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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） 入力容量（ cies @ vce トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1）
FQAF9P25 Fairchild Semiconductor FQAF9P25 1.1300
RFQ
 ECAD 590 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット（金属酸化物） to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 360 pチャネル 250 v 7.1a（tc） 10V 620mohm @ 3.55a 、10V 5V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±30V 1180 PF @ 25 V - 70W
KSA709GTA Fairchild Semiconductor KSA709GTA -
RFQ
 ECAD 3660 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 800 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 150 v 700 Ma 100na（icbo） PNP 400MV @ 20MA 、200mA 200 @ 50ma 、2V 50MHz
FJP3835TU Fairchild Semiconductor FJP3835TU 0.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 50 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 1,767 120 v 8 a 100µa（icbo） npn 500MV @ 300MA、3a 120 @ 3a 、4V 30MHz
FDB2570 Fairchild Semiconductor FDB2570 1.4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -65°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 150 v 22a（ta） 6V 、10V 80mohm @ 11a 、10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 V ±20V 1911 PF @ 75 v - 93W
FQP2P25 Fairchild Semiconductor FQP2P25 -
RFQ
 ECAD 3576 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 750 pチャネル 250 v 2.3a 10V 4ohm @ 1.15a 、10V 5V @ 250µA 8.5 NC @ 10 V ±30V 250 PF @ 25 V - 52W
HUF75343S3 Fairchild Semiconductor HUF75343S3 1.0000
RFQ
 ECAD 540 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 55 v 75a（tc） 10V 9mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 205 NC @ 20 V ±20V 3000 pf @ 25 v - 270W
1N753ATR Fairchild Semiconductor 1N753ATR 0.0400
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 1 V 6.2 v 7オーム
KBU4B Fairchild Semiconductor KBU4B 1.0000
RFQ
 ECAD 4810 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu 標準 KBU ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 4 a 5 µA @ 50 V 4 a 単相 100 V
FQA7N80C Fairchild Semiconductor FQA7N80C 1.0100
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 800 V 7a（tc） 10V 1.9OHM @ 3.5A 、10V 5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 1680 pf @ 25 v - 198W
1N961B Fairchild Semiconductor 1N961B 3.0600
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 99 10 µA @ 7.6 v 10 v 8.5オーム
FJY3011R Fairchild Semiconductor FJY3011R 0.0200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント SC-89 、SOT-490 FJY301 200 MW SOT-523F ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 40 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 1MA 、10ma 100 @ 1MA 、5V 250 MHz 22 Kohms
MBRA3045NTU Fairchild Semiconductor MBRA3045NTU -
RFQ
 ECAD 4216 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 ショットキー to-3p ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 760 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 30a 800 mV @ 30 a 1 MA @ 45 v -65°C〜150°C
MPSA56 Fairchild Semiconductor MPSA56 -
RFQ
 ECAD 3175 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 5,115 80 v 500 Ma 100NA PNP 200mV @ 10ma 、100mA 100 @ 100MA、1V 50MHz
FDJ127P Fairchild Semiconductor FDJ127P 0.5100
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント SC-75-6 FLMP モスフェット（金属酸化物） SC75-6 FLMP ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 4.1a（ta） 1.8V 、4.5V 60mohm @ 4.1a 、4.5V 1.5V @ 250µA 10 NC @ 4.5 v ±8V 780 PF @ 10 V - 1.6W
HUFA75307P3 Fairchild Semiconductor Hufa75307p3 0.2000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 55 v 15a（tc） 10V 90mohm @ 15a 、10V 4V @ 250µA 20 NC @ 20 V ±20V 250 PF @ 25 V - 45W
FJC790TF Fairchild Semiconductor FJC790TF 0.1900
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 500 MW SOT-89-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 4,000 40 v 2 a 100NA PNP 450mv @ 50ma 、2a 300 @ 10MA 、2V -
FQA18N50V2 Fairchild Semiconductor FQA18N50V2 2.8400
RFQ
 ECAD 380 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 450 nチャネル 500 V 20a（tc） 10V 265mohm @ 10a 、10V 5V @ 250µA 55 NC @ 10 V ±30V 3290 PF @ 25 V - 277W （TC）
BZX85C43 Fairchild Semiconductor BZX85C43 0.0200
RFQ
 ECAD 7526 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±7％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,450 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 30 V 43 v 50オーム
FDU8876 Fairchild Semiconductor FDU8876 0.5500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 30 V 15a（タタ）、 73a（tc） 4.5V 、10V 8.2mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 250µA 47 NC @ 10 V ±20V 1700 PF @ 15 V - 70W
FJPF1943RTU Fairchild Semiconductor FJPF1943RTU 0.7200
RFQ
 ECAD 621 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -50°C〜150°C （TJ 穴を通して TO-220-3フルパック 50 W TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 50 230 v 15 a 5µa（icbo） PNP 3V @ 800MA 、8a 55 @ 1a 、5V 30MHz
FMS7G20US60 Fairchild Semiconductor FMS7G20US60 -
RFQ
 ECAD 5436 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - 箱 廃止 -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント 25 pm-aa 89 W 三相ブリッジ整流器 25 pm-aa ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 30 ブレーキ付きの3相インバーター - 600 V 20 a 2.7V @ 15V 、20a 250 µA はい 1.277 NF @ 30 V
FDS4953 Fairchild Semiconductor FDS4953 -
RFQ
 ECAD 6317 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS49 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC - ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,500 2 P-Channel （デュアル） 30V 5a 55mohm @ 5a、10V 3V @ 250µA 9NC @ 5V 528pf @ 15V ロジックレベルゲート
FDS4935 Fairchild Semiconductor FDS4935 1.0000
RFQ
 ECAD 6688 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS49 モスフェット（金属酸化物） 2W 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,500 2 P-Channel （デュアル） 30V 7a 23mohm @ 7a 、10V 3V @ 250µA 21NC @ 5V 1233pf @ 15V ロジックレベルゲート
HUF76639S3S Fairchild Semiconductor HUF76639S3S -
RFQ
 ECAD 3617 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 188 nチャネル 100 V 51a（tc） 4.5V 、10V 26mohm @ 51a 、10V 3V @ 250µA 86 NC @ 10 V ±16V 2400 PF @ 25 V - 180W
TIP41BTU Fairchild Semiconductor tip41btu 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 2 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 80 v 6 a 700µA npn 1.5V @ 600MA 、6a 15 @ 3a 、4V 3MHz
FQP44N08 Fairchild Semiconductor FQP44N08 0.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 80 v 44a（tc） 10V 34mohm @ 22a 、10V 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±25V 1430 pf @ 25 v - 127W
FQP16N15 Fairchild Semiconductor FQP16N15 0.6400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 150 v 16.4a 10V 160mohm @ 8.2a 、10V 4V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±25V 910 PF @ 25 V - 108W
FGA20S125P Fairchild Semiconductor FGA20S125P -
RFQ
 ECAD 3102 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 FGA20S125 標準 250 W to-3pn ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 450 - トレンチフィールドストップ 1250 v 40 a 60 a 2.5V @ 15V 、20a - 129 NC -
FDD6688S Fairchild Semiconductor FDD6688S 1.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 88a（ta） 4.5V 、10V 5.1mohm @ 18.5a 、10V 3V @ 1MA 81 NC @ 10 V ±20V 3290 PF @ 15 V - 69W （TA）
HUFA76429D3S Fairchild Semiconductor hufa76429d3s 0.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 60 V 20a（tc） 4.5V 、10V 23mohm @ 20a 、10v 3V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±16V 1480 PF @ 25 V - 110W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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