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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） 抵抗-RDS （オン） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
DFB2540 Fairchild Semiconductor DFB2540 1.6400
RFQ
 ECAD 779 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、TS-6p 標準 TS-6P ダウンロード ear99 8541.10.0080 183 1.1 V @ 25 a 10 µA @ 400 V 25 a 単相 400 V
FDD8896-F085 Fairchild Semiconductor FDD8896-F085 0.4500
RFQ
 ECAD 973 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Automotive、AEC-Q101 、PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 17a 4.5V 、10V 5.7mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 2525 PF @ 15 V - 80W
MM3Z27VC Fairchild Semiconductor MM3Z27VC 0.0300
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 mA 45 Na @ 18.9 v 27 v 75オーム
FDMS7680 Fairchild Semiconductor FDMS7680 -
RFQ
 ECAD 1255 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 14a（ta ）、28a（tc） 4.5V 、10V 6.9mohm @ 14a 、10V 3V @ 250µA 28 NC @ 10 V ±20V 1850 PF @ 15 V - 2.5W
FGA50S110P Fairchild Semiconductor FGA50S110P 1.5400
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 標準 300 W to-3pn ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 - トレンチフィールドストップ 1100 v 50 a 120 a 2.6V @ 15V 、50a - 195 NC -
J112 Fairchild Semiconductor J112 -
RFQ
 ECAD 4979 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード 0000.00.0000 27 nチャネル - 35 v 5 ma @ 15 v 1 V @ 1 µa 50オーム
1N5244BTR Fairchild Semiconductor 1N5244BTR 0.0300
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,539 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 10 V 14 v 15オーム
FDMS7692A Fairchild Semiconductor FDMS7692a -
RFQ
 ECAD 9891 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 30 V 13.5a 4.5V 、10V 8mohm @ 13a 、10v 3V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 1350 PF @ 15 V - 2.5W （TA ）、27W （TC）
J113 Fairchild Semiconductor J113 1.0000
RFQ
 ECAD 3356 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード 0000.00.0000 1 nチャネル - 35 v 2 MA @ 15 V 500 mV @ 1 µa 100オーム
FDB029N06 Fairchild Semiconductor FDB029N06 4.1400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ear99 8542.39.0001 79 nチャネル 60 V 120a（tc） 10V 3.1mohm @ 75a 、10V 4.5V @ 250µA 151 NC @ 10 V ±20V 9815 PF @ 25 V - 231W
FDD4141 Fairchild Semiconductor FDD4141 -
RFQ
 ECAD 3202 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード 0000.00.0000 1 pチャネル 40 v 10.8a 4.5V 、10V 12.3mohm @ 12.7a 、10V 3V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 2775 PF @ 20 V - 2.4W
FCPF260N60E Fairchild Semiconductor FCPF260N60E 1.8500
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 600 V 15a（tc） 10V 260mohm @ 7.5a 、10V 3.5V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±20V 2500 PF @ 25 V - 36W （TC）
SS12 Fairchild Semiconductor SS12 0.1100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA SS12 ショットキー sma（do-214ac） ダウンロード ear99 8541.10.0080 2,701 高速回復= <500ns 20 v 500 mV @ 1 a 200 µA @ 20 V -65°C〜125°C 1a -
FDMS3606S Fairchild Semiconductor FDMS3606S -
RFQ
 ECAD 7384 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn FDMS3606 モスフェット（金属酸化物） 1W 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 n チャネル（デュアル）非対称 30V 13a 、27a 8mohm @ 13a 、10v 2.7V @ 250µA 29NC @ 10V 1785pf @ 15V ロジックレベルゲート
FLZ18VC Fairchild Semiconductor FLZ18VC 0.0200
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 13 V 17.9 v 19.4オーム
FQH44N10-F133 Fairchild Semiconductor FQH44N10-F133 -
RFQ
 ECAD 4726 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 - 2156-FQH44N10-F133 1 nチャネル 100 V 48a 10V 39mohm @ 24a 、10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±25V 1800 pf @ 25 v - 180W
FDP023N08B-F102 Fairchild Semiconductor FDP023N08B-F102 -
RFQ
 ECAD 3201 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 - 2156-FDP023N08B-F102 1 nチャネル 75 v 120a（tc） 10V 2.35mohm @ 75a 、10V 3.8V @ 250µA 195 NC @ 10 V ±20V 13765 PF @ 37.5 v - 245W
FDD5N50TF Fairchild Semiconductor FDD5N50TF 0.2900
RFQ
 ECAD 1986年年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 100 nチャネル 500 V 4a（tc） 10V 1.4OHM @ 2A 、10V 5V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±30V 640 PF @ 25 V - 40W （TC）
HUFA76445P3 Fairchild Semiconductor Hufa76445p3 0.9900
RFQ
 ECAD 518 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 60 V 75a（tc） 4.5V 、10V 6.5mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±16V 4965 PF @ 25 V - 310W
FDD6682 Fairchild Semiconductor FDD6682 0.9500
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 75a（ta） 4.5V 、10V 6.2mohm @ 17a 、10V 3V @ 250µA 31 NC @ 5 V ±20V 2400 PF @ 15 V - 71W
FLZ36VB Fairchild Semiconductor FLZ36VB 0.0200
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 133 Na @ 27 V 33.6 v 63オーム
FDH400TR Fairchild Semiconductor FDH400TR 0.0300
RFQ
 ECAD 163 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8542.39.0001 9,779 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 150 v 1.1 V @ 300 Ma 50 ns 100 Na @ 150 V 175°C （最大） 200mA 2PF @ 0V、1MHz
BZX85C8V2 Fairchild Semiconductor BZX85C8V2 0.0300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 5 V 8.2 v 5オーム
IRFNL210BTA Fairchild Semiconductor IRFNL210BTA 0.1100
RFQ
 ECAD 556 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ IRFNL210 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 -
BC81840 Fairchild Semiconductor BC81840 0.0900
RFQ
 ECAD 9741 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 BC818 310 MW SOT-23-3 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 0000.00.0000 3,000 25 v 800 Ma 100NA npn 700mv @ 50ma 、500ma 250 @ 100MA、1V 100MHz
MMBTA14 Fairchild Semiconductor MMBTA14 -
RFQ
 ECAD 7671 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.210075 3,000 30 V 1.2 a 100na（icbo） npn-ダーリントン 1.5V @ 100µA 、100mA 20000 @ 100MA 、5V 125MHz
BAV102 Fairchild Semiconductor bav102 0.0400
RFQ
 ECAD 8067 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-213AA bav10 標準 DO-213AA 、ミニメルフ ダウンロード ear99 8541.10.0070 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 150 v 1.25 V @ 200 mA 50 ns 5 µA @ 150 v -50°C〜175°C 200mA -
BDW93 Fairchild Semiconductor BDW93 0.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 80 w TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,200 45 v 12 a 1ma npn-ダーリントン 3V @ 100MA 、10a 750 @ 5a、3V -
FJP3307DH1TU Fairchild Semiconductor FJP3307DH1TU -
RFQ
 ECAD 1511 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 80 w TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 400 V 8 a - npn 3V @ 2a 、8a 8 @ 2a 、5V -
KSC5039FTU Fairchild Semiconductor ksc5039ftu 0.6000
RFQ
 ECAD 951 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 30 W TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 400 V 5 a 10µa（icbo） npn 1.5V @ 500MA 、2.5a 10 @ 300MA 、5V 10MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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