェット(金属酸化物) 300MW SC-88 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 3,000 2 P-Channel (デュアル) 25V 140ma 10OHM @ 140MA 、4.5V 1.5V @ 250µA 0.31NC @ 4.5V 12pf @ 10V ロジックレベルゲート
KSA733CLTA Fairchild Semiconductor KSA733CLTA 0.0200
RFQ
ECAD 18 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 250 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 50 v 150 Ma 100na(icbo) PNP 300MV @ 10MA 、100mA 350 @ 1MA 、6V 180MHz
1N4729ATR Fairchild Semiconductor 1N4729ATR 0.0700
RFQ
ECAD 28 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5% -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 3,000 100 µA @ 1 V 3.6 v 10オーム
FDU044AN03L Fairchild Semiconductor FDU044AN03L 0.9800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット(金属酸化物) i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 30 V 21a(ta )、 35a 4.5V 、10V 3.9mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 250µA 118 NC @ 10 V ±20V 5160 PF @ 15 V - 160W
FMG2G200US60 Fairchild Semiconductor FMG2G200US60 30.6500
RFQ
ECAD 8206 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - 廃止 -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント 午後7時 695 w 標準 午後7時 - ROHS3準拠 2156-FMG2G200US60-FS ear99 8541.29.0095 10 ハーフブリッジ - 600 V 200 a 2.7V @ 15V 、200A 250 µA いいえ
3N248 Fairchild Semiconductor 3N248 -
RFQ
ECAD 2326 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 1 a 5 µA @ 200 V 1.5 a 単相 200 v
FP7G75US60 Fairchild Semiconductor FP7G75US60 29.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Power-SPM™ チューブ 廃止 -40°C〜125°C シャーシマウント EPM7 310 w 標準 EPM7 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 5 ハーフブリッジ - 600 V 75 a 2.8V @ 15V 、75a 250 µA いいえ 4.515 NF @ 30 V
2N5638 Fairchild Semiconductor 2N5638 1.0000
RFQ
ECAD 3268 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 350 MW to-92-3 - ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 nチャネル 10pf @ 12v 30 V 50 mA @ 20 v 30オーム
FQP16N25C Fairchild Semiconductor FQP16N25C 1.0100
RFQ
ECAD 18 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 250 v 15.6a 10V 270mohm @ 7.8a 、10V 4V @ 250µA 53.5 NC @ 10 V ±30V 1080 PF @ 25 V - 139W
FLZ33VA Fairchild Semiconductor flz33va 0.0200
RFQ
ECAD 37 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3% -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 25 V 30.5 v 55オーム
HGTG11N120CN Fairchild Semiconductor HGTG11N120CN 2.0400
RFQ
ECAD 971 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 標準 298 w TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 150 960V 、11a 、10OHM 、15V npt 1200 v 43 a 80 a 2.4V @ 15V 、11a 400µj(オン)、1.3mj(オフ) 100 NC 23ns/180ns
FDP5N50 Fairchild Semiconductor FDP5N50 0.5300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 5a(tc) 10V 1.4OHM @ 2.5A 、10V 5V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±30V 640 PF @ 25 V - 85W
KBP01M Fairchild Semiconductor KBP01M 0.4800
RFQ
ECAD 2866 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 207 1 V @ 1 a 5 µA @ 100 V 1.5 a 単相 100 V
SFM9014TF Fairchild Semiconductor SFM9014TF 0.5300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA モスフェット(金属酸化物) SOT-223-4 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 4,000 pチャネル 60 V 1.8a(ta) 10V 500mohm @ 900ma 、10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±30V 350 PF @ 25 V - 2.8W
3N249 Fairchild Semiconductor 3N249 -
RFQ
ECAD 8176 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 標準 KBPM - ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 30 1 V @ 1 a 5 µA @ 400 V 1.5 a 単相 400 V
FQAF6N80 Fairchild Semiconductor FQAF6N80 1.6000
RFQ
ECAD 892 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット(金属酸化物) to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 360 nチャネル 800 V 4.4a(tc) 10V 1.95OHM @ 2.2A 、10V 5V @ 250µA 31 NC @ 10 V ±30V 1500 PF @ 25 V - 90W
KBP02M Fairchild Semiconductor KBP02M -
RFQ
ECAD 4835 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 30 1 V @ 1 a 5 µA @ 200 V 1.5 a 単相 200 v
1N968B Fairchild Semiconductor 1N968B 1.8400
RFQ
ECAD 177 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 5 µA @ 15.2 v 20 v 25オーム
IRL610A Fairchild Semiconductor IRL610A 0.1900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,744 nチャネル 200 v 3.3a(tc) 5V 1.5OHM @ 1.65A 、5V 2V @ 250µA 9 NC @ 5 V ±20V 240 pf @ 25 v - 33W (TC)
FDFS2P103 Fairchild Semiconductor FDFS2P103 0.4300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) モスフェット(金属酸化物) 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,500 pチャネル 30 V 5.3a(ta) 4.5V 、10V 59mohm @ 5.3a 、10V 3V @ 250µA 8 NC @ 5 V ±25V 528 PF @ 15 V ショットキーダイオード(分離) 900MW
BC850BMTF Fairchild Semiconductor BC850BMTF 0.0600
RFQ
ECAD 102 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 310 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 200 @ 2MA 、5V 300MHz
FDU6680 Fairchild Semiconductor FDU6680 0.6000
RFQ
ECAD 82 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット(金属酸化物) i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 30 V 12a(タタ)、46a(tc) 4.5V 、10V 10mohm @ 12a 、10V 3V @ 250µA 18 NC @ 5 V ±20V 1230 PF @ 15 V - 3.3W
BAV20 Fairchild Semiconductor bav20 0.0200
RFQ
ECAD 99 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 2,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 200 v 1.25 V @ 200 mA 50 ns 100 na @ 200 v 175°C (最大) 200mA 5PF @ 0V、1MHz
BC239ABU Fairchild Semiconductor BC239ABU 0.0200
RFQ
ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,000 25 v 100 Ma 15na npn 600MV @ 5MA 、100mA 120 @ 2MA 、5V 250MHz
FJA3835TU Fairchild Semiconductor FJA3835TU 0.6100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C (TJ) 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 80 w to-3p ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 30 120 v 8 a 100µa(icbo) npn 500MV @ 300MA、3a 120 @ 3a 、4V 30MHz
FQI2N30TU Fairchild Semiconductor FQI2N30TU 0.4100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット(金属酸化物) i2pak(to-262) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 300 V 2.1a(tc) 10V 3.7OHM @ 1.05A 、10V 5V @ 250µA 5 NC @ 10 V ±30V 130 pf @ 25 V - 3.13W (TA )、40W(TC)
KBP08M Fairchild Semiconductor KBP08M -
RFQ
ECAD 7543 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 30 1 V @ 1 a 5 µA @ 800 V 1.5 a 単相 800 V
2N5639 Fairchild Semiconductor 2N5639 0.3200
RFQ
ECAD 21 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -65°C〜150°C 穴を通して to-226-3 310 MW to-92(to-226) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 nチャネル 30 V 10pf @ 12v 35 v 25 ma @ 20 v 60オーム
SGR15N40LTF Fairchild Semiconductor SGR15N40LTF -
RFQ
ECAD 2207 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -40°C〜150°C (TJ 表面マウント to-252-3 SGR15 標準 45 W TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,000 - 400 V 130 a 8V @ 4.5V 、130a - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫