SIC
close

離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
HUF75945P3 Fairchild Semiconductor HUF75945p3 1.0000
RFQ
 ECAD 3993 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 38a（tc） 10V 71mohm @ 38a 、10V 4V @ 250µA 280 NC @ 20 V ±20V 4023 PF @ 25 V - 310W
FDMA8051L Fairchild Semiconductor FDMA8051L -
RFQ
 ECAD 8873 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド モスフェット（金属酸化物） 6- マイクロフェット（2x2） - 0000.00.0000 1 nチャネル 40 v 10a（tc） 4.5V 、10V 14mohm @ 10a 、10v 3V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±20V 1260 PF @ 20 V - 2.4W
FDS9431A-F085 Fairchild Semiconductor FDS9431A-F085 -
RFQ
 ECAD 6085 0.00000000 フェアチャイルド半導体 aec-q101 バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 20 v 3.5a（ta） 130mohm @ 3.5a 、4.5V 1V @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 v ±8V 405 PF @ 10 V - 1W
KSC3265OMTF Fairchild Semiconductor ksc3265omtf 0.0400
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 200 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 25 v 800 Ma 100na（icbo） npn 400mv @ 20ma 、500ma 100 @ 100MA、1V 120MHz
FQI4N80TU Fairchild Semiconductor fqi4n80tu 1.0500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 800 V 3.9a（tc） 10V 3.6OHM @ 1.95A 、10V 5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±30V 880 PF @ 25 V - 3.13W （TA ）、 130W （TC）
FDS2070N7 Fairchild Semiconductor FDS2070N7 2.0100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 150 v 4.1a（ta） 6V 、10V 78mohm @ 4.1a 、10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±20V 1884 pf @ 75 v - 3w
FQP19N20C Fairchild Semiconductor FQP19N20C 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 200 v 19a（tc） 10V 170mohm @ 9.5a 、10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±30V 1080 PF @ 25 V - 139W
FDMC3300NZA Fairchild Semiconductor FDMC3300NZA 0.5400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERVDFN FDMC3300 モスフェット（金属酸化物） 2.1W 8-POWER33 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 8a 26mohm @ 8a 、4.5v 1.5V @ 250µA 12NC @ 4.5V 815pf @ 10V ロジックレベルゲート
FQB8N90CTM Fairchild Semiconductor fqb8n90ctm 1.0000
RFQ
 ECAD 2139 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 900 V 6.3a（tc） 10V 1.9OHM @ 3.15A 、10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±30V 2080 PF @ 25 V - 171W
FQPF22N30 Fairchild Semiconductor FQPF22N30 1.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 300 V 12a（tc） 10V 160mohm @ 6a 、10V 5V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±30V 2200 PF @ 25 V - 56W （TC）
BC856BMTF Fairchild Semiconductor BC856BMTF -
RFQ
 ECAD 3208 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 BC856 310 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 65 v 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 200 @ 2MA 、5V 150MHz
FDD850N10L Fairchild Semiconductor FDD850N10L -
RFQ
 ECAD 6698 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 100 V 15.7a 5V、10V 75mohm @ 12a 、10V 2.5V @ 250µA 28.9 NC @ 10 V ±20V 1465 PF @ 25 V - 50W （TC）
FQB9N25CTM Fairchild Semiconductor FQB9N25CTM 0.6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 250 v 8.8a 10V 430mohm @ 4.4a 、10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 710 pf @ 25 v - 3.13W （TA ）、74W（TC）
FQPF4N90CT Fairchild Semiconductor fqpf4n90ct 1.0000
RFQ
 ECAD 3092 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 900 V 4a（tc） 10V 4.2OHM @ 2A 、10V 5V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±30V 960 PF @ 25 V - 47W （TC）
FDS6685 Fairchild Semiconductor FDS6685 1.3900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 30 V 8.8a（ta） 4.5V 、10V 20mohm @ 8.8a 、10V 3V @ 250µA 24 NC @ 5 V ±25V 1604 PF @ 15 V - 2.5W
HUF75639S3S Fairchild Semiconductor HUF75639S3S 1.3700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 100 V 56a（tc） 10V 25mohm @ 56a 、10V 4V @ 250µA 130 NC @ 20 V ±20V 2000 PF @ 25 V - 200W （TC）
FGB30N6S2 Fairchild Semiconductor FGB30N6S2 0.9300
RFQ
 ECAD 5843 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 標準 167 w d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 225 390v - 600 V 45 a 108 a 2.5V @ 15V 、12a 55µj（on ）、 100µj （オフ） 23 NC 6ns/40ns
FDME910PZT Fairchild Semiconductor FDME910PZT 1.0000
RFQ
 ECAD 3527 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-powerufdfn モスフェット（金属酸化物） マイクロフェット1.6x1.6薄い ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 pチャネル 20 v 8a（ta） 1.8V 、4.5V 24mohm @ 8a 、4.5V 1.5V @ 250µA 21 NC @ 4.5 v ±8V 2110 pf @ 10 v - 2.1W
PZT2907A Fairchild Semiconductor PZT2907A -
RFQ
 ECAD 1276 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA PZT290 1 W SOT-223-4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 4,000 60 V 800 Ma 20na（icbo） PNP 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 200MHz
KSA812LMTF Fairchild Semiconductor KSA812LMTF 0.0600
RFQ
 ECAD 7500 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 150 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 4,527 50 v 100 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 300 @ 1MA 、6V 180MHz
MMBTA13 Fairchild Semiconductor MMBTA13 -
RFQ
 ECAD 2759 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBTA13 350 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 1.2 a 100na（icbo） npn-ダーリントン 1.5V @ 100µA 、100mA 10000 @ 100MA 、5V 125MHz
FDS4672A Fairchild Semiconductor FDS4672A -
RFQ
 ECAD 6057 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS4672 モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 40 v 11a（ta） 4.5V 13mohm @ 11a 、4.5v 2V @ 250µA 49 NC @ 4.5 v ±12V 4766 PF @ 20 V - 2.5W
FGH40T65SHD Fairchild Semiconductor FGH40T65SHD 1.0000
RFQ
 ECAD 8890 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1
NZT45H8 Fairchild Semiconductor NZT45H8 0.6100
RFQ
 ECAD 215 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1.5 w SOT-223-4 ダウンロード ear99 8542.39.0001 491 60 V 8 a 10µa（icbo） PNP 1V @ 400MA 、8a 40 @ 4a、1V 40MHz
KSC838COTA Fairchild Semiconductor KSC838COTA 0.0200
RFQ
 ECAD 2174 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 250 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,718 30 V 30 Ma 100na（icbo） npn 400MV @ 1MA 、10MA 70 @ 2MA、12V 250MHz
MPSA93 Fairchild Semiconductor MPSA93 0.0700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92（to-226） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 200 v 500 Ma 250na（icbo） PNP 400mv @ 2ma 、20ma 25 @ 30ma 、10V 50MHz
FDPF16N50UT Fairchild Semiconductor FDPF16N50UT 1.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 500 V 15a（tc） 10V 480mohm @ 7.5a 、10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±30V 1945 PF @ 25 V - 38.5W
FDLL4151 Fairchild Semiconductor FDLL4151 0.0200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 標準 SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 15,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 75 v 1 V @ 50 mA 4 ns 50 Na @ 50 V -65°C〜200°C 200mA 4PF @ 0V、1MHz
FQB33N10TM Fairchild Semiconductor FQB33N10TM 1.0000
RFQ
 ECAD 9376 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 100 V 33a 10V 52mohm @ 16.5a 、10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 V ±25V 1500 PF @ 25 V - 3.75W
RFP15N05L Fairchild Semiconductor RFP15N05L 0.8500
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 50 v 15a（tc） 140mohm @ 15a 、5v 2V @ 250µA ±10V 900 pf @ 25 V - 60W （TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます