画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧 -破壊( V | 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 入力容量( cies @ vce | 抵抗-RDS (オン) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDMS2506SDC | 1.8400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Dual Cool™、PowerTrench®、Syncfet™ | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | モスフェット(金属酸化物) | 8-PQFN | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 25 v | 39a | 4.5V 、10V | 1.45mohm @ 30a 、10v | 3V @ 1MA | 93 NC @ 10 V | ±20V | 5945 PF @ 13 V | - | 3.3W (TA )、89W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDG6302P | 0.2300 | ![]() | 257 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | FDG6302 | モスフェット(金属酸化物) | 300MW | SC-88 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 25V | 140ma | 10OHM @ 140MA 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 0.31NC @ 4.5V | 12pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA733CLTA | 0.0200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | 250 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 50 v | 150 Ma | 100na(icbo) | PNP | 300MV @ 10MA 、100mA | 350 @ 1MA 、6V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4729ATR | 0.0700 | ![]() | 28 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 µA @ 1 V | 3.6 v | 10オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU044AN03L | 0.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | to-251-3 | モスフェット(金属酸化物) | i-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,800 | nチャネル | 30 V | 21a(ta )、 35a | 4.5V 、10V | 3.9mohm @ 35a 、10V | 2.5V @ 250µA | 118 NC @ 10 V | ±20V | 5160 PF @ 15 V | - | 160W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG2G200US60 | 30.6500 | ![]() | 8206 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | 箱 | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | 午後7時 | 695 w | 標準 | 午後7時 | - | ROHS3準拠 | 2156-FMG2G200US60-FS | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | ハーフブリッジ | - | 600 V | 200 a | 2.7V @ 15V 、200A | 250 µA | いいえ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3N248 | - | ![]() | 2326 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 200 V | 1.5 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FP7G75US60 | 29.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Power-SPM™ | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C | シャーシマウント | EPM7 | 310 w | 標準 | EPM7 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 5 | ハーフブリッジ | - | 600 V | 75 a | 2.8V @ 15V 、75a | 250 µA | いいえ | 4.515 NF @ 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5638 | 1.0000 | ![]() | 3268 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 350 MW | to-92-3 | - | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | nチャネル | 10pf @ 12v | 30 V | 50 mA @ 20 v | 30オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP16N25C | 1.0100 | ![]() | 18 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 250 v | 15.6a | 10V | 270mohm @ 7.8a 、10V | 4V @ 250µA | 53.5 NC @ 10 V | ±30V | 1080 PF @ 25 V | - | 139W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | flz33va | 0.0200 | ![]() | 37 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 133 Na @ 25 V | 30.5 v | 55オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG11N120CN | 2.0400 | ![]() | 971 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | 標準 | 298 w | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 150 | 960V 、11a 、10OHM 、15V | npt | 1200 v | 43 a | 80 a | 2.4V @ 15V 、11a | 400µj(オン)、1.3mj(オフ) | 100 NC | 23ns/180ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP5N50 | 0.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | unifet™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 500 V | 5a(tc) | 10V | 1.4OHM @ 2.5A 、10V | 5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±30V | 640 PF @ 25 V | - | 85W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBP01M | 0.4800 | ![]() | 2866 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 207 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 100 V | 1.5 a | 単相 | 100 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFM9014TF | 0.5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | モスフェット(金属酸化物) | SOT-223-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | pチャネル | 60 V | 1.8a(ta) | 10V | 500mohm @ 900ma 、10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ±30V | 350 PF @ 25 V | - | 2.8W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3N249 | - | ![]() | 8176 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 標準 | KBPM | - | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 400 V | 1.5 a | 単相 | 400 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF6N80 | 1.6000 | ![]() | 892 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-3p-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 360 | nチャネル | 800 V | 4.4a(tc) | 10V | 1.95OHM @ 2.2A 、10V | 5V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ±30V | 1500 PF @ 25 V | - | 90W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBP02M | - | ![]() | 4835 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 200 V | 1.5 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N968B | 1.8400 | ![]() | 177 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 5 µA @ 15.2 v | 20 v | 25オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL610A | 0.1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,744 | nチャネル | 200 v | 3.3a(tc) | 5V | 1.5OHM @ 1.65A 、5V | 2V @ 250µA | 9 NC @ 5 V | ±20V | 240 pf @ 25 v | - | 33W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDFS2P103 | 0.4300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 5.3a(ta) | 4.5V 、10V | 59mohm @ 5.3a 、10V | 3V @ 250µA | 8 NC @ 5 V | ±25V | 528 PF @ 15 V | ショットキーダイオード(分離) | 900MW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC850BMTF | 0.0600 | ![]() | 102 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 310 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 Ma | 15NA | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 200 @ 2MA 、5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU6680 | 0.6000 | ![]() | 82 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | to-251-3 | モスフェット(金属酸化物) | i-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,800 | nチャネル | 30 V | 12a(タタ)、46a(tc) | 4.5V 、10V | 10mohm @ 12a 、10V | 3V @ 250µA | 18 NC @ 5 V | ±20V | 1230 PF @ 15 V | - | 3.3W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | bav20 | 0.0200 | ![]() | 99 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0070 | 2,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 200 v | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 na @ 200 v | 175°C (最大) | 200mA | 5PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC239ABU | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 25 v | 100 Ma | 15na | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 120 @ 2MA 、5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJA3835TU | 0.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | 80 w | to-3p | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0075 | 30 | 120 v | 8 a | 100µa(icbo) | npn | 500MV @ 300MA、3a | 120 @ 3a 、4V | 30MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI2N30TU | 0.4100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | モスフェット(金属酸化物) | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 300 V | 2.1a(tc) | 10V | 3.7OHM @ 1.05A 、10V | 5V @ 250µA | 5 NC @ 10 V | ±30V | 130 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA )、40W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBP08M | - | ![]() | 7543 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 800 V | 1.5 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5639 | 0.3200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 310 MW | to-92(to-226) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | nチャネル | 30 V | 10pf @ 12v | 35 v | 25 ma @ 20 v | 60オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGR15N40LTF | - | ![]() | 2207 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | 表面マウント | to-252-3 | SGR15 | 標準 | 45 W | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | - | 溝 | 400 V | 130 a | 8V @ 4.5V 、130a | - | - |
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