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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
KSA1406CSTU Fairchild Semiconductor KSA1406CSTU -
RFQ
 ECAD 1151 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 1.2 w TO-126-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 1,920 200 v 100 Ma 100na（icbo） PNP 800mv @ 3ma 、30ma 40 @ 10ma 、10V 400MHz
FDS7760A Fairchild Semiconductor FDS7760A 1.2300
RFQ
 ECAD 575 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 15a（ta） 4.5V 、10V 5.5mohm @ 15a 、10V 3V @ 250µA 55 NC @ 5 V ±20V 3514 PF @ 15 V - 2.5W
FDU8778 Fairchild Semiconductor FDU8778 0.4700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 25 v 35a（tc） 4.5V 、10V 14mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 250µA 18 NC @ 10 V ±20V 845 PF @ 13 V - 39W （TC）
FDP3651U Fairchild Semiconductor FDP3651U -
RFQ
 ECAD 3749 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 100 V 80a（tc） 10V 18mohm @ 80a 、10V 5.5V @ 250µA 69 NC @ 10 V ±20V 5522 PF @ 25 V - 255W
GBPC12005W Fairchild Semiconductor GBPC12005W 0.8800
RFQ
 ECAD 1110 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4平方、GBPC-W 標準 GBPC-W ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 32 1.1 V @ 6 a 5 µA @ 50 V 12 a 単相 50 v
FJY3006R Fairchild Semiconductor FJY3006R 0.0200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント SC-89 、SOT-490 FJY300 200 MW SOT-523F ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 68 @ 5MA 、5V 250 MHz 10 Kohms 47 Kohms
FCPF165N65S3R0L Fairchild Semiconductor FCPF165N65S3R0L 1.3700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 フェアチャイルド半導体 superfet®iii バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-FCPF165N65S3R0L ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 650 V 19a（tc） 10V 165mohm @ 9.5a 、10V 4.5V @ 410µA 35 NC @ 10 V ±30V 1415 PF @ 400 v - 35W （TC）
KSA709YTA Fairchild Semiconductor KSA709YTA 0.0600
RFQ
 ECAD 395 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 800 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 150 v 700 Ma 100na（icbo） PNP 400MV @ 20MA 、200mA 120 @ 50MA 、2V 50MHz
FDU6612A Fairchild Semiconductor FDU6612A 0.3400
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 30 V 9.5a 4.5V 、10V 20mohm @ 9.5a 、10V 3V @ 250µA 9.4 NC @ 5 V ±20V 660 PF @ 15 V - 2.8W
FDMS86569-F085 Fairchild Semiconductor FDMS86569-F085 1.0000
RFQ
 ECAD 9977 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Automotive、AEC-Q101 、PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 60 V 65a（tc） 10V 5.6mohm @ 65a 、10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±20V 2560 PF @ 30 V - 100W （TJ）
BZX55C8V2 Fairchild Semiconductor BZX55C8V2 0.0500
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±6％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 MA 100 na @ 6 v 8.2 v 7オーム
RFD14N05SM_NL Fairchild Semiconductor RFD14N05SM_NL 1.0000
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 50 v 14a（tc） 10V 100mohm @ 14a 、10V 4V @ 250µA 40 NC @ 20 V ±20V 570 PF @ 25 V - 48W （TC）
1N962B Fairchild Semiconductor 1N962B 2.3000
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 131 5 µA @ 8.4 v 11 v 9.5オーム
SFR9210TM Fairchild Semiconductor SFR9210TM -
RFQ
 ECAD 2073 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 200 v 1.6a（tc） 10V 3OHM @ 800MA 、10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±30V 285 PF @ 25 V - 2.5w
FQS4900TF Fairchild Semiconductor FQS4900TF 0.5800
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FQS4900 モスフェット（金属酸化物） 2W 8-SOIC ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nおよびpチャネル 60V 、300V 1.3a、300MA 550mohm @ 650ma 、10V 1.95V @ 20MA 2.1NC @ 5V - -
MMBD1405A Fairchild Semiconductor MMBD1405A 0.0700
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 標準 SOT-23-3 ダウンロード ear99 8541.10.0070 4,594 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通アノード 175 v 200mA 1.1 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 175 v 150°C （最大）
SI4466DY Fairchild Semiconductor SI4466DY -
RFQ
 ECAD 2668 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 173 nチャネル 20 v 15a（ta） 2.5V 、4.5V 7.5mohm @ 15a 、4.5V 1.5V @ 250µA 66 NC @ 5 V ±12V 4700 PF @ 10 V - 1W
2SA2210-EPN-1EX Fairchild Semiconductor 2SA2210-EPN-1EX 1.0000
RFQ
 ECAD 6435 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA2210 2 W TO-220F-3SG - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0075 1 50 v 20 a 10µa（icbo） PNP 500MV @ 350MA 、7a 150 @ 1a 、2V 140MHz
FDP4030L Fairchild Semiconductor FDP4030L 0.6800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -65°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 20a（tc） 10V 55mohm @ 4.5a 、10V 2V @ 250µA 18 NC @ 10 V ±20V 365 PF @ 15 V - 37.5W
KSH200TF-FS Fairchild Semiconductor KSH200TF-FS -
RFQ
 ECAD 7217 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 KSH200 TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 2,000 100na（icbo） npn 1.8V @ 1a 、5a 70 @ 500MA、1V 65MHz
FDD26AN06A0 Fairchild Semiconductor FDD26AN06A0 0.9400
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 60 V 7a（ta ）、36a（tc） 10V 26mohm @ 36a 、10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±20V 800 PF @ 25 V - 75W
FCPF11N60 Fairchild Semiconductor FCPF11N60 1.7200
RFQ
 ECAD 461 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Superfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 175 nチャネル 600 V 11a（tc） 10V 380mohm @ 5.5a 、10V 5V @ 250µA 52 NC @ 10 V ±30V 1490 PF @ 25 V - 36W （TC）
FQPF12N60C-FS Fairchild Semiconductor FQPF12N60C-FS 1.0000
RFQ
 ECAD 7327 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 600 V 12a（tc） 10V 650mohm @ 6a 、10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 V ±30V 2290 PF @ 25 V - 51W （TC）
FDFS2P102A Fairchild Semiconductor FDFS2P102A 1.0800
RFQ
 ECAD 193 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,500 pチャネル 20 v 3.3a（ta） 4.5V 、10V 125mohm @ 3.3a 、10V 3V @ 250µA 3 NC @ 5 V ±20V 182 pf @ 10 v ショットキーダイオード（分離） 900MW
MBRS320 Fairchild Semiconductor MBRS320 -
RFQ
 ECAD 5733 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント do-214ab 、mc MBRS320 ショットキー smc（do-214ab） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 20 v 500 mV @ 3 a 2ma @ 20 v -65°C〜125°C 4a -
SGH20N120RUFDTU Fairchild Semiconductor SGH20N120RUFDTU -
RFQ
 ECAD 4216 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 SGH20N 標準 230 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 9 600V 、20A、15OHM、15V 80 ns - 1200 v 32 a 60 a 3V @ 15V、 20a 1.3mj（オン）、1.3mj（オフ） 140 NC 30ns/70ns
FCU5N60TU Fairchild Semiconductor FCU5N60TU -
RFQ
 ECAD 9408 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Superfet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 FCU5N60 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 600 V 4.6a（tc） 10V 950mohm @ 2.3a 、10V 5V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±30V 600 PF @ 25 V - 54W
FGH50N3 Fairchild Semiconductor FGH50N3 -
RFQ
 ECAD 6132 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 標準 463 w TO-247 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 180V、30A 、5OHM、15V pt 300 V 75 a 240 a 1.4V @ 15V 、30A 130µj（オン）、92µj（オフ） 180 NC 20ns/135ns
HUFA75344S3 Fairchild Semiconductor Hufa75344S3 1.0400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 55 v 75a（tc） 10V 8mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 210 NC @ 20 V ±20V 3200 PF @ 25 V - 285W
IRF520 Fairchild Semiconductor IRF520 1.0000
RFQ
 ECAD 7757 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 100 V 9.2a 10V 270mohm @ 5.5a 、10V 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±20V 360 PF @ 25 V - 60W （TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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