SIC
close

離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
FQPF46N15 Fairchild Semiconductor FQPF46N15 1.2400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 150 v 25.6a 10V 42mohm @ 12.8a 、10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±25V 3250 PF @ 25 V - 66W
BZX85C15-T50A Fairchild Semiconductor BZX85C15-T50A 0.0300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±6％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BZX85C15 1 W do-204al（do-41） ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 11,095 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 10.5 v 15 V 15オーム
MPSH17 Fairchild Semiconductor MPSH17 0.0600
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 MPSH17 350MW to-92-3 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 2,000 24dB 15V - npn 25 @ 5ma 、10V 800MHz 6db @ 200mhz
ISL9N308AD3 Fairchild Semiconductor ISL9N308AD3 0.3300
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 50a（tc） 4.5V 、10V 8mohm @ 50a 、10V 3V @ 250µA 68 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 15 V - 100W （TC）
FJY4004R Fairchild Semiconductor FJY4004R 0.0200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント SC-89 、SOT-490 FJY400 200 MW SOT-523F ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 15,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 68 @ 5MA 、5V 200 MHz 47 Kohms 47 Kohms
FDMS7620S Fairchild Semiconductor FDMS7620S 1.0000
RFQ
 ECAD 5147 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN FDMS7620 モスフェット（金属酸化物） 1W Power56 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 nチャンネル（デュアル） 30V 10.1a、12.4a 20mohm @ 10.1a 、10V 3V @ 250µA 11NC @ 10V 608pf @ 15V ロジックレベルゲート
SI4435DY Fairchild Semiconductor SI4435DY -
RFQ
 ECAD 7057 0.00000000 フェアチャイルド半導体 hexfet® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SO ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 30 V 8a（tc） 4.5V 、10V 20mohm @ 8a 、10V 1V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 2320 pf @ 15 v - 2.5W
BZX79C13 Fairchild Semiconductor BZX79C13 0.0200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.5 V @ 100 MA 100 Na @ 8 V 13 v 30オーム
1N5999B Fairchild Semiconductor 1N5999B 3.4100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 96 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 7 V 9.1 v 10オーム
FQB11P06TM Fairchild Semiconductor fqb11p06tm 0.7200
RFQ
 ECAD 814 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 pチャネル 60 V 11.4a（tc） 10V 175mohm @ 5.7a 、10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±25V 550 PF @ 25 V - 3.13W （TA ）、 53W （TC）
BC546CBU Fairchild Semiconductor BC546CBU 1.0000
RFQ
 ECAD 4139 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,000 65 v 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 420 @ 2MA 、5V 300MHz
SFP9610 Fairchild Semiconductor SFP9610 -
RFQ
 ECAD 4188 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 200 v 1.75a 10V 3OHM @ 900MA 、10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±30V 285 PF @ 25 V - 20W （TC）
NDS8426A Fairchild Semiconductor NDS8426A 0.4100
RFQ
 ECAD 296 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 20 v 10.5a（ta） 2.7V 、4.5V 13.5mohm @ 10.5a 、4.5V 1V @ 250µA 60 NC @ 4.5 v ±8V 2150 PF @ 10 V - 2.5W
SFS9Z14 Fairchild Semiconductor SFS9Z14 0.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 60 V 5.3a（tc） 10V 500mohm @ 2.7a 、10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±30V 350 PF @ 25 V - 24W （TC）
FDMS8570SDC Fairchild Semiconductor FDMS8570SDC 1.3700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Powertrench®、Syncfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn FDMS85 モスフェット（金属酸化物） Dual Cool™56 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 3,000 nチャネル 25 v 28a（ta ）、 60a（tc） 4.5V 、10V 2.8mohm @ 28a 、10V 2.2V @ 1MA 42 NC @ 10 V ±12V 2825 PF @ 13 V ショットキーダイオード（ボディ） 3.3W （TA ）、59W（TC）
FCA22N60N Fairchild Semiconductor FCA22N60N 4.6600
RFQ
 ECAD 978 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Supremos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3pn ダウンロード ear99 8541.29.0095 65 nチャネル 600 V 22a（tc） 10V 165mohm @ 11a 、10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±30V 1950 PF @ 100 V - 205W
MMSZ5230B Fairchild Semiconductor MMSZ5230B 1.0000
RFQ
 ECAD 8598 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 2 V 4.7 v 19オーム
IRFW630BTM Fairchild Semiconductor IRFW630BTM -
RFQ
 ECAD 4921 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 200 v 9a（tc） 10V 400mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±30V 720 PF @ 25 V - 3.13W （TA ）、72W（TC）
FCP125N60E Fairchild Semiconductor FCP125N60E -
RFQ
 ECAD 6733 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®ii バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 FCP125 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 600 V 29a 10V 125mohm @ 14.5a 、10V 3.5V @ 250µA 95 NC @ 10 V ±20V 2990 PF @ 380 v - 278W （TC）
IRFS830B Fairchild Semiconductor IRFS830B 0.2500
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 500 V 4.5a 10V 1.5OHM @ 2.25A 、10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 1050 PF @ 25 V - 38W （TJ）
SI9933BDY Fairchild Semiconductor SI9933BDY -
RFQ
 ECAD 4430 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） SI9933 - 900MW 8-SOIC ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 2 P-Channel （デュアル） 20V 3.4a（ta） 75mohm @ 3.2a 、4.5V 1.5V @ 250µA 20NC @ 4.5V 825pf @ 10V -
KSD261GBU Fairchild Semiconductor KSD261GBU 0.0300
RFQ
 ECAD 4116 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 9,000 20 v 500 Ma 100na（icbo） npn 400mv @ 50ma 、500ma 200 @ 100MA、1V -
TIP30CTU Fairchild Semiconductor tip30ctu -
RFQ
 ECAD 6298 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -65°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 2 W TO-220-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-TIP30CTU-600039 1 100 V 1 a 300µA PNP 700mv @ 125ma、1a 40 @ 200ma 、4V 3MHz
MJD31CITU Fairchild Semiconductor MJD31CITU 0.2000
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-251-3 MJD31 1.56 w i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1,480 100 V 3 a 50µA npn 1.2V @ 375MA、3a 10 @ 3a 、4V 3MHz
FQP7P06 Fairchild Semiconductor FQP7P06 0.6600
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 457 pチャネル 60 V 7a（tc） 10V 410mohm @ 3.5a 、10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ±25V 295 PF @ 25 V - 45W
FCH47N60F-F085 Fairchild Semiconductor FCH47N60F-F085 12.9700
RFQ
 ECAD 421 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Automotive 、AEC-Q101、SuperFet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ear99 8541.29.0095 24 nチャネル 600 V 47a（tc） 10V 75mohm @ 47a 、10V 5V @ 250µA 250 NC @ 10 V ±30V 8000 pf @ 25 V - 417W
FDA16N50 Fairchild Semiconductor FDA16N50 1.6000
RFQ
 ECAD 384 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 モスフェット（金属酸化物） to-3pn ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 500 V 16.5a 10V 380mohm @ 8.3a 、10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±30V 1945 PF @ 25 V - 205W
MCH3476-TL-W Fairchild Semiconductor MCH3476-TL-W 0.0900
RFQ
 ECAD 7750 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード モスフェット（金属酸化物） SC-70FL/MCPH3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 2a（ta） 125mohm @ 1a 、4.5V 1.3V @ 1MA 1.8 NC @ 4.5 v ±12V 128 PF @ 10 V - 800MW
BD676AS Fairchild Semiconductor BD676AS 0.3000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 BD676 14 W TO-126-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 45 v 4 a 500µA pnp-ダーリントン 2.8V @ 40ma 、2a 750 @ 2a、3V -
FDMS8662 Fairchild Semiconductor FDMS8662 -
RFQ
 ECAD 5208 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 190 nチャネル 30 V 28a（タタ）、49a（tc） 4.5V 、10V 2mohm @ 28a 、10v 3V @ 250µA 100 NC @ 10 V ±20V 6420 PF @ 15 V - 2.5W （TA ）、83W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます